1년, 144일, 10시간, 36분 - Togotech

"PAM"의 두 판 사이의 차이

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image:intel3945_011_001.jpg | 왼쪽 다이 및 몰딩, 오른쪽 기판
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image:z8m01_052.jpg | Qualcomm PM6650 PMIC, Qualcomm RFR6275 WCDMA receiver IC, Triquint 7M5008 Quad-band GSM PAM
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image:gt_b7722_013_001.jpg | 납땜된 상태로 메인 PCB를 가위로 잘라서 발연질산에 넣어두면
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<li>핸드폰 메인보드에서 솔더링 패드 [[동박 설계]]
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<li>표면을 깍아보면
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<li>RF IC #2 - [[PAM]](?) - 발연질산에 오래 넣어두니 다이가 모두 녹아 없어졌다. 그러므로 GaAs 웨이퍼인듯
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image:iphone5s01_117_016.jpg | 두 다이 두께가 다르다.
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<li>Avago A7900, dual [[PAM]]
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<li>Skyworks 77355, dual [[PAM]]
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<li>2014
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<li>2014.07 제조 [[LG-F460S]] LG G3 Cat.6 스마트폰
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<li> [[PAM]], Avago ACPM-7700, Multiband Multimode, Quad-Band GSM/EDGE and Multi Mode B1/B2/B3(B4)/B5/B8
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image:lg_f460s_011.jpg | 와이어본딩된 다이 4개
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<li>#7 [[PAM]]
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image:lg_f460s_015_004_001.jpg
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image:lg_f460s_015_004_002.jpg | 솔더댐
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<li>2016년
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<li>2016.01 출시 삼성 [[SM-A710S]] 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
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image:a710s01_071.jpg | Murata;무라타 회사에서 제조
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image:a710s01_072.jpg | 솔더링 패턴 [[동박 설계]]
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image:a710s01_072_001.jpg | 다이 4개 사용
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<li>2017년
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<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서
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<li>Skyworks 77645-11, multimode multiband(MMMB) PAM, TDD용 전용. 7개 듀플렉서를 사용하는 W-CDMA용 PAM은 따로 존재한다.
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<li>Skyworks 77912-51, W-CDMA용 PAM (LTE B7,38,41,40,AXGP 등 2300~2690MHz)
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<li>2017.06 출시 삼성 갤럭시 폴더2 [[SM-G160N]] 스마트폰
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<li>Skyworks 77649-11 [[PAM]]
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<li>2018년
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<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
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<li>뒷면에 [[PAM]], Qorvo QM56020
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<li> [[PAM]], Qorvo RF5212A
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image:redmi_note6pro_018.jpg | RF5212A
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image:redmi_note6pro_018_001.jpg | BGA IC 3개, MLCC 1개, 앰프Tr 패턴에는 방열을 위해 솔더볼이 집중된다.
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<li>2020년
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<li>2020 삼성 갤럭시 A51 [[SM-A516N]] 휴대폰에서
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<li>Qorvo QPA4580 [[PAM]], [[실드코팅]]으로 차폐시켰다.
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<li>외관
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<li>측면 관찰하면
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image:sm_a516n_066_001.jpg | 처마처럼 튀어나왔다.
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image:sm_a516n_066_002.jpg | 노랑 화살표에 잘린 PCB 동박이 보인다.
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<li>측면 금속 코팅을 칼로 긁어보니
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<li> [[타이바]]. 타이바가 반드시 있어야 하므로, 이왕이면 전기도금을 하면 좋을 것이다.
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image:sm_a516n_066_005.jpg | 절단된 PCB에서 구리 [[타이바]]가 노출되어 있다.
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<li>꼭지점을 칼로 절단한 후
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image:sm_a516n_066_006.jpg | 윗쪽과 아래쪽의 금속코팅 두께에 큰 차이가 없다.
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<li>내부
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image:sm_a516n_066_007.jpg | 내부, [[와이어본딩]] 된 PA 다이가 2개 있다.
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<li>Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, [[PAM]]
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<li>3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
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<li>PA용 Indium gallium phosphide(InGaP) 다이
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image:sm_a516n_064_001.jpg | PK5226 01 SKYWORKS C M 2016
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<li>MIPI 콘트롤러 silicon 다이
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image:sm_a516n_064_003.jpg | PK1136 01 SKYWORKS C M 2016
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2022년 12월 6일 (화) 13:10 기준 최신판

PAM(Power Amplifier Module)

  1. 전자부품
    1. RF-IC
      1. PAM - 이 페이지
  2. 데모보드
    1. Wavics WS1102, CDMA/AMPS용(824-849MHz), 3x3mm, 2005년 4월 21일 제작 보드
      1. 데이터시트
      2. 2022/02/10 발견
        • pam ws1102 001.jpg
        • pam ws1102 002.jpg
  3. 연도별
    1. 1998년
      1. 1998 Motorola StarTAC AMPS 휴대폰 보드에서
    2. 2004년
      1. Motorola MS500 휴대폰에서
        • ms500 01 035.jpg

        • Qualcomm RFR6120 ZIF downconverter, RFT6120 upconvertor, 77162 Skyworks PAM CDMA/AMPS(824-849 MHz)

    3. 2006년
      1. 팬택 & 큐리텔 PT-L2200 피처폰에서
        1. FCI FC7214 PAM for KPCS CDMA
          1. FCI; Future Communications Integrated circuit Inc. (=Future Communications IC, Inc.)
          2. 1998년 설립
          3. 2007년 4월 19일 Silicon Motion Technology가 인수하여 사라짐.
        2. 사진

          • World's First Zero-IF Chipset, Qualcomm RFT6100 Tx IC, Qualcomm RFR 6000 Rx IC, FCI 7214 PAM

      2. mini PCIe WiFi 카드, Intel PRO/Wireless 3945ABG (모델명: WM3945AG)
        1. Power Amplifier Module(PAM)-1, Anadigics

          • Anadigics, AWL6950, dualband, 4x4x1.3mm

          • intel3945 013.jpg

          • 써멀 비아를 위한 기판 홀 가공

          • intel3945 009 002.jpg
        2. Power Amplifier Module(PAM)-2, TriQuint

          • TriQuint, TQM3M7001, dualband, 3x3x0.9mm

          • intel3945 013.jpg

          • 왼쪽 다이 및 몰딩, 오른쪽 기판

          • 도금 기둥

          • L형성

    4. 2008년
      1. 2008.04 제조 삼성 SPH-W4700 슬라이드 피처폰
        1. ANADIGICS, AWT6279R, InGaP HBT(hetero-junction bipolar transistor) MMIC, Linear Power Amplifier Module, - 8p
          • w4700 019.jpg

          • 가열하여 강제로 뜯어냄. solder splash 가 보임. 발연질산에 PA칩이 모두 녹아 없어짐.

      2. LG-SH170 에서
        1. SKY77318-12 800~1900M Amplifier
          1. 외관
            • sh170 026.jpg
            • sh170 045.jpg
            • sh170 027.jpg
          2. 질산에 넣어서, 유일하게 관찰되는 전체 면적의 5% 미만인 IC. 나머지는 모두 수동부품을 납땜함
            • sh170 027 001.jpg

            • SKYWORKS

            • 2003 31500

        2. WS2512G Avago 2100 Amplifier? (잃어버려 더 이상 분석못함)
          • sh170 026.jpg
          • sh170 028.jpg
          • sh170 041.jpg
      3. Motorola Z8m 휴대폰에서

        • Qualcomm MSM6280 3G chip, Toshiba TYB000BC00AFHP flash, Qualcomm RTR6275 WCDMA Tx, GSM/GPRS/EDGE tranceiver IC, TriQuint 676001 2GHz PAM, Cypress CY7C680 USB IC

        • Qualcomm PM6650 PMIC, Qualcomm RFR6275 WCDMA receiver IC, Triquint 7M5008 Quad-band GSM PAM

    5. 2010.07 출시 삼성 GT-B7722 피처폰
      1. SKY77346
        1. 마스터 RF영역에서

          • 납땜된 상태로 메인 PCB를 가위로 잘라서 발연질산에 넣어두면

          • gt b7722 013 002.jpg

          • 방열을 위한 비아 8개가 보인다.

          • glass fiber가 있다.

        2. 슬레이브 RF영역에서
          1. 핸드폰 메인보드에서 솔더링 패드 동박 설계
            • sky77346 001.jpg
            • sky77346 002.jpg
          2. PAM에서 PCB 솔더링 패드 동박 설계
            • sky77346 003.jpg
            • sky77346 004.jpg
          3. 내부
            • sky77346 005.jpg
    6. 2013년
      1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
        1. Murata;무라타 WiFi모듈에서
          1. 표면을 깍아보면

            • Broadcom BCM43342, WIFI/BT/NFC/FM

          2. RF IC #2 - PAM(?) - 발연질산에 오래 넣어두니 다이가 모두 녹아 없어졌다. 그러므로 GaAs 웨이퍼인듯
            • iphone5s01 117 015.jpg

            • 두 다이 두께가 다르다.

        2. Avago A7900, dual PAM

          • 우측

          • iphone5s01 136 003 001.jpg
        3. Skyworks 77355, dual PAM
          • iphone5s01 136 004.jpg
          • iphone5s01 136 004 001.jpg
    7. 2014
      1. 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
        1. PAM, Avago ACPM-7700, Multiband Multimode, Quad-Band GSM/EDGE and Multi Mode B1/B2/B3(B4)/B5/B8
          • lg f460s 009.jpg

          • 와이어본딩된 다이 4개

        2. #7 PAM
          • lg f460s 015 004 001.jpg

          • 솔더댐

    8. 2016년
      1. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰

        • Murata;무라타 회사에서 제조

        • 솔더링 패턴 동박 설계

        • 다이 4개 사용

    9. 2017년
      1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
        1. Skyworks 77645-11, multimode multiband(MMMB) PAM, TDD용 전용. 7개 듀플렉서를 사용하는 W-CDMA용 PAM은 따로 존재한다.
          • redmi note4x 092.jpg
          • redmi note4x 093.jpg
        2. Skyworks 77912-51, W-CDMA용 PAM (LTE B7,38,41,40,AXGP 등 2300~2690MHz)
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      2. 2017.06 출시 삼성 갤럭시 폴더2 SM-G160N 스마트폰
        1. Skyworks 77649-11 PAM
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    10. 2018년
      1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
        1. 뒷면에 PAM, Qorvo QM56020
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        2. PAM, Qorvo RF5212A

          • RF5212A

          • BGA IC 3개, MLCC 1개, 앰프Tr 패턴에는 방열을 위해 솔더볼이 집중된다.

    11. 2020년
      1. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰에서
        1. Qorvo QPA4580 PAM, 실드코팅으로 차폐시켰다.
          1. 외관
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          2. 측면 관찰하면

            • 처마처럼 튀어나왔다.

            • 노랑 화살표에 잘린 PCB 동박이 보인다.

          3. 측면 금속 코팅을 칼로 긁어보니
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          4. 타이바. 타이바가 반드시 있어야 하므로, 이왕이면 전기도금을 하면 좋을 것이다.

            • 절단된 PCB에서 구리 타이바가 노출되어 있다.

          5. 꼭지점을 칼로 절단한 후

            • 윗쪽과 아래쪽의 금속코팅 두께에 큰 차이가 없다.

          6. 내부
        2. Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, PAM
          1. 3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
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          2. PA용 Indium gallium phosphide(InGaP) 다이

            • PK5226 01 SKYWORKS C M 2016

          3. MIPI 콘트롤러 silicon 다이
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            • PK1136 01 SKYWORKS C M 2016

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