메모리

메모리

1. 전자부품
   1. IC
      1. 메모리 - 이 페이지
         1. ROM
            1. PROM
            2. EPROM
               1. UV-EPROM
            3. EEPROM
            4. Flash Memory, Flash
         2. RAM
            1. DRAM
            2. SRAM
            3. FRAM
            4. 메모리모듈
               1. SIMM single in-line memory module
               2. DIMM dual in-line memory module
               3. SO-DIMM small outline DIMM
         3. MCP - DRAM+Flash
2. 자료
   1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
      1. k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
   2. 2021년 기준
      1. TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다.
         1. 모바일용은 저가격 때문에 여전히 와이어본딩한다.
         2. 서버용, 통신용은 고속이 필요하여 TSV로 적층한다.
         3. 멀티다이 상태로 TSV 적층하여 단가를 낮추는 것을 하고 있다.
         4. 성능이 필요한 RAM만 한다. Flash Memory는 TSV하지 않는다.
      2. 8단 이상은 TSV(웨이퍼 얇게하여 어셈블리파트가 하는 일)가 아닌, 팹에서 수직 팹이라고 하여 Tr 등을 층별로 계속 형성하는 것을 말한다.