1.8x1.4 SAW 듀플렉서 - 편집 역사

Togotech: 새 문서: 1.8x1.4 SAW 듀플렉서

전자부품

SAW대문

SAW 듀플렉서

9.5x7.5 SAW 듀플렉서
5.0x5.0 SAW 듀플렉서
2025-05-30T12:40:21Z

새 문서: 1.8x1.4 SAW 듀플렉서 <ol> <li> 전자부품 <ol> <li> SAW대문 <ol> <li> SAW 듀플렉서 <ol> <li> 9.5x7.5 SAW 듀플렉서 <li> 5.0x5.0 SAW 듀플렉서 <li...

새 문서
1.8x1.4 SAW 듀플렉서
<ol>
<li> [[전자부품]]
<ol>
<li> [[SAW대문]]
<ol>
<li> [[SAW 듀플렉서]]
<ol>
<li> [[9.5x7.5 SAW 듀플렉서]]
<li> [[5.0x5.0 SAW 듀플렉서]]
<li> [[3.8x3.8 SAW 듀플렉서]]
<li> [[3.2x2.5 SAW 듀플렉서]]
<li> [[3.0x2.5 SAW 듀플렉서]]
<li> [[2.5x2.0 SAW 듀플렉서]]
<li> [[2.0x1.6 SAW 듀플렉서]]
<li> [[1.8x1.4 SAW 듀플렉서]] - 이 페이지
<li> [[1.55x1.15 SAW 듀플렉서]]
<li> [[1.4x1.1 SAW 듀플렉서]]
</ol>
</ol>
</ol>
<li>1.8x1.4mm
<ol>
<li>크기 비교 사진
<ol>
<li>9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
<ol>
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm
<gallery>
image:saw_dpx9575_02_012.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
<ol>
<li>Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual [[PAMiD]])?
<ol>
<li>모듈에서
<gallery>
image:iphone5s01_136_001.jpg
image:iphone5s01_136_001_001.jpg
</gallery>
<li>1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP [[SAW 듀플렉서]]
<gallery>
image:iphone5s01_136_001_002.jpg
image:iphone5s01_136_001_003.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>2016.01 출시 삼성 [[SM-A710S]] 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
<ol>
<li>[[PAM]] 옆에서, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:a710s01_075.jpg | 주변 매칭소자가 많다.
image:a710s01_076.jpg
image:a710s01_076_001.jpg | 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.
</gallery>
<li>몰딩 수지를 벗기면
<gallery>
image:a710s01_076_002.jpg
image:a710s01_076_003.jpg
</gallery>
<li>솔더 [[플립본딩]]된 다이를 [[알루미나 기판]]에서 분리하면
<gallery>
image:a710s01_076_004.jpg
image:a710s01_076_005.jpg
</gallery>
<li>다이
<gallery>
image:a710s01_076_006.jpg
image:a710s01_076_007.jpg
image:a710s01_076_008.jpg | 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um
image:a710s01_076_009.jpg
image:a710s01_076_010.jpg | [[TEG]] 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴
</gallery>
</ol>
<li>Sub 안테나 근처, Diversity-Rx SAW 모듈이 있는 PCB 반대면에
<ol>
<li>위치한 곳 및 외관
<gallery>
image:a710s01_005_003.jpg | 위치
image:a710s01_026.jpg | 1.8x1.4mm
</gallery>
<li>표면 상단 수지막을 벗기면
<gallery>
image:a710s01_027.jpg
image:a710s01_028.jpg | 다이 뒷면이 거칠지 않다.
image:a710s01_029.jpg | 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.
image:a710s01_030.jpg | [[EMC]]에서 둥근 실리카 필러 관찰
</gallery>
<li>[[알루미나 기판]]에서 다이 분리
<gallery>
image:a710s01_031.jpg
image:a710s01_032.jpg
image:a710s01_033.jpg | 구리 [[도금]]
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서, 7개 사용하는데,
<ol>
<li>Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP [[SMR]]-[BAW]] 참조
<li>Murata 1.55x1.15mm 한 개 (아래 참조)
<li>Taiyo Yuden 5개 - 1개 FBAR+SAW조합, 1개 [[사파이어]]접합, 3개 SAW
<ol>
<li>외관 측면
<gallery>
image:redmi_note4x_188_001.jpg | 두께가 다르다.
image:redmi_note4x_188_002.jpg | 금속이 세라믹보다 두꺼운 이유는 세라믹을 자른 후 도금을 했기 때문에다.
image:redmi_note4x_188_003.jpg | 잘린 세라믹 측면에 도금을 위해 연결된 전극이 보이지 않는다.
</gallery>
<li>주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
<gallery>
image:redmi_note4x_188.jpg
</gallery>
<li>701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
<ol>
<li>주파수 파형
<gallery>
image:redmi_note4x_189.png | 2535MHz
</gallery>
<li> [[주파수온도계수]]
<li>다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
<ol>
<li>SAW + BAW 조합이다.
<gallery>
image:redmi_note4x_189_021.jpg
image:redmi_note4x_189_022.jpg | Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.
</gallery>
<li>F-BAR baw 필터
<gallery>
image:redmi_note4x_189_023.jpg | W868-08
image:redmi_note4x_189_024.jpg | 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함
</gallery>
<li>공진기 #1~#6
<gallery>
image:redmi_note4x_189_025.jpg | #1
image:redmi_note4x_189_026.jpg | #2
image:redmi_note4x_189_027.jpg | #3
image:redmi_note4x_189_028.jpg | #4
image:redmi_note4x_189_029.jpg | #5
image:redmi_note4x_189_030.jpg | #6
</gallery>
<li>Rx saw 필터
<gallery>
image:redmi_note4x_189_031.jpg | W1895-14
image:redmi_note4x_189_032.jpg | 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
<ol>
<li>주파수 파형
<gallery>
image:redmi_note4x_190.png | 1877MHz
</gallery>
<li>땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
<gallery>
image:redmi_note4x_190_001.jpg
</gallery>
<li>[[사파이어]]+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.
<gallery>
image:redmi_note4x_190_002.jpg | [[탄화텅스텐]]에 긁히지 않는 것으로 보아 [[사파이어]] 맞다.
image:redmi_note4x_190_003.jpg
image:redmi_note4x_190_004.jpg | LT두께 20um+[[사파이어]]두께 250um, 레이저 펀칭7번, 간격 약 27um
</gallery>
<li>다이를 뜯어냄
<gallery>
image:redmi_note4x_190_005.jpg | 밀어보니, 레이저 다이싱에 문제가 있어, [[사파이어]]가 깨진다.
image:redmi_note4x_190_006.jpg
</gallery>
<li>Rx
<gallery>
image:redmi_note4x_190_007.jpg | X077-22
image:redmi_note4x_190_008.jpg | 주기:1.98um x 1960MHz = 3880m/sec
</gallery>
<li>Tx:1880MHz
<ol>
<li>전체
<gallery>
image:redmi_note4x_190_009.jpg | X019-21
image:redmi_note4x_190_009_001.jpg | 배율을 달리해서 찍음. 밝고 어두움으로 전극폭이 다르다는 것을 확인하기 위해
</gallery>
<li>withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.
<gallery>
image:redmi_note4x_190_009_002.jpg | 굵은 전극이 궁금해서
image:redmi_note4x_190_010.jpg | 주기:2.10um x 1880MHz = 3950m/sec
image:redmi_note4x_190_010_001.jpg | 굵은 전극 형태
</gallery>
<li>90도로 배열된 C패턴
<gallery>
image:redmi_note4x_190_011.jpg
image:redmi_note4x_190_012.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>7A4, LTE Band1
<ol>
<li>주파수 파형
<gallery>
image:redmi_note4x_191.png | 1950MHz
</gallery>
<li>전체
<gallery>
image:redmi_note4x_191_001.jpg
image:redmi_note4x_191_002.jpg
</gallery>
<li>Rx
<gallery>
image:redmi_note4x_191_003.jpg | Rx 다이, V8151-31
image:redmi_note4x_191_004.jpg | Rx 어느 패턴에서 주기: 1.865um 2140MHz 쏘속도 3990m/sec
</gallery>
<li>Tx
<gallery>
image:redmi_note4x_191_005.jpg | Tx 다이
image:redmi_note4x_191_006.jpg | Tx 어느 패턴에서 주기: 1.949um 1950MHz 쏘속도 3800m/sec
image:redmi_note4x_191_007.jpg | 우측 상단, 90도 돌아간 C전용 패턴에서 주기: 1.695um
image:redmi_note4x_191_008.jpg | 좌측 하단, 90도 돌아간 C전용 직렬 패턴에서 주기:1.65um. 굳이 직렬로 C를 만들 이유는 내전압 때문이다. (칩 위아래로만 초전이 발생되므로 길게 연결된 패턴 때문에)
</gallery>
</ol>
<li>7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
<ol>
<li>주파수 파형
<gallery>
image:redmi_note4x_192.png | 897.5MHz
</gallery>
<li>다이 내부
<gallery>
image:redmi_note4x_192_001.jpg | 트위저로 금속 뚜껑을 누르면서 작업했는데 다이가 깨져 있다. 리드와 다이 뒷면이 붙어 있지 않다.
image:redmi_note4x_192_002.jpg | 풀칠
image:redmi_note4x_192_003.jpg | 풀칠 수
image:redmi_note4x_192_004.jpg | 다이 분리
image:redmi_note4x_192_005.jpg | 다이
image:redmi_note4x_192_006.jpg | Rx 다이, 주기: 4.12um 942.5MHz 3880m/sec
image:redmi_note4x_192_007.jpg | Tx 다이, 주기: 4.28um 897.5MHz 3840m/sec
</gallery>
</ol>
<li>7E4, LTE Band5
<ol>
<li>주파수 파형
<gallery>
image:redmi_note4x_193.png | 836.5MHz
</gallery>
<li>다이 내부
<gallery>
image:redmi_note4x_193_001.jpg | 다이 뒷면 밝기가 달리 보인다.
image:redmi_note4x_193_002.jpg | 다이를 작게 할 수 없어, 벽이 얇아졌다.
image:redmi_note4x_193_003.jpg
image:redmi_note4x_193_004.jpg | 기판 전극표면이 비교적 평탄하다.
image:redmi_note4x_193_005.jpg | 본딩이 쉽게 떨어진다.(그렇게 플립본딩한 듯)
image:redmi_note4x_193_006.jpg | Rx 881.5MHz, 주기: 4.46um (쏘속도 3930m/sec)
image:redmi_note4x_193_007.jpg | Tx 836.5MHz, 어느 전극에서, 위쪽 주기 4.60um, 아래쪽 주기 4.58um (쏘속도 3850m/sec)
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>
<li>2017.06 출시 LG 폴더 [[LM-Y110S]] 피처폰
<ol>
<li> [[SAW 듀플렉서]] 1, 엡코스, 8EB 마킹, 1.8x1.4mm, Band 1 Tx/Rx=1950/2140
<gallery>
image:lm_y110s_023_002.jpg
image:lm_y110s_023_002_001.jpg | AA59E. 22
image:lm_y110s_023_002_002.jpg | Rx 주기 1.85um x 2140MHz라면 3950m/sec
</gallery>
<li> [[SAW 듀플렉서]] 2, 무라타, WAN 마킹, 1.8x1.4mm, Band 3 Tx/Rx=1747.5/1842.5
<gallery>
image:lm_y110s_023_003.jpg
image:lm_y110s_023_003_001.jpg | Rx필터, ET49-A1
image:lm_y110s_023_003_002.jpg | 주기 2.15um x 1747.5MHz라면 3750m/sec
image:lm_y110s_023_003_003.jpg | Tx필터, ET99 -A1
image:lm_y110s_023_003_004.jpg | 주기 1.99um x 1842.5MHz라면 3650m/sec
</gallery>
<li> [[SAW 듀플렉서]] 3, Taiyo-Yuden, 7G6 마킹, 1.8x1.4mm, Band 8 Tx/Rx=897.5/942.5
<gallery>
image:lm_y110s_023_004.jpg
image:lm_y110s_023_005_001.jpg | Tx: X666-05, Rx: X668-04 다이크기 비교
image:lm_y110s_023_005_002.jpg | Tx 주기 4.32um 880MHz라면 3800m/sec
image:lm_y110s_023_005_003.jpg | Rx 주기 4.19um 942.5MHz라면 3950m/sec
</gallery>
<li> [[SAW 듀플렉서]] 4, 엡코스, 8DJ 마킹, 1.8x1.4mm, Band 5 Tx/Rx=836.5/881.5
<gallery>
image:lm_y110s_023_004.jpg
image:lm_y110s_023_004_001.jpg | AG69B.
image:lm_y110s_023_004_002.jpg | 주기 4.50um x 881.5MHz라면 3950m/sec
image:lm_y110s_023_004_003.jpg | 주기 4.84um x 836.5MHz라면 4050m/sec
</gallery>
</ol>
<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
<ol>
<li>#11, Kyocera, K202 마킹
<ol>
<li>참고 Kyocera SD18 시리즈에서
<ol>
<li>SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
<li>Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
</ol>
<li>불에 태워서
<gallery>
image:redmi_note6pro_013_011_001.jpg
</gallery>
<li>T(Tx로 추정) B20 601 마킹
<gallery>
image:redmi_note6pro_013_011_002.jpg
image:redmi_note6pro_013_011_003.jpg
</gallery>
<li>R(Rx로 추정) B20 722 마킹
<gallery>
image:redmi_note6pro_013_011_004.jpg
image:redmi_note6pro_013_011_005.jpg
</gallery>
<li>의견
<ol>
<li>처음보는 [[HTCC]] 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
<li>타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
<li>보호막이 없다고 생각됨.
<li>솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
</ol>
</ol>
<li>#10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
<gallery>
image:redmi_note6pro_013_010_001.jpg | [[사파이어]]+LT 접합 웨이퍼로 만든 두 개의 SAW 필터 다이를 붙였다.
image:redmi_note6pro_013_010_002.jpg | 얇은 LT가 깨져 세라믹 기판에 붙어 있다.
image:redmi_note6pro_013_010_003.jpg | Y199-23 얇은 LT가 깨졌다.
image:redmi_note6pro_013_010_004.jpg | Y196-09
</gallery>
<li>#12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
<gallery>
image:redmi_note6pro_013_012_001.jpg
image:redmi_note6pro_013_012_002.jpg
image:redmi_note6pro_013_012_003.jpg | [[사파이어]]+LT 접합 다이, X857 -06
</gallery>
<li>#13, Murata, GY35-A1
<gallery>
image:redmi_note6pro_013_013_001.jpg | 불에 태워서
image:redmi_note6pro_013_013_002.jpg | 본딩된 전극 손상이 크다. [[SAW필터에서 초전성]]
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>