2.0x1.6 SAW 듀플렉서 - 편집 역사

Togotech: 새 문서: 2.0x1.6 SAW 듀플렉서

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2025-05-30T12:39:53Z

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2.0x1.6 SAW 듀플렉서
<ol>
<li> [[전자부품]]
<ol>
<li> [[SAW대문]]
<ol>
<li> [[SAW 듀플렉서]]
<ol>
<li> [[9.5x7.5 SAW 듀플렉서]]
<li> [[5.0x5.0 SAW 듀플렉서]]
<li> [[3.8x3.8 SAW 듀플렉서]]
<li> [[3.2x2.5 SAW 듀플렉서]]
<li> [[3.0x2.5 SAW 듀플렉서]]
<li> [[2.5x2.0 SAW 듀플렉서]]
<li> [[2.0x1.6 SAW 듀플렉서]] - 이 페이지
<li> [[1.8x1.4 SAW 듀플렉서]]
<li> [[1.55x1.15 SAW 듀플렉서]]
<li> [[1.4x1.1 SAW 듀플렉서]]
</ol>
</ol>
</ol>
<li>2.0x1.6mm
<ol>
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
<ol>
<li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]]
<ol>
<li>메인보드에서
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image:iphone5s01_136_005.jpg | Epcos 2016 도금타입 CSP
image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
</gallery>
<li>CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
<gallery>
image:iphone5s01_136_005_002.jpg
</gallery>
<li>Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP [[SAW 듀플렉서]]
<gallery>
image:iphone5s01_136_005_003.jpg
image:iphone5s01_136_005_004.jpg | 위에서 볼 때
image:iphone5s01_136_005_005.jpg
image:iphone5s01_136_005_006.jpg | 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.
image:iphone5s01_136_005_007.jpg | AISGC 또는 AI56C
image:iphone5s01_136_005_008.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>2013.11 출시 삼성 [[SHW-A305D]] 폴더 피처폰
<ol>
<li>xA 마킹, 무라타 듀플렉서 2.0x1.6mm, US-PCS DPX, 1880/1960MHz
<gallery>
image:shw_a305d_013_005_002.jpg | 유기물 기판만 벗겨보면
image:shw_a305d_013_005_003.jpg | BE42-AAAA1, BE09-A2
image:shw_a305d_013_005_004.jpg | 주기 1.84um Tx 1880MHz 이므로 3460m/sec (TC SAW이므로 속도가 늦다.)
image:shw_a305d_013_005_005.jpg | 주기 1.86um Rx 1960MHz 이므로 3659m/sec
</gallery>
</ol>
<li>2014.07 제조 [[LG-F460S]] LG G3 Cat.6 스마트폰
<ol>
<li>전체
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image:lg_f460s_010.jpg | #1~#26 위치
image:lg_f460s_015.jpg | 왼쪽 2.0x1.6mm (유사크기) 5개 모두가 [[SAW 듀플렉서]]인듯
</gallery>
<li>#4 2.0x1.6mm [[SAW 듀플렉서]]
<ol>
<li>보라색 [[알루미나 기판]] 위에 [[전기도금 주조]]로 만든 [[PCB-L]] 인덕터가 보인다.
<gallery>
image:lg_f460s_015_001_001.jpg | 왼쪽 DPX는 다이 뒷면이 거칠어 뿌였다. 오른쪽이 이번 분석품으로 다이가 투명하다. 투명한 다이 아래로 인덕터가 보인다.
image:lg_f460s_015_001_002.jpg | 다이를 뜯어보면, 인덕터 4개가 보인다.
image:lg_f460s_015_001_003.jpg | 왼쪽 DPX 다이도 경사지게 사진찍으면 투명하게 보인다. 인덕터 두께
</gallery>
<li>다이 AC09B
<gallery>
image:lg_f460s_015_001_004.jpg | 위쪽은 Rx 패턴, 아래는 Tx 패턴
</gallery>
<li>IDT 패턴
<gallery>
image:lg_f460s_015_001_005.jpg
image:lg_f460s_015_001_006.jpg | 주기 1.87um, ~2.1GHz
image:lg_f460s_015_001_008.jpg | apodized IDT
</gallery>
<li> [[IC 표식]]에서 레이어 공정 표식(5-layer인듯) 및 [[광학 해상도 차트]]
<gallery>
image:lg_f460s_015_001_007.jpg
image:lg_f460s_015_001_009.jpg | 이 회사 [[포토마스크]] CAD 프로그램은 구멍 뚫린 폰트 적용은 허용 안되는 듯.
</gallery>
</ol>
<li>#5 2.0x1.6mm [[SAW 듀플렉서]]
<gallery>
image:lg_f460s_015_001_001.jpg | 왼쪽 다이가 해당된다.
</gallery>
<li>#6, 2.0x1,6mm, HTCC [[SAW 듀플렉서]]
<gallery>
image:lg_f460s_015_007_001.jpg | 무라타 DY89A1
image:lg_f460s_015_007_002.jpg | 마주보는 전극이 녹는 곳과 녹지 않는 곳이 나누어진다.
image:lg_f460s_015_007_003.jpg | 전극면적이 작은곳이 녹지 않는다.
</gallery>
<li>#8 2.0x1.6mm [[SAW 듀플렉서]], 무라타 제조
<ol>
<li>기판 뒷면에서
<gallery>
image:lg_f460s_015_003_001.jpg | 솔더링 패드를 제거하고(PCB 동박 1층을 제거한 후). 많은 비아는 모두 접지와 연결되는 [[실드 비아]]이다.
image:lg_f460s_015_003_002.jpg | 쏘필터 패턴이 보일 때까지 PCB를 깍아보면. 4층 PCB를 사용
</gallery>
<li>Tx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
<gallery>
image:lg_f460s_015_003_003.jpg
image:lg_f460s_015_003_004.jpg | 시간당 온도차이가 커져 [[ESD 손상]]
image:lg_f460s_015_003_005.jpg | [[ESD 손상]]
</gallery>
<li>Rx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
<gallery>
image:lg_f460s_015_003_006.jpg | 유기물 코팅으로 3차원 배선용 절연막으로 사용했다.
image:lg_f460s_015_003_007.jpg | DMS 패턴 부근에서, 저항을 낮추기 위한 두꺼운 배선 형태
</gallery>
</ol>
<li>#14 2.0x1.6mm [[SAW 듀플렉서]], 무라타 제조
<gallery>
image:lg_f460s_015_014_001.jpg | Rx, CN72A1, 금속 총면적이 작은 곳은 멀쩡한다.
image:lg_f460s_015_014_002.jpg | Tx, 여기서 맨 아래 왼쪽을 보면
image:lg_f460s_015_014_003.jpg | 금속 총면적이 작은 곳(위쪽 IDT)은 비교적 멀쩡한다.
</gallery>
</ol>
<li>2015.06 출시 [[LG-F570S]] LG Band Play 스마트폰
<ol>
<li>#5, 마킹 PMKY
<ol>
<li>가장 오른쪽, 와이솔 제품
<gallery>
image:lg_f570s_040.jpg
</gallery>
<li> [[알루미나 기판]]
<gallery>
image:lg_f570s_040_007.jpg | 왼쪽이 Tx, 오른쪽이 Rx
</gallery>
<li> [[SAW 듀플렉서]]
<gallery>
image:lg_f570s_040_008.jpg
image:lg_f570s_040_009.jpg | Tx 다이, X836AZ2 Tx MP3 PDC
image:lg_f570s_040_010.jpg
image:lg_f570s_040_011.jpg | Rx 다이, X836AZ2 Rx MP4 PDC
</gallery>
</ol>
<li>#6, [[SAW 듀플렉서]] 2.0x1.6mm, 마킹 kA? 4A, PCB 기판
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:lg_f570s_040.jpg
</gallery>
<li>다이1
<gallery>
image:lg_f570s_040_001.jpg | CY40-A2
image:lg_f570s_040_002.jpg | [[IC 표식]] 山, 한자 메 산, 일본발음 야마
image:lg_f570s_040_003.jpg | 주기: 1.90um 3900msec 라면 2053MHz, 직렬만 이렇게 설계된 듯
image:lg_f570s_040_004.jpg | 병렬 레조네이터에만 이렇게 설계된 듯
</gallery>
<li>다이2
<gallery>
image:lg_f570s_040_005.jpg | DH90-A2
image:lg_f570s_040_006.jpg | 주기 1.78um 3900m/sec라면 2190MHz, 모든 IDT가 이렇게 설계됨.
</gallery>
</ol>
<li>#7, [[SAW 듀플렉서]] 2.0x1.6mm, 마킹 WAd @2M
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:lg_f570s_040.jpg | 왼쪽에서 두 번째, 세라믹 기판 사용품
</gallery>
<li>SAW 다이1
<gallery>
image:lg_f570s_040_021.jpg | DW71-A1
image:lg_f570s_040_022.jpg | x150 대물렌즈, 주기 1.99um 3900m/s라면 중심주파수는 1960MHz
</gallery>
<li>SAW 다이2
<gallery>
image:lg_f570s_040_023.jpg
image:lg_f570s_040_024.jpg | x100 대물렌즈에서, 주기 2.14um 속도 3900m/sec라면 중심주파수는 1822MHz
</gallery>
</ol>
<li>#8, [[SAW 듀플렉서]] 2.0x1.6mm, 마킹 mAb 4Q
<ol>
<li>외형
<gallery>
image:lg_f570s_040.jpg | 왼쪽, PCB 기판
</gallery>
<li>Tx 다이
<gallery>
image:lg_f570s_040_012.jpg | DQ56-A1
image:lg_f570s_040_016.jpg | 주기 1.972um, 탭 폭이 넓다.
</gallery>
<li>Rx 다이
<gallery>
image:lg_f570s_040_013.jpg | CU40-A2
image:lg_f570s_040_014.jpg | [[정전기]] 파괴 패턴, 오른쪽 lateral IDT가 더 많고 withdrawl 전극 1개 있다.
image:lg_f570s_040_015.jpg | 주기 1.835um
</gallery>
<li> [[와이어본딩]] 기술처럼, 플립본딩된 범프볼 관찰
<gallery>
image:lg_f570s_040_017.jpg | 다이, 기판
image:lg_f570s_040_018.jpg | 다이를 바라볼 때 / 패키지를 바라볼 때
image:lg_f570s_040_019.jpg | 패키지를 바라볼 때
</gallery>
<li>도금용 [[타이바]]가 없는 [[유기물기판]]이다.
<gallery>
image:lg_f570s_040_020.jpg | 4층 무전해도금 PCB
</gallery>
</ol>
<li>#9, [[SAW 듀플렉서]] 2.0x1.6mm DPX, 마킹 7T0 91\, Epcos, 구리 기둥 제품
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:lg_f570s_041.jpg
</gallery>
<li>다이
<gallery>
image:lg_f570s_041_001.jpg | 4각형 가장자리 프레임 벽이 있고, 가운데에 구리기둥 3개 있다. 다이를 손톱으로 누르면 쉽게 깨진다. (다이가 얇기 때문이다.)
image:lg_f570s_041_002.jpg
image:lg_f570s_041_003.jpg | 다이에서 만든 것이 아니라, 패키지에 만든 기둥이다. 다이와 접촉한다.
image:lg_f570s_041_004.jpg | AF92B(거울대칭으로 처리함)
image:lg_f570s_041_005.jpg | 주기 2.08um (~1875MHz)
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>한국 SK텔레콤용 [[포켓WiFi]]에서 사용된 무라타 850/1800MHz
<ol>
<li>2.0x1.6mm 1800MHz용
<ol>
<li>외형
<gallery>
image:mobile_router01_017.jpg
</gallery>
<li>내부
<gallery>
image:mobile_router01_017_001.jpg | 왼쪽 Tx, 오른쪽 Rx
image:mobile_router01_017_002.jpg | Rx 아래 - 밸런스 출력
</gallery>
<li>Rx 칩
<gallery>
image:mobile_router01_017_003.jpg
image:mobile_router01_017_004.jpg
image:mobile_router01_017_005.jpg
image:mobile_router01_017_006.jpg | interdigitated C(IDT C)
image:mobile_router01_017_007.jpg | 절연
image:mobile_router01_017_008.jpg
</gallery>
<li>Tx 칩에서
<gallery>
image:mobile_router01_017_009.jpg
image:mobile_router01_017_010.jpg
</gallery>
<li>칩에서 범프볼(와이어가 길게 존재함)
<ol>
</ol><gallery>
image:mobile_router01_017_011.jpg
</gallery>
<li>2.0x1.6mm 850MHz용
<ol>
<li>외형
<gallery>
image:mobile_router01_018.jpg
</gallery>
<li>Rx 칩
<gallery>
image:saw_dpx2016_01_001.jpg
image:saw_dpx2016_01_003.jpg
image:saw_dpx2016_01_007.jpg
</gallery>
<li>Tx 칩
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image:saw_dpx2016_01_002.jpg
image:saw_dpx2016_01_004.jpg
image:saw_dpx2016_01_005.jpg
image:saw_dpx2016_01_006.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
<ol>
<li>#09, Epcos
<gallery>
image:redmi_note6pro_013_009_001.jpg
image:redmi_note6pro_013_009_002.jpg
image:redmi_note6pro_013_009_003.jpg | 직렬 6폴 패턴
image:redmi_note6pro_013_009_004.jpg | 오염 물질
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</ol>
</ol>
</ol>