2.5x2.0 SAW 듀플렉서 - 편집 역사

Togotech: 새 문서: 2.5x2.0 SAW 듀플렉서

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9.5x7.5 SAW 듀플렉서
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2025-05-30T12:39:23Z

새 문서: 2.5x2.0 SAW 듀플렉서 <ol> <li> 전자부품 <ol> <li> SAW대문 <ol> <li> SAW 듀플렉서 <ol> <li> 9.5x7.5 SAW 듀플렉서 <li> 5.0x5.0 SAW 듀플렉서 <li...

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2.5x2.0 SAW 듀플렉서
<ol>
<li> [[전자부품]]
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<li> [[SAW대문]]
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<li> [[SAW 듀플렉서]]
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<li> [[9.5x7.5 SAW 듀플렉서]]
<li> [[5.0x5.0 SAW 듀플렉서]]
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<li> [[3.2x2.5 SAW 듀플렉서]]
<li> [[3.0x2.5 SAW 듀플렉서]]
<li> [[2.5x2.0 SAW 듀플렉서]] - 이 페이지
<li> [[2.0x1.6 SAW 듀플렉서]]
<li> [[1.8x1.4 SAW 듀플렉서]]
<li> [[1.55x1.15 SAW 듀플렉서]]
<li> [[1.4x1.1 SAW 듀플렉서]]
</ol>
</ol>
</ol>
<li>2.5x2.0mm
<ol>
<li>와이솔
<ol>
<li>2010/10 삼성 [[GT-B6520]] 휴대폰에서
<ol>
<li>위치
<gallery>
image:gt_b6520_012.jpg | SAW 부품 1,2,3,4,5,6 위치
</gallery>
<li>2번 [[SAW 듀플렉서]] 2.5x2.0mm, 와이솔 제품
<gallery>
image:gt_b6520_016.jpg | 칩 두께가 서로 다르다.
image:gt_b6520_016_001.jpg | XG50PD5-MP6 Rx HJD
image:gt_b6520_016_002.jpg | XG50PD5-MP? Tx HJD
</gallery>
<li>3번 [[SAW 듀플렉서]] 2.5x2.0mm, 와이솔(?) 제품
<gallery>
image:gt_b6520_017.jpg | 칩 두께가 서로 다르다.
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>Epcos
<ol>
<li>2011.02 출시 삼성 와이즈 [[SHW-A240S]] 폴더 피처폰
<ol>
<li>W-CDMA Band1(1950/2140MHz), Epcos 제조, 모델명 B7696(B39212B7696M810)
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:shw_a240s_013.jpg | 왼쪽에 있는 모자형태 패키지. 가장자리에 접지 비아가 많다. 18+14+4=36개
</gallery>
<li>은전극을 사용한 [[LTCC 제품]]으로, 솔더 [[플립본딩]]되어 있다.
<gallery>
image:shw_a240s_013_001.jpg | 은전극 기둥인 [[접지]] 비아가 쉽게 뽑힌다.
</gallery>
<li>SAW 다이
<gallery>
image:shw_a240s_013_002.jpg | LR81H 마킹, Bevel cut 때문에 가장자리에 검은 테두리가 보인다.
image:shw_a240s_013_003.jpg | Rx파트 주기: 1.84um 2140MHz라면 3940m/sec
image:shw_a240s_013_004.jpg | Tx파트 주기: 1.98um 1950MHz라면 3860m/sec
</gallery>
<li> [[다이싱]]은 Bevel cut
<gallery>
image:shw_a240s_013_005.jpg
image:shw_a240s_013_006.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]]
<ol>
<li>칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:shv_e210k_058.jpg
image:shv_e210k_059.jpg | 레이저 마킹 판독성을 높이깅 위해 검정 니켈 [[도금]]
</gallery>
<li> [[LTCC 시트]]
<gallery>
image:shv_e210k_060.jpg | SAW 다이가 있을 때. 접지 비아가 무척 많다.
image:shv_e210k_060_000.jpg | SAW 다이를 제거한 후
</gallery>
<li>다이 패턴
<gallery>
image:shv_e210k_060_001.jpg | 솔더볼
image:shv_e210k_060_002.jpg | 정전기로 파괴된 3군데 확대 영역
</gallery>
<li>[[정전기]] 파괴 영역1
<gallery>
image:shv_e210k_060_003.jpg
image:shv_e210k_060_004.jpg
image:shv_e210k_060_005.jpg
image:shv_e210k_060_006.jpg | 주기 2.33um, 3900m/s라면 약 1675MHz
</gallery>
<li>[[정전기]] 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
<gallery>
image:shv_e210k_060_007.jpg
image:shv_e210k_060_008.jpg
</gallery>
<li>[[정전기]] 파괴 영역3
<gallery>
image:shv_e210k_060_009.jpg
</gallery>
<li> [[다이싱]], V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.)
<gallery>
image:shv_e210k_060_010.jpg
image:shv_e210k_060_011.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>
<li>무라타
<ol>
<li>2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 [[SCH-B8850D]] , 2.5x2.0mm, 마킹 DP S24, J-CDMA(851, 906)로 추정
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:sch_b8850d_020.jpg
image:sch_b8850d_020_000.jpg | ㄷ자 패턴으로 L 형성
</gallery>
<li>다이1
<gallery>
image:sch_b8850d_020_001_001.jpg
image:sch_b8850d_020_001_002.jpg | 주기 4.18um, 906MHz라면 3790m/sec
</gallery>
<li>다이2
<gallery>
image:sch_b8850d_020_002_001.jpg
image:sch_b8850d_020_002_002.jpg | 주기 4.49um, 851MHz라면 3820m/sec
</gallery>
</ol>
<li>2009.12 출시 삼성 [[SPH-M8400]] 옴니아2 스마트폰
<ol>
<li>마킹 KN S22, US-PCS 1880/1960MHz로 추정. TC-SAW로 추정
<li>외관 및 2칩 플립본딩
<gallery>
image:sph_m8400_027.jpg
image:sph_m8400_028.jpg
</gallery>
<li>Rx 칩
<gallery>
image:sph_m8400_028_001_001.jpg | N307-C1
image:sph_m8400_028_001_002.jpg | 어느 IDT 주기 1.60um 1960MHz라면 3140m/sec
</gallery>
<li>Tx 칩
<gallery>
image:sph_m8400_028_002_001.jpg | N301-C1
image:sph_m8400_028_002_002.jpg | 어느 IDT 주기 1.92um 1880MHz라면 3610m/sec
</gallery>
</ol>
<li> [[3G통신모듈]]에서
<ol>
<li>한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작한 BPW-M100모듈
<ol>
<li>통신모듈
<gallery>
image:3g_module01_014.jpg | RF 면
image:3g_module01_025.jpg | QSC6240
</gallery>
<li>외관
<gallery>
image:3g_module01_017.jpg
image:3g_module01_018.jpg
</gallery>
<li>에폭시를 제거하면
<gallery>
image:saw_dpx2520_01_001.jpg | Rx, Tx
image:saw_dpx2520_01_002.jpg | Tx 칩이 더 얇다. 먼저 본딩했다.
</gallery>
<li>칩 뜯는 방법
<gallery>
image:saw_dpx2520_01_003.jpg | 위로 올라가지 않게 위에서 누른다.
image:saw_dpx2520_01_004.jpg | 칼날을 밀어 넣기 전
image:saw_dpx2520_01_005.jpg | 칼날을 밀어 넣은 후
</gallery>
<li>패키지와 칩. Tx칩은 큰 내전력이 요구되므로, Rx칩과 공정이 달라, 표면 구조가 다르기 때문에 다른 빛깔로 관찰된다.
<gallery>
image:saw_dpx2520_01_006.jpg
</gallery>
<li>Rx 칩. 아래 중앙이 Ant, 아래 좌우가 diffential out(좌우 대칭)
<gallery>
image:saw_dpx2520_01_007.jpg | 왼쪽 육교 패턴 일부는 높아서, 칼에 의해 잘린 흔적이 보인다.
image:saw_dpx2520_01_011.jpg
image:saw_dpx2520_01_012.jpg
image:saw_dpx2520_01_013.jpg
image:saw_dpx2520_01_015.jpg | 정렬키와 (갈색)보호막
</gallery>
<li>Tx 칩
<gallery>
image:saw_dpx2520_01_008.jpg | Tx
image:saw_dpx2520_01_008_001.png | 1폴 공진기로 등가회로
image:saw_dpx2520_01_009.jpg
image:saw_dpx2520_01_010.jpg
image:saw_dpx2520_01_014.jpg | probing 바늘 자국. 밀리지 않아 거의 원형이다.
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>
<li>Triquint
<ol>
<li>CDMA 1x EV-DO USB Modem
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:3g_module03_003.jpg
image:3g_module03_003_017.png
image:3g_module03_003_001.jpg
</gallery>
<li>Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
<gallery>
image:3g_module03_003_008.jpg
image:3g_module03_003_009.jpg
image:3g_module03_003_010.jpg
image:3g_module03_003_011.jpg
image:3g_module03_003_012.jpg
image:3g_module03_003_014.jpg | Tx필터 813077C AC
image:3g_module03_003_015.jpg | Rx필터 813256
image:3g_module03_003_016.jpg | 정전기 방지용, 저항 쇼트 패턴
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</ol>
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