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저누설 다이오드 - 편집 역사
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2022-03-15T01:30:43Z
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<ol><br />
<li> [[전자부품]]<br />
<ol><br />
<li>반도체<br />
<ol><br />
<li> [[다이오드]]<br />
<ol><br />
<li> [[저누설 다이오드]] - 이 페이지<br />
</ol><br />
</ol><br />
</ol><br />
<li>용어<br />
<ol><br />
<li>Low Leakage Diode, Ultra-Low Leakage Diode<br />
<ol><br />
<li>Low Ir Diode (I reverse)<br />
</ol><br />
</ol><br />
<li>기술<br />
<ol><br />
<li>역전압 전류가 낮다는 뜻<br />
<ol><br />
<li>상온에서, 범용 1N4148는 -10V에서 1GΩ을 갖는다. 저누설 다이오드 BAS716은 15GΩ이다.<br />
<li>BAS454A는 125V에서 125GΩ(1nA)를 갖는다. 그러나 125도씨에서는 500nA로 증가한다.<br />
</ol><br />
<li>특히 쇼트키배리어다이오드(SBD)는 스위칭속도도 매우 빠르고 Vf가 낮아 발열이 적지만, 누설전류가 크다.<br />
<ol><br />
<li>자동차용 등 고온에서 사용될 때 커지는 누설전류로 열폭주가 발생될 수 있다.<br />
<li>이를 일반 다이오드 수준(20V에서 10nA)으로 개선한 제품도 있다.<br />
</ol><br />
<li>트랜지스터 BC접합(E는 사용하지 않는다. 또는 E를 B와 쇼트시킨다.)은 저누설다이오드보다 10배 이상의 성능이 뛰어난다.<br />
<ol><br />
<li>더 낮은 전류가 필요하면 JFET에서 드레인과 소스를 쇼트시켜 사용하는 2단자로 사용하면 된다.<br />
<li>20V Vdg에서 200fA 수준으로 나온다.<br />
</ol><br />
<li>저전력 고압 충전회로(예, 압전체)용 정류회로에서 역방향 누설전류 특성이 순방향 전압강하 특성보다 충전효율에 더 큰 영향을 미친다.<br />
<ol><br />
<li>순방향 전압강하가 낮은 쇼트키다이오드(~누설전류 30nA)보다 저누설 다이오드(~누설전류 1pA)를 사용하는 것이 좋다.<br />
</ol><br />
</ol><br />
<li>발견<br />
<ol><br />
<li> [[8960]] 무선 통신 테스트 세트, IVF Measurement, Voltmeter/Counter 보드에서<br />
<ol><br />
<li>FDH300TR, high conductance low leakage [[다이오드]] <br />
<gallery><br />
image:8960_22_007.jpg<br />
image:8960_22_007_001.png | 순방향 특성<br />
image:8960_22_007_002.png | 역방향 특성(범용다이오드보다 1/100 수준이다.)<br />
</gallery><br />
</ol><br />
</ol><br />
</ol></div>
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