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Togotech: 새 문서: DRAM

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전자부품

메모리

ROM

PROM
EEPROM
Flash Memory, Flash
UV-EPROM
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새 문서: DRAM <ol> <li>링크 <ol> <li> 전자부품 <ol> <li> 메모리 <ol> <li> ROM <ol> <li> PROM <li> EEPROM <li> Flash Memory, Flash <li> UV-EPROM </ol> <...

새 문서

DRAM
<ol>
<li>링크
<ol>
<li> [[전자부품]]
<ol>
<li> [[메모리]]
<ol>
<li> [[ROM]]
<ol>
<li> [[PROM]]
<li> [[EEPROM]]
<li> [[Flash Memory]], [[Flash]]
<li> [[UV-EPROM]]
</ol>
<li> [[RAM]]
<ol>
<li> [[DRAM]]
<li> [[SRAM]]
<li> [[FRAM]]
<li> [[메모리모듈]], [[DIMM]]
</ol>
</ol>
</ol>
</ol>
<li>DRAM
<ol>
<li>ELPIDA B130ABC, 1Gb Mobile DDR2
<ol>
<li>트랜시버IC, GCT GDM7243S 에서
<gallery>
image:mobile_router01_011.jpg
</gallery>
<li>1차 질산에 넣어서
<gallery>
image:mobile_router01_024_002.jpg
image:mobile_router01_024_008.jpg | DRAM 와이어본딩이 양쪽이어서 한쪽으로 연결하기 위해 인터포저를 사용
</gallery>
<li>2차 질산에 넣어서
<gallery>
image:mobile_router01_024_012.jpg
image:mobile_router01_024_013.jpg | 칩 3개 크기 비교(아래 오른쪽 작은 칩은 TCXO용 AKM6617)
</gallery>
<li>DRAM 칩
<gallery>
image:mobile_router01_024_015.jpg
image:mobile_router01_024_016.jpg
image:mobile_router01_024_017.jpg | DRAM 최상위 금속층은 구리 배선으로 덮혀있다.
</gallery>
</ol>
<li>NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:slc460w_07_008.jpg
</gallery>
<li>분해시작
<gallery>
image:dram_nanya_1gb_001.jpg
image:dram_nanya_1gb_002.jpg | PCB 본딩 및 몰딩 방법
image:dram_nanya_1gb_003.jpg | 태우고
image:dram_nanya_1gb_004.jpg | 칼로 긁고
image:dram_nanya_1gb_005.jpg | 치약으로 닦고
</gallery>
<li>내부칩
<gallery>
image:dram_nanya_1gb_006.jpg
image:dram_nanya_1gb_007.jpg
image:dram_nanya_1gb_008.jpg
image:dram_nanya_1gb_009.jpg
image:dram_nanya_1gb_010.jpg
image:dram_nanya_1gb_011.jpg
image:dram_nanya_1gb_012.jpg
image:dram_nanya_1gb_013.jpg | 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>SDRAM
<ol>
<li>Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
<gallery>
image:ssd02_016.jpg
image:ssd02_017.jpg | 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
image:ssd02_018.jpg
image:ssd02_015.jpg
image:ssd02_019.jpg | on-line에서 해석안됨
</gallery>
<li>그래픽램, Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96 - [[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북에서
<ol>
<li>GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
<gallery>
image:lenovo_ideapad_065.jpg
image:lenovo_ideapad_066.jpg
</gallery>
<li>외관
<gallery>
image:lenovo_ideapad_069.jpg
image:lenovo_ideapad_069_001.jpg | 뜯으면
</gallery>
<li>패키지 분해
<gallery>
image:lenovo_ideapad_069_002.jpg | 다이, PCB, EMC 수지
image:lenovo_ideapad_069_003.jpg | PCB
image:lenovo_ideapad_069_004.jpg | BGA방식으로 접합된 다이
</gallery>
<li>PCB와 BGA로 연결된다. (즉, 와이어본딩이 아니다.)
<gallery>
image:lenovo_ideapad_069_005.jpg
image:lenovo_ideapad_069_006.jpg
image:lenovo_ideapad_069_007.jpg
image:lenovo_ideapad_069_008.jpg
</gallery>
<li>다이 마킹 K4B2G1646Q, 128Mx16=2Gbit DDR3L Q-die, 96-FBGA (패키지 마킹은 K4W- 로 서로 다르다.)
<gallery>
image:lenovo_ideapad_069_009.jpg | 2013, SAMSUNG K4B2G1646Q
</gallery>
</ol>
<li>[[내비게이션]]에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
<ol>
<li>하이닉스 Mobile DDR SDRAM와 삼성 NAND flash
<gallery>
image:ite1000_01_078.jpg
</gallery>
<li>두 회사 메모리를 동시에 질산에 넣은 후
<ol>
<li>Mobile용 IC란, 싸게 만들기 위해 EMC 특성(기계적강도, 열방출효과 등)이 낮고, 본딩와이어도 금 대신 구리(녹아 사라졌기 때문에)를 사용한다.
<li>하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
<ol>
<li>칩 전체
<gallery>
image:ite1000_01_078_001.jpg | 질산에서 꺼내
image:ite1000_01_078_002.jpg | 표면을 살짝 연마한 후
</gallery>
<li>4사분면
<gallery>
image:ite1000_01_078_003.jpg | DJC058C
</gallery>
<li>2사분면
<gallery>
image:ite1000_01_078_004.jpg
image:ite1000_01_078_005.jpg
</gallery>
<li>1사분면
<gallery>
image:ite1000_01_078_007.jpg
image:ite1000_01_078_008.jpg
image:ite1000_01_078_009.jpg
</gallery>
<li>상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
<gallery>
image:ite1000_01_078_010.jpg
</gallery>
</ol>
<li>삼성 K9F1208ROC 64M-8bit(64MB) NAND flash - 모바일용과 달리 EMC, 와이어가 녹지 않는다.
<ol>
<li>질산에 한 번
<gallery>
image:ite1000_01_078_011.jpg
image:ite1000_01_078_012.jpg
</gallery>
<li>질산에 더(두번째)
<gallery>
image:ite1000_01_078_013.jpg
</gallery>
<li>질산에 더(세번째)
<gallery>
image:ite1000_01_078_014.jpg | 6.50x6.15mm, 규칙배열이 가로 32개x4열=128열, 세로 128줄
image:ite1000_01_078_015.jpg | 64MB 용량 메모리 전체 면적이, 흰 박스 크기가 가로, 세로로 128개가 있다. 그러면 박스는 256kbit용량(=512x512bit = 64x64byte)이어야 한다.
image:ite1000_01_078_016.jpg
image:ite1000_01_078_017.jpg | 2006 SAMSUNG K9F1208R0C
image:ite1000_01_078_018.jpg | 삼성마크 길이: 59um, 수직 직선 배경 전극: 주기 0.80um, 전극폭 0.4um
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>
</ol>
</ol>

DRAM - 편집 역사

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