스트레인

스트레인(변위) 센서

전자부품
1. 센서
  1. 스트레인 센서 - 이 페이지
    1. 로드셀
2. 참고
  1. TIRAtest 28025 UTM
3. 참조 부품
  1. 압력센서
  2. 압전 저항 센싱방식의 가속도센서
  3. 저울
참고
1. 위키페디아, extensometer, 신장계, https://en.wikipedia.org/wiki/Extensometer
  1. 늘어나는 길이는 측정한다.
  2. UTM 측정, 즉, stress-strain measurements에서 strain을 측정한다.
  3. 접촉식과 비접촉식
    1. 접촉식
      1. 클립온 장치: 작은 변위는 측정하지 어렵다.
    2. 비접촉식
      1. 레이저 신장계(laser extensometer): 온도 챔버에서 사용할 수 있다.
      2. 비디오 신장계(video extensometer): 시편에 금을 그어 비디오 사진에서 픽셀로 길이를 판독한다.
  4. MTS 회사의 신장계 카탈로그 - 40p
  5. TML(Tokyo Measuring Instruments laboratory Co., Ltd) 회사 카탈로그 - 104p
    1. Load Cell, Displacement Transducer, Pressure Transducer, Acceleration Transducer, Strain Gauge
2. 출력
  1. 출력저항값: 주로 120 또는 350Ω
  2. 출력전압: 1.5mV/V 또는 2mV/V
    1. 최대하중 출력전압이다.
    2. 1V 인가하면 1.5mV 변한다.
  3. 게이지 팩터(gauge factor;GF)
    1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Gauge_factor
    2. 전기저항 R과 기계적 변위(strain) ε와의 관계를 말한다.
      1. GF = (ΔR/R) / (ΔL/L) = (ΔR/R) / ε = 1+2ν+(Δρ/ρ)/ε
      2. 재료가 찌그러들어도 비저항이 변하지 않으면(Δρ=0) 저항변화는 ν(푸아송 비)에 따르므로 게이지팩터는 1+2ν가 된다.
      3. 그러나, 대부분 스트레인 게이지는 강한 압전효과를 갖기 때문에 (Δρ/ρ)/ε 값이 지배한다.
    3. 금속포일: 2-5, constantan 박막: 2, 실리콘 단결정: -125 to +200, 실리콘다결정: +-30, 후막저항: 100, p형 Ge: 102를 갖는다.
    4. 대부분 콘스탄탄을 사용하므로(?) 게이지 팩터는 2라고 생각하다.
  4. 게이지 팩터는 대부분 2이므로, 2mV/V 출력제품은 4000x10E-6 strain 값을 갖는다.
스트레인 게이지
1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Strain_gauge
2. 기술자료 - 인장(저항 높아짐) 압축(낮아짐)
  1. 금속재료: Constantan
  2. IC TPM754 - Microcontroller with TrackPointE microcode from IBM
3. 토크 렌치, CDI(consolidated devices, inc) 회사의 Computorq Model 2502CI 에서
  1. 외형
  2. 분해
    - 회전토크에 따라 금속막대가 휜다.
  3. 스트레인 게이지 센서
4. 포인팅스틱에서 자세히 분석
5. 백금 저항체로
  1. 실험
    1. 첫번째 고정
      - 납땜 단자가 쉽게 떨어진다.
    2. 두번째 고정
      - 붙여놓고 납땜함
    3. 17/08/30 측정 데이터
      - 신용카드를 앞뒤로 휘면