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정전식 지문센서
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<li>링크
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<li> [[전자부품]]
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<li> [[지문센서]]
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<li> [[정전식 지문센서]] - 이 페이지
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</ol>
</ol>
<li>정전용량 스와이프(capacitive, swipe) 방식
<ol>
<li> [[Fujitsu E8410]]에서
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:fujitsue8410_012.jpg | 지문센서
</gallery>
<li>보드에서
<gallery>
image:fingerprint02_001.jpg
image:fingerprint02_002.jpg
image:fingerprint02_003.jpg | 3.2x1.3mm [[압전체 레조네이터]]
</gallery>
<li>패키징
<gallery>
image:fingerprint02_004.jpg
image:fingerprint02_005.jpg
image:fingerprint02_008.jpg
image:fingerprint02_009.jpg
image:fingerprint02_010.jpg
</gallery>
<li>다이
<gallery>
image:fingerprint02_006.jpg
image:fingerprint02_007.jpg
image:fingerprint02_011.jpg
image:fingerprint02_012.jpg
image:fingerprint02_013.jpg
</gallery>
</ol>
<li>2014 삼성 갤럭시 S5 [[SM-G906S]]
<ol>
<li>Synaptics 회사제품. 정전용량 스와이프(capacitive, swipe) 방식, 표면 코팅 수지를 벗기면
<gallery>
image:sm_g906s_042.jpg
image:sm_g906s_043.jpg
</gallery>
<li>[[유기물기판]] 솔더 레지스트 보호막을 벗기면, 미세한 [[동박 설계]]를 볼 수 있다.
<gallery>
image:sm_g906s_044.jpg
image:sm_g906s_045.jpg
</gallery>
<li>PCB를 찢으면
<gallery>
image:sm_g906s_046.jpg
</gallery>
<li>PCB 뒷면에 BGA IC가 붙어 있다.
<gallery>
image:sm_g906s_047.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>정전용량 고정(capacitive, Static=Touch)방식
<ol>
<li>핸드폰용 - Goodix GF5216 센서 사용. P회사는 2014년부터 양산(?)
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:fingerprint03_001.jpg
image:fingerprint03_002.jpg | Goodix GF5216M R01 1640 DD(대덕)
image:fingerprint03_003.jpg
image:fingerprint03_004.jpg
</gallery>
<li>패키지
<gallery>
image:fingerprint03_005.jpg
image:fingerprint03_006.jpg | GF5216
image:fingerprint03_007.jpg
image:fingerprint03_008.jpg
image:fingerprint03_009.jpg
image:fingerprint03_010.jpg | 투명 유리? (접착제 색깔로 흰색으로 보임)
</gallery>
<li>솔더 알갱이
<gallery>
image:fingerprint03_011.jpg
image:fingerprint03_012.jpg
image:fingerprint03_013.jpg
image:fingerprint03_024.jpg
</gallery>
<li>센서 x축 128개, y축 60개 = 7680개
<gallery>
image:fingerprint03_014.jpg
image:fingerprint03_015.jpg
image:fingerprint03_016.jpg
image:fingerprint03_017.jpg
</gallery>
<li>측면 와이어본딩용 가공
<gallery>
image:fingerprint03_018.jpg
image:fingerprint03_019.jpg
image:fingerprint03_020.jpg
</gallery>
<li>ID 및 C 보정용 패턴?
<gallery>
image:fingerprint03_021.jpg
image:fingerprint03_022.jpg
image:fingerprint03_023.jpg
</gallery>
<li>검은색 제품은 발연질산에 녹여서(하양 제품은 태워서 분해했음)
<gallery>
image:fingerprint03_2_001.jpg | BSOB 사진
image:fingerprint03_2_002.jpg | 측면전극
image:fingerprint03_2_003.jpg | 매우두꺼운 보호막
image:fingerprint03_2_004.jpg | 초경바늘로 긁음. 유리질 보호막
image:fingerprint03_2_005.jpg | ID
</gallery>
</ol>
<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
<ol>
<li>위치
<gallery>
image:redmi_note4x_021.jpg
image:redmi_note4x_022.jpg | 지문센서 부착방법.
image:redmi_note4x_021_001.jpg
</gallery>
<li>PCB
<gallery>
image:redmi_note4x_021_002.jpg | FPMJ012 17269006
image:redmi_note4x_021_004.jpg | 납땜 패드만(?) 전기도금한다.(?)
</gallery>
<li>표면에 열풍을 가하면
<gallery>
image:redmi_note4x_021_003.jpg | 페인트 칠이다. 지문 기름성분이 잘 안묻는 수지 코팅만 했다.
</gallery>
<li>다이
<gallery>
image:redmi_note4x_021_005.jpg | 5.9x5.75mm die size
image:redmi_note4x_021_006.jpg | 5.6x4.4mm sensing area size, 112x88=9856 cells
image:redmi_note4x_021_007.jpg
image:redmi_note4x_021_008.jpg
image:redmi_note4x_021_009.jpg | 50x50um pitch
image:redmi_note4x_021_010.jpg | 7033
</gallery>
<li>동작원리
<gallery>
image:redmi_note4x_021_011.jpg
image:redmi_note4x_021_012.jpg
</gallery>
</ol>
<li> Apple [[iPhone 5S]]
<ol>
<li>지문센서 택타일 누름스위치
<gallery>
image:iphone5s01_218.jpg | 누르면 들어가도록 설계되어 있다.
image:iphone5s01_219.jpg | 택타일 스위치가 동작되도록 뒤에서 받치고 있다.
image:iphone5s01_220.jpg | 택타일 스위치가 있다.
image:iphone5s01_221.jpg | 지문센서 모듈을 분리하면
</gallery>
<li>붙어 있는 [[택타일]] 스위치를 뜯어 분해하면
<gallery>
image:iphone5s01_222.jpg | 레이저 용접. 지문센서 모듈 전체가 택타일 스위치를 누른다.
image:iphone5s01_223.jpg | 지문센서 전체를 움직이는 탄성을 가져야하므로 크게 만든듯. 백색인데, 은도금은 아닌듯.
</gallery>
<li>지문센서 금속 프레임
<gallery>
image:iphone5s01_224.jpg | 금속에 검정 코팅했다. 긁어도 벗겨지지 않는다.
image:iphone5s01_225.jpg | CNC 기계 가공으로 모든 형상을 만들었다.
</gallery>
<li>지문센서를 찾기 위해 계속 분해
<gallery>
image:iphone5s01_226.jpg | 레이저 용접 판을 뜯으면, F-PCB가 있다.
image:iphone5s01_227.jpg | F-PCB를 뜯으면, 지문센서 IC가 나타난다. F-PCB에 IC를 다이본딩/와이어본딩한 후에 커버창을 붙였다.
</gallery>
<li>지문센서를 눌러도 문제가 없도록 한 고정 방법
<gallery>
image:iphone5s01_228.jpg
image:iphone5s01_229.jpg
</gallery>
<li>지문센서 측면
<gallery>
image:iphone5s01_230.jpg | 지문센서 IC는 두 번 다이싱으로 잘랐다.
image:iphone5s01_231.jpg | 지문센서 커버창은 레이저 [[다이싱]]. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.
image:iphone5s01_230_001.jpg
</gallery>
<li>보호창(protective window) Double Side Polished (DSP) sapphire wafers에 IC는 풀로 붙였다.
<gallery>
image:iphone5s01_231_001.jpg | 손가락이 닿는 앞면
image:iphone5s01_231_002.jpg | 뒷면(센서 부착면)
image:iphone5s01_231_002_001.jpg | 측면 및 뒷면을 긁어보니. 사파이어 맞다.
</gallery>
<li>지문센서 다이
<gallery>
image:iphone5s01_231_003.jpg | 88x88 = 7744 cells
image:iphone5s01_231_004.jpg
image:iphone5s01_231_005.jpg | 와이어본딩을 위한 MEMS 가공
image:iphone5s01_231_006.jpg | TMDR92(AuthenTec 어센텍. 2012년 애플이 인수했다.)
image:iphone5s01_231_007.jpg
image:iphone5s01_231_008.jpg | 피치 51um
image:iphone5s01_231_009.jpg | [[Copyright]] 마크
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>

정전식 지문센서 - 편집 역사

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