하프 커팅후 절단 - 편집 역사

2025년 3월 14일 (금) 03:58에 Togotech님의 편집

2025-03-14T03:58:46Z

Togotech: 새 문서: 하프 커팅후 절단

전자부품

가공

다이싱

하프 커팅후 절단 - 이 페이지
도랑 파기

2023-10-21T12:42:01Z

새 문서: 하프 커팅후 절단 <ol> <li> 전자부품 <ol> <li> 가공 <ol> <li> 다이싱 <ol> <li> 하프 커팅후 절단 - 이 페이지 <li> 도랑 파기 </ol> </ol...

새 문서
하프 커팅후 절단
<ol>
<li> [[전자부품]]
<ol>
<li> [[가공]]
<ol>
<li> [[다이싱]]
<ol>
<li> [[하프 커팅후 절단]] - 이 페이지
<li> [[도랑 파기]]
</ol>
</ol>
</ol>
<li>half-cut 다이싱 후
<ol>
<li>Bevel cut
<ol>
<li> [[IR 차단 필터]]
<ol>
<li>2009.12 출시 삼성 [[SPH-M8400]] 옴니아2 스마트폰
<gallery>
image:sph_m8400_014_006.jpg | 유리는 Bevel cut [[다이싱]]
</gallery>
<li>2010.08 출시, 팬택, SKY 골드루키 [[IM-U660K]] 피처폰
<gallery>
image:im_u660k_006_003.jpg | [[IR 차단 필터]] 유리는 Bevel cut [[다이싱]]
</gallery>
</ol>
<li> [[SAW-핸드폰DPX]]에서
<ol>
<li>Epcos 2.5x2.0mm 제품에서만 발견됨.
<li>2012.06 출시 삼성 [[SHV-E210K]] 갤럭시 S3 스마트폰
<gallery>
image:shv_e210k_060_010.jpg | V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다.
image:shv_e210k_060_011.jpg
</gallery>
<li>2011.02 출시 삼성 와이즈 [[SHW-A240S]] 폴더 피처폰
<gallery>
image:shw_a240s_013_002.jpg | LR81H 마킹, Bevel cut 때문에 가장자리에 검은 테두리가 보인다.
image:shw_a240s_013_005.jpg
image:shw_a240s_013_006.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>step cut: 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.
<ol>
<li> [[LTCC 기판]]
<ol>
<li> [[파나소닉 UJDA745]] 노트북용 DVD 드라이브
<gallery>
image:ujda745_040.jpg | 두꺼운 블레이드로 절반 [[다이싱]] 하였다.
</gallery>
</ol>
<li> [[정전식 지문센서]]
<ol>
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
<gallery>
image:iphone5s01_230.jpg | 지문센서 실리콘 IC는 두 번 [[다이싱]]으로 잘랐다.
image:iphone5s01_231.jpg | 지문센서 커버창은 레이저 [[다이싱]]. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.
image:iphone5s01_230_001.jpg | 그림
</gallery>
</ol>
<li>지자기센서라고 부르는 [[나침반]], AKM AK8963 3-axis electronic compass IC
<gallery>
image:iphone5s01_148.jpg
image:iphone5s01_149.jpg
image:iphone5s01_150.jpg | 두 번 다이싱
</gallery>
<li> [[가속도]]센서
<ol>
<li>2018.06 출시한 샤오미 [[미밴드3]]
<ol>
<li>사진
<gallery>
image:mi_band3_017.jpg
</gallery>
<li>다이싱
<ol>
<li>판독IC: half cut (full cut 해도 될텐데...)
<li>MEMS 센서: 두 장의 실리콘 wafer을 서로 웨이퍼 본딩 후, 뚜껑 웨이퍼 두께만 half cut 다이싱한 후, (뒤집어서?) full cut 다이싱
<ol>
<li>웨이퍼 본딩을 유리 frit 접착제로 해서 바로 블레이드 다이싱을 하면 깨지는 문제가 있는 듯.
</ol>
</ol>
</ol>
</ol>
</ol>
<li>뒤집어 다시 잘랐다.(추정)
<ol>
<li> [[BT모듈]]
<ol>
<li>2008.04 출시 Motorola [[Z8m]] 슬라이드 피처폰
<gallery>
image:z8m01_042.jpg | 0.4x0.2mm [[칩R]] 및 LTCC [[다이싱]] 방법
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>half-cut 후 부러뜨렸다.
<ol>
<li> [[TR6878]] DMM 정밀저항기에서
<gallery>
image:tr6878_026_003.jpg | [[다이싱]]은 half-cut
</gallery>
</ol>
<li>뒷면에서 half-cut 후 부러뜨렸다.
<ol>
<li>압전 저항 센싱 방식의 [[가속도]]
<ol>
<li>MEMSIC A2500G 모델. 진동막이 다이싱 때 깨지면 안되므로 웨이퍼 뒤면에서 다이싱하는 듯.
<gallery>
image:ibm_t40_112_012.jpg | 상당히 얇은 표면 층을 남겨두는 다이싱했다.
</gallery>
</ol>
</ol>
<li> [[LTCC 제품]] 중에서 에폭시 몰딩품에서
<ol>
<li>2008.04 출시 Motorola [[Z8m]] 슬라이드 피처폰 , [[SAW-모듈]]
<gallery>
image:z8m01_069_001.jpg
image:z8m01_069_002.jpg | LTCC는 레이저 [[천공]], 에폭시는 half-cut [[다이싱]] 후 부러뜨린 듯
</gallery>
<li>2008.04 출시 Motorola [[Z8m]] 슬라이드 피처폰 , [[SAW-모듈]]
<gallery>
image:z8m01_089.jpg
image:z8m01_090.jpg
image:z8m01_091.jpg
image:z8m01_092.jpg
image:z8m01_093.jpg | LTCC [[다이싱]] 방법
</gallery>
<li>2015.06 출시 [[LG-F570S]] LG Band Play 스마트폰
<gallery>
image:lg_f570s_037_001.jpg | 양면 half 다이싱
image:lg_f570s_037_002.jpg | 잘리지 않은 에폭시층을 부러뜨렸다.
</gallery>
<li> [[Rx 스위치+SAW 모듈]]
<ol>
<li>2011.02 출시 삼성 와이즈 [[SHW-A240S]] 폴더 피처폰
<gallery>
image:shw_a240s_013.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>실리콘 웨이퍼
<ol>
<li>Panasonic [[VP-7750A]] Wow Flutter 미터
<gallery>
image:vp_7750a_080.jpg | LM306H, high-speed voltage comparators
image:vp_7750a_084.jpg | NEC uPC157A, op amp.
</gallery>
<li>HP [[8112A]] 50 MHz pulse generator에서, 어떤 [[Tr]]에서
<gallery>
image:tr_metal03_004.jpg
image:tr_metal03_005.jpg
</gallery>
<li>인텔 8085 [[MCU]], 1985년 제조품에서. 당시 full dicing은 어려운 기술이었다.(?)
<gallery>
image:intel8085_01_001.jpg | 60% 깊이로 블레이드 휠 다이싱 후 부러뜨렸다.
image:intel8085_01_002.jpg
image:intel8085_01_003.jpg
</gallery>
<li> [[PIR]] 센서
<gallery>
image:pir_sw01_022_001.jpg | 길이 방향만 하프다이싱, 폭방향은 풀다이싱
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>