Togotech: 새 문서: 레이저 다이싱

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2023-10-21T12:42:33Z

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새 문서

레이저 다이싱
<ol>
<li> [[전자부품]]
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<li> [[가공]]
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<li> [[다이싱]]
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<li> [[레이저 다이싱]] - 이 페이지
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</ol>
<li>참조
<ol>
<li> [[레이저]]
</ol>
</ol>
<li>기술
<ol>
<li>용어 stealth dicing, ultrashort pulsed(USP)
<li>유리(soda lime glass)
<ol>
<li> - 10p
<li>기술
<ol>
<li>장점: high speed cutting, no chipping, dust-free, zero-kerf, no chemicals
<li>스텔스 다이싱 단점: 절단면에 큰 거칠기 존재, 완전히 분리하는 개별화 작업을 위해 기계적인 충격이 필요함.
<li>완전한 절단(Full ablation cutting) - 작업속도가 느리다. 측벽이 매우 거칠다. 많은 먼지가 발생된다.
<li>제어된 파괴전파(Controlled fracture propagation) - 시작지점을 기계적으로 긁고, 이후 레이저로 가열하여 균열 발생하는 기법(절단면이 매끄럽다. 곡선이 안된다. 경로가 부정확하다. 열을 받는다.)
</ol>
</ol>
<li>레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다.
<ol>
<li>레이저 촛점은 레이저 진행 방향에 따라 원형, 진행방향 타원, 진행에 수직방향 타원 등을 만들 수 있다.
<li>개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
<li>웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
<li>레이저가 나오는 렌즈는 NA값이 큰 대구경을 사용하여 촛점 깊이(DOF)를 낮게 형성시킨다.
<li>빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다.
<li>레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다.
</ol>
</ol>
<li>유리 절단
<ol>
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
<ol>
<li> [[핸드폰용 이미지센서]] 카메라 모듈 , [[IR 차단 필터]]
<gallery>
image:iphone5s01_064.jpg | 광학필터 유리가 잘린 단면이 보인다.
image:iphone5s01_072.jpg | 레이저 [[다이싱]]
image:iphone5s01_073.jpg | 유리두께 0.30mm, 코팅두께 약 6um
image:iphone5s01_074.jpg | 레이저 피치 10.0um
</gallery>
</ol>
</ol>
<li> [[사파이어]] 절단
<ol>
<li>기술
<ol>
<li>매우 단단하여 단순한 절단 이외에 어떤 형상을 갖는 기계가공은 어렵다.
</ol>
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
<ol>
<li>카메라 렌즈가 긁히지 않도록 외부에 붙이는 보호 [[사파이어]]창
<gallery>
image:iphone5s01_096_003.jpg | 원형 가공면이 taper진 형태
image:iphone5s01_096_005.jpg | taper 가공이 되는 이유(?)
image:iphone5s01_096_004.jpg | 레이저 다이싱, 무반사 코팅이 샌 흔적
</gallery>
<li> [[정전식 지문센서]]
<gallery>
image:iphone5s01_230.jpg | 지문센서 실리콘 IC는 두 번 [[다이싱]]으로 잘랐다.
image:iphone5s01_231.jpg | 지문센서 커버창은 레이저 [[다이싱]]. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.
image:iphone5s01_230_001.jpg | 그림
</gallery>
<li> [[RF스위치IC]]
<ol>
<li>다이버시티 [[Rx 스위치+SAW 모듈]] 무라타 제조
<ol>
<li>모듈에서
<gallery>
image:iphone5s01_126_003.jpg | [[RF스위치IC]] 다이 2개는 투명하다.
</gallery>
<li>Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
<gallery>
image:iphone5s01_126_024.jpg | 측면 [[사파이어]], 레이저 [[다이싱]] 두께 약 125um
</gallery>
<li>Peregrine C9957_1 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
<gallery>
image:iphone5s01_126_030.jpg | [[사파이어]] 두께 약 125um
image:iphone5s01_126_031.jpg
</gallery>
</ol>
<li> [[Rx 스위치+SAW 모듈]]
<gallery>
image:shw_a240s_014.jpg | 투명다이는 SoS 웨이퍼로 만든 [[RF스위치IC]]이다.
image:shw_a240s_014_003_004.jpg | 레이저 [[다이싱]]
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>
<li>실리콘 웨이퍼 다이싱
<ol>
<li>CIS #2 - 레이저
<gallery>
image:cis02_006_004.jpg | 센서 경계선
image:cis02_006_008.jpg | 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱
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<li> [[MEMS마이크]], 마킹 S190 제품에서. KNOWLES 칩
<gallery>
image:knowles01_003.jpg
image:knowles01_004.jpg
image:knowles01_007.jpg | 레이저 다이싱 5회
</gallery>
<li>MEMS 마이크 - 2, 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
<gallery>
image:mems_mic01_008.jpg | 측면 다이싱 관찰
image:mems_mic01_010.jpg | 레이저 4회
image:mems_mic01_011.jpg
image:mems_mic01_012.jpg
image:mems_mic01_013.jpg | 천공 간격 약 3um, Q-rate 100kHz 레이저를 사용했다면 300mm/sec 전진 속도. 4회 반복하므로 약 70mm/sec 절삭속도가 나올 것으로 예상.
</gallery>
<li> [[MEMS마이크]] , STMicroelectronics, MP45DT02TR, 2D45, 4.72x3.76mm
<gallery>
image:gigabyte_p34_132.jpg
image:gigabyte_p34_133.jpg | MEMS는 레이저 [[다이싱]] 및 판독IC는 half-cut [[다이싱]]
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<li>인포콤 RF하이패스, 스위치(RF용이므로 실리콘이 아닐 수 있다.)
<gallery>
image:hipass_rf02_051.jpg | 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.
image:hipass_rf02_052.jpg | 레이저 다이싱
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</ol>
</ol>

레이저 다이싱 - 편집 역사

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