다이싱 - 편집 역사

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2019-09-27T00:28:28Z

Togotech: 새 문서: 다이싱 dicing

가공
다이싱 모양

삼각형

평행사변형을 자른 삼각형

MSC가 있는, high out-of-b...

2019-07-27T05:02:09Z

새 문서: 다이싱 dicing <ol> <li> 가공 <li>다이싱 모양 <ol> <li>삼각형 <ol> <li> <ol> </ol> </ol> <li>평행사변형을 자른 삼각형 <ol> <li>MSC가 있는, high out-of-b...

새 문서

다이싱 dicing
<ol>
<li> [[가공]]
<li>다이싱 모양
<ol>
<li>삼각형
<ol>
<li>
<ol>
</ol>
</ol>
<li>평행사변형을 자른 삼각형
<ol>
<li>MSC가 있는, high out-of-band rejection in surface acoustic wave (SAW) filters,
<gallery>
image:saw_if_etc01_001.jpg
</gallery>
</ol>
<li>매우 긴 직각사각형 - 그냥 직사각형, 정사각형은 가장 널리 사용되므로 첨부 생략
<ol>
<li>CIS - 스캐너용 contact image sensor
<gallery>
image:ddi01_001.jpg | X축 IC 18.2x1.35x0.64mm, Y축 IC 11.2x1.35x0.64mm
</gallery>
<li>DDI - [[능동LCD]]용 Display Driver
<gallery>
image:cis03_020.jpg | 이런 센서(합성 때 약간 문제로 줄어듬) 15개 다이본딩
</gallery>
</ol>
<li>평행사변형
<ol>
<li>TV용 IF SAW필터
<gallery>
image:saw_if_tv02_014.jpg | 112LT Sanyo 마킹
</gallery>
</ol>
<li>육각형
<ol>
<li>LED칩
<gallery>
image:led_module01_006.jpg
image:led_module01_007.jpg | 한변 길이가 1.2mm
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>반도체 다이싱
<ol>
<li>실리콘 웨이퍼
<ol>
<li>레이저
<ol>
<li>CIS #2 - 레이저
<gallery>
image:cis02_006_004.jpg | 센서 경계선
image:cis02_006_008.jpg | 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱
</gallery>
<li>MEMS 마이크
<gallery>
image:knowles01_003.jpg
image:knowles01_004.jpg
image:knowles01_007.jpg | 레이저 다이싱 5회
</gallery>
<li>인포콤 RF하이패스, 스위치
<gallery>
image:hipass_rf02_051.jpg | 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.
image:hipass_rf02_052.jpg | 레이저 다이싱
</gallery>
</ol>
<li>회전 블레이드
<ol>
<li>CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
<gallery>
image:cis03_018.jpg
image:cis03_016.jpg | 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격 20um
image:cis03_017.jpg | 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도
</gallery>
<li>만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
<gallery>
image:hipass_rf01_087_007.jpg
image:hipass_rf01_087_008.jpg | 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)
image:hipass_rf01_087_009.jpg
</gallery>
<li>인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
<ol>
<li>first stage amp.
<gallery>
image:hipass_rf02_043.jpg
image:hipass_rf02_045.jpg | 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬
</gallery>
<li>second stage amp.
<gallery>
image:hipass_rf02_046.jpg | 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr
image:hipass_rf02_047.jpg | 다이싱 때 1ch 컷
image:hipass_rf02_048.jpg | 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>
<li>쏘필터용 웨이퍼
<ol>
<li>무라타, 1.4x1.1mm
<gallery>
image:saw1411_01_001.jpg
image:saw1411_01_002.jpg | 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.
image:saw1411_01_003.jpg | 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱
image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>

@@ 11번째 줄: / 11번째 줄: @@
 <li> [[레이저 다이싱]]
 <li> [[도랑 파기]]
 </ol>
 <li>
@@ 17번째 줄: / 18번째 줄: @@
 <ol>
 <li> [[다이싱 테이프]]
 </ol>
 <li>참조

@@ 5번째 줄: / 5번째 줄: @@
 <li> [[전자부품]]
 <ol>
 <li> [[가공]]
 </ol>
 </ol>
@@ 72번째 줄: / 79번째 줄: @@
 image:saw_if_etc04_003.jpg | 스크라이빙 후 부러뜨렸다.
 </gallery>
 </ol>
 <li>반도체 다이싱
 <ol>
-<li>실리콘 웨이퍼
+<li>레이저 기술
 <ol>
-<li>레이저
+<li> - 10p
 <ol>
 <li>레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다.
 <ol>
@@ 84번째 줄: / 133번째 줄: @@
 <li>개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
 <li>웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
-<li>레이저가 나오는 렌즈는 NA값이 큰 대구경을 사용하여 촛점 깊이;DOF를 낮게 형성시킨다.
+<li>레이저가 나오는 렌즈는 NA값이 큰 대구경을 사용하여 촛점 깊이(DOF)를 낮게 형성시킨다.
 <li>빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다.
 <li>레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다.
 </ol>
 <li>CIS #2 - 레이저
 <gallery>
@@ 149번째 줄: / 203번째 줄: @@
 image:saw1411_01_001.jpg
 image:saw1411_01_002.jpg | 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.
-image:saw1411_01_003.jpg | 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱
+image:saw1411_01_003.jpg | 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱한 것처럼 보이지만, 한 번만 다이싱해도 이렇다.(?????)
 image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
 </gallery>

@@ 13번째 줄: / 13번째 줄: @@
 <li> [[드레싱 보드]]
 </ol>
-<li>
+<li>다이서
 </ol>
 <li>참조
@@ 25번째 줄: / 25번째 줄: @@
 <li> [[천공]]
 <li> [[스크라이버]]
 </ol>
 </ol>
@@ 79번째 줄: / 89번째 줄: @@
 image:cis03_017.jpg | 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도
 </gallery>
-<li>만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
+<li> [[만도 KMD-100 RF하이패스 단말기]]			, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
 <gallery>
 image:hipass_rf01_087_007.jpg
@@ 85번째 줄: / 95번째 줄: @@
 image:hipass_rf01_087_009.jpg
 </gallery>
-<li>인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
+<li> [[PAM]]에 사용된 [[트랜지스터]] 두 개에서
 <ol>
 <li>first stage amp.
 <gallery>
 image:hipass_rf02_043.jpg
-image:hipass_rf02_045.jpg | 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬
+image:hipass_rf02_045.jpg | [[다이싱]] 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬
 </gallery>
 <li>second stage amp.
 <gallery>
 image:hipass_rf02_046.jpg | 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr
-image:hipass_rf02_047.jpg | 다이싱 때 1ch 컷
+image:hipass_rf02_047.jpg | [[다이싱]] 때 1ch 컷
-image:hipass_rf02_048.jpg | 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
+image:hipass_rf02_048.jpg | [[다이싱]] 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
 </gallery>
 </ol>
@@ 112번째 줄: / 122번째 줄: @@
 image:iphone5s01_079.jpg
 image:iphone5s01_080.jpg
 </gallery>
 </ol>

@@ 15번째 줄: / 15번째 줄: @@
 </ol>
 </ol>
 </ol>
 <li>다이싱 모양
@@ 42번째 줄: / 57번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
-<li>평행사변형
+<li>평행사변형(parallelogram)
 <ol>
 <li>TV용 IF SAW필터
@@ 49번째 줄: / 64번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
-<li>육각형
+<li>육각형(hexagon), 직선으로 자를 수 없다. 그러므로 레이저 다이싱 또는 플라즈마 에칭(plasma etching)으로 다이싱해야 한다.
 <ol>
 <li>LED칩
@@ 55번째 줄: / 70번째 줄: @@
 image:led_module01_006.jpg
 image:led_module01_007.jpg | 한변 길이가 1.2mm
 </gallery>
 </ol>
 </ol>
@@ 82번째 줄: / 104번째 줄: @@
 <li>half-cut 다이싱 후
 <ol>
 <li>LTCC 몰딩품에서
 <ol>
@@ 96번째 줄: / 139번째 줄: @@
 image:z8m01_092.jpg
 image:z8m01_093.jpg | LTCC [[다이싱]] 방법
 </gallery>
 </ol>
@@ 109번째 줄: / 157번째 줄: @@
 image:tr_metal03_004.jpg
 image:tr_metal03_005.jpg
 </gallery>
 </ol>
 </ol>
-<li>반도체 다이싱
+<li>반도체 웨이퍼 다이싱
 <ol>
 <li>레이저 기술
@@ 169번째 줄: / 223번째 줄: @@
 <li>회전 블레이드
 <ol>
-<li>CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
+<li>CIS #1 - 회전 [[다이아몬드]] 휠로 절단
 <gallery>
 image:cis03_018.jpg
@@ 193번째 줄: / 247번째 줄: @@
 image:hipass_rf02_047.jpg | 다이싱 때 1ch 컷
 image:hipass_rf02_048.jpg | 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
 </gallery>
 </ol>
@@ 205번째 줄: / 266번째 줄: @@
 image:saw1411_01_003.jpg | 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱한 것처럼 보이지만, 한 번만 다이싱해도 이렇다.(?????)
 image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
 </gallery>
 </ol>
 </ol>
@@ 228번째 줄: / 298번째 줄: @@
 image:saw_if_tv_sipm01_005.jpg
 image:saw_tech01_001.jpg | [[SAW기술]]에서
 </gallery>
 </ol>
 </ol>

@@ 1번째 줄: / 1번째 줄: @@
 다이싱 dicing
 <ol>
 <li> [[가공]]
 <li>다이싱 모양
 <ol>
@@ 25번째 줄: / 31번째 줄: @@
 <li>DDI - [[능동LCD]]용 Display Driver
 <gallery>
-image:cis03_020.jpg | 이런 센서(합성 때 약간 문제로 줄어듬) 15개 다이본딩
+image:cis03_020.jpg | 이런 센서(합성 때 약간 문제로 줄어듬) 15개를 사용한다.
 </gallery>
 </ol>
@@ 43번째 줄: / 49번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
 </ol>
 <li>반도체 다이싱
@@ 55번째 줄: / 83번째 줄: @@
 image:cis02_006_008.jpg | 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱
 </gallery>
-<li>MEMS 마이크
+<li>MEMS 마이크 - 1
 <gallery>
 image:knowles01_003.jpg
 image:knowles01_004.jpg
 image:knowles01_007.jpg | 레이저 다이싱 5회
 </gallery>
 <li>인포콤 RF하이패스, 스위치
@@ 107번째 줄: / 143번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
 </ol>
 </ol>