SMD타입 전류검출용R - 편집 역사

2023년 2월 6일 (월) 08:27에 Togotech님의 편집

2023-02-06T08:27:17Z

Togotech: 새 문서: SMD타입 전류검출용R

전자부품

RLC

저항

전류검출용R

SMD타입 전류검출용R - 이 페이지
2022-03-01T14:19:32Z

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새 문서
SMD타입 전류검출용R
<ol>
<li> [[전자부품]]
<ol>
<li> [[RLC]]
<ol>
<li> [[저항]]
<ol>
<li> [[전류검출용R]]
<ol>
<li> [[SMD타입 전류검출용R]] - 이 페이지
</ol>
</ol>
</ol>
</ol>
<li>구입품
<ol>
<li>LRMAP3920C-R001FT ,R002FT, 1m,2m오옴 1% 4,5W, 3.9x2.0mm
<ol>
<li>주문 2020/03/28일
<li>촬영 2020/09/22일 네스벨에서 모터전류 측정을 위해 개봉. 1m오옴
<gallery>
image:r_ultralow15_001.jpg | 1m, 5개, 2m, 10개 구입
image:r_ultralow15_002.jpg
image:r_ultralow15_003.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>발견
<ol>
<li>전류 위상 검출용
<ol>
<li>E5060A B-H/Z ANALYZER에서 test head
<gallery>
image:testhead01_017.jpg
image:testhead01_020.jpg | 40개 10오옴 = 0.25오옴
image:testhead01_021.jpg
</gallery>
</ol>
<li>KOA - NPR 시리즈, teal(청녹색) 마킹
<ol>
<li>데이터시트 - 2p
<li>Hitachi DMS-7A 압력계에서
<gallery>
image:dms7a200k_012.jpg | 배터리 충방전 회로에서
</gallery>
</ol>
<li>HMR 회사 , Copper-nickel(구리 60% + 니켈 40% 합금을 콘스탄탄 Constantan 이라한다.) 합금 또는 Fe-Cr 합금 재료라고 함.
<ol>
<li>LS 산전 인버터에서
<ol>
<li>LS산전, SV022iG5A-4
<gallery>
image:inverter4_004.jpg
image:inverter4_007.jpg
</gallery>
<li>LS산전, SV008iC5-2, in 200-230V 6.6A 3상 50/60Hz, out 0~input 5A 3상, 0.01~400Hz, 1HP 0.75kW(D), 16/02/14 사진
<gallery>
image:inverter2_010.jpg
</gallery>
</ol>
<li>측정-1, HP 34970A DMM 100.0000오옴이 최소저항 측정범위이므로, 0.010 저저항 측정에 문제가 된듯???????
<ol>
<li>실험 사진
<gallery>
image:temp_coeffi01_001.jpg | 전체 사진
image:temp_coeffi01_007.jpg
</gallery>
<li>온도특성 측정 엑셀
<gallery>
image:temp_coeffi01_007_001.png
image:temp_coeffi01_007_002.png | 예상치 못한 이상한 특성이 나옴.
</gallery>
</ol>
<li>측정-2, HP 3458A DMM (10오옴 범위에서 10mA 전류가 흐른다. 그러므로 0.01A x 0.01ohm=0.1mV를 측정한다.)
<ol>
<li>실험 사진
<gallery>
image:r_ultralow14_001.jpg
</gallery>
<li>온도특성 측정 엑셀
<gallery>
image:r_ultralow14_002.png | 온도 하강은 히터를 끄고 팬만 가동.
image:r_ultralow14_003.png | 그래도 이상하다. 주변 잡음이 들어오는 듯.
</gallery>
</ol>
<li>측정-3, 6612C 전원공급기로 1A 전류 흘리면서 HP 3458A로 V 측정 (1A x 0.01ohm=10mV를 측정한다. 측정 2보다 100배 측정 전압이 높다.)
<gallery>
image:r_ultralow14_004.png | 온도프로파일 - 천천히
image:r_ultralow14_005.png | 온도-저항
image:r_ultralow14_006.png | 온도계수 = +140ppm/'C (니크롬?)
</gallery>
</ol>
<li> [[충전 거치대]]
<ol>
<li>LG BL-53QH 배터리용으로 선린전자가 만든 BC-3500
<gallery>
image:charger_phone05_008.jpg | 전류 측정용 1.00오옴 저항 4개 병렬
</gallery>
</ol>
<li>배터리 팩에서
<ol>
<li>2010년 출시된 [[iPad A1337]], [[태블릿 컴퓨터]]에서
<gallery>
image:a1337_049.jpg | R010
image:a1337_050.jpg | 실측 0.01002Ω
</gallery>
<li>PCB에 Metal strip을 붙여서
<ol>
<li> Apple [[iPhone 5S]] 배터리팩에서
<ol>
<li>외관 (아마 대만 Cyntec 회사 제품으로 추정) ~0.025오옴 저항
<gallery>
image:iphone5s01_008_006.jpg
image:iphone5s01_008_007.jpg
</gallery>
<li>온도 특성 TCR 측정 엑셀 데이터
<gallery>
image:iphone5s01_008_008.jpg | 끼워 연결했다.
image:iphone5s01_008_013.png | 온도프로파일. 70도 도달한 후 오븐을 OFF해서 자연냉각을 함
image:iphone5s01_008_014.png | 측정 저항
image:iphone5s01_008_015.png | 온도계수 + 0.00123 인 금속(참고 98Cu2Ni 0.0014, 니크롬80 0.00011, 구리 0.00393, 은 0.0038)
</gallery>
<li>구조 - PCB에 금속판을 붙였다. 위쪽 더미 금속은 열팽창 때문에 휘는 것을 막기 위해(?)
<gallery>
image:iphone5s01_008_009.jpg
</gallery>
<li>[[레이저 트리밍]] 및 [[레이저 트리밍 시뮬레이션]]
<gallery>
image:iphone5s01_008_010.jpg
image:iphone5s01_008_011.jpg
image:iphone5s01_008_012.jpg
</gallery>
</ol>
</ol>
<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
<ol>
<li>배터리 보호 회로
<gallery>
image:redmi_note4x_177.jpg
image:redmi_note4x_178.jpg | FET 스위치, 뒷면은 비교적 두꺼운 금속 코팅 및 딱딱한 투명 수지로 도포함.(열방출 및 강도향상)
image:redmi_note4x_179.jpg | 전류감지용 저저항, FET 스위치, P-PTC 퓨즈
</gallery>
<li>분해
<gallery>
image:redmi_note4x_180.jpg
image:redmi_note4x_181.jpg | 그라인딩으로 저항값 트리밍
</gallery>
</ol>
<li>Metal strip 저항체 구조, IBM ThinkPad용 배터리 팩에서
<ol>
<li>08K8198, 10.8V 6.6AH
<ol>
<li>17/07/18 온도 특성 측정 엑셀 데이터 +100ppm/'C 라면 80Ni,20Cr으로 추측
<gallery>
image:r_ultralow02_000_001.png | DMM 측정
image:r_ultralow02_000_002.png | 샘플이 오븐벽에 닿아서
image:r_ultralow02_000_003.png | 열처리전
image:r_ultralow02_000_004.png | 열처리후
</gallery>
<li>사진
<gallery>
image:notebook01_004.jpg
image:notebook01_011.jpg
image:r_ultralow02_001.jpg
image:r_ultralow02_002.jpg
image:r_ultralow02_003.jpg | 0.010 나온다.
image:r_ultralow02_004.jpg | 트리밍
</gallery>
</ol>
<li>08K8193, 10.8V 4.4AH (표준)
<gallery>
image:notebook03_007.jpg | 전류 측정 저항
</gallery>
</ol>
<li>Metal strip 저항체 구조, Fusitsu 노트북 E8410 배터리 팩에서, product no:FPCBP176 14.4V 5200mAh(74Wh) P/N CP335284-01
<gallery>
image:notebook02_002.jpg
image:notebook02_008.jpg
image:notebook02_010.jpg | 5mohm
image:r_ultralow04_001.jpg
image:r_ultralow04_002.jpg | 와이어커팅
image:r_ultralow04_003.jpg | 프레싱
</gallery>
<li>아무런 트리밍을 하지 않는 것처럼 보임 - 프레스금형으로 저항값을 맞추고, 일부표면,측면에서 미세하게 트리밍할 것으로 추측
<ol>
<li>[[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북, 산요 배터리팩에서
<gallery>
image:lenovo_ideapad_026_001.jpg | 페인트를 벗기면
image:lenovo_ideapad_026_002.jpg | 아래, 전극사이 연녹회색 절연체도 페인트
image:lenovo_ideapad_026_003.jpg | 측면 표면만 살짝 갈아내어
image:lenovo_ideapad_026_004.jpg | 9.7m오옴
image:lenovo_ideapad_026_005.jpg | 어떻게 트리밍할까? 트리밍한 흔적이 없다.
image:lenovo_ideapad_026_006.jpg | 질산에 넣은 후, 갈아내지 않는 측면 - 프레스로 자른 흔적
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>[[노트북]]에서
<ol>
<li>2003년 05월 제조 [[노트북]], [[LG IBM T40]]
<ol>
<li>CPU 전원 콘트롤러, ADP3205 Multiphase Power Core Controller
<gallery>
image:ibm_t40_103.jpg | R467: 2.01m R114: 2.00m
image:ibm_t40_230.jpg
image:r_ultralow05_003.jpg
image:r_ultralow05_001.jpg
image:r_ultralow05_002.jpg | 트리밍을 잡아당겨서 하나?
</gallery>
<li>2.0x1.6mm
<ol>
<li>DC 전압에서. ADP3806 - Analog Devices, High Frequency Switch Mode Li-Ion Battery Charger
<gallery>
image:ibm_t40_143.jpg
image:ibm_t40_222.jpg | 12.0mohm = 32.4//32.4//46.4mohm (1% 편차에 있는 값임. 120는 118 121 사이에 있음) 아마 33/33/33일것임
image:ibm_t40_223.jpg | 2,3번핀이 시스템DC용 10mohm 전류 센싱, 17,18은 배터리용 40mohm 전류센싱
</gallery>
<li>전류검출용 저항 3개병렬은 두 군데 더 있음.
<gallery>
image:ibm_t40_224.jpg | 33//33//33mohm 뜯어서 측정하면
image:ibm_t40_225.jpg | 12.0mohm
image:ibm_t40_226.jpg | 33//33//33mohm 뜯어서 측정하면
image:ibm_t40_227.jpg | 11.0mohm
image:ibm_t40_228.jpg
image:ibm_t40_229.jpg | 상하 대칭 - 패턴이 동일하게 형성
</gallery>
<li>위 제품이 타 세트에서 사용되어 여기에 정리함.
<ol>
<li>삼성 3.5" HDD, SP0802N, 80GB
<ol>
<li>V-I 커브 측정 데이터 - 6612 파워서플라이와 DMM 전압계로 측정
<gallery>
image:r_ultralow11_001.png
image:r_ultralow11_002.png | 1. 전류가 충분해야 전압이 잘 측정된다. 2. 전류가 너무 많이 흐르면 발열되어 저항값이 증가한다.
</gallery>
<li>사진
<gallery>
image:hdd3p5_02_012.jpg | 60m오옴
image:r_ultralow09_001.jpg
image:r_ultralow09_002.jpg | 앞 뒷면 모두 패턴이 형성되어 있음.
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>
<li>칩저항기 4개를 사용함. 220/220/220/220 = 55m(측정하니)
<gallery>
image:r_ultralow06_001.jpg
image:r_ultralow06_002.jpg
</gallery>
</ol>
<li>2006년 07월 출시 [[노트북]], [[Compaq nx6320]]
<ol>
<li>메인보드에는 저항 하나만 쉽게 보임.
<gallery>
image:compaq_nx6320_080.jpg | bq24703, battery charge controller and selector
</gallery>
<li>배터리 팩에서, 전류측정용 저저항 0.01오옴 6.4x3.2mm(2512size;1W)
<gallery>
image:compaq_nx6320_089.jpg
image:compaq_nx6320_089_001.jpg | 기판으로부터 떠 있다.
image:compaq_nx6320_089_002.jpg
image:compaq_nx6320_089_003.jpg
image:compaq_nx6320_089_004.jpg
</gallery>
</ol>
<li>2007년 07월 출시 [[노트북]], [[Fujitsu E8410]]
<ol>
<li>IC 2개에서 사용, 배터리 충전기, 전력 제어기
<gallery>
image:fujitsue8410_070.jpg | Maxim 1533AE(5출력 파워 제어기) 8724(배터리 충전기)
</gallery>
<li>10m오옴
<gallery>
image:fujitsue8410_066.jpg
image:r_ultralow03_001.jpg
</gallery>
<li>27m오옴
<gallery>
image:fujitsue8410_067.jpg
image:r_ultralow03_002.jpg
</gallery>
<li>5m오옴 - ODD 옆에서
<gallery>
image:fujitsue8410_068.jpg
image:r_ultralow03_003.jpg
</gallery>
<li>1m오옴
<gallery>
image:fujitsue8410_069.jpg
image:r_ultralow03_004.jpg
</gallery>
</ol>
<li>2013년 12월 출시 [[노트북]], [[LG 15N53]]에서
<ol>
<li>메인보드에서
<gallery>
image:lg_15n53_025.jpg | 전류 측정용 저저항 10m오옴
</gallery>
<li>배터리 팩
<ol>
<li>2512size(=6.4x3.2mm) 1W, 5m오옴
<gallery>
image:lg_15n53_062.jpg
image:lg_15n53_063.jpg | 전압측정을 위한 전극인출지점
</gallery>
<li>전압검출을 위한 PCB 배선 및 부품
<gallery>
image:lg_15n53_064.jpg | 배선
image:lg_15n53_065.jpg | 잡음제거 RC회로
</gallery>
<li>내부 구조
<gallery>
image:lg_15n53_066.jpg | EMC가 떨어지지 않고 단단히 부착되기 위한 구멍 두 개인 듯 (물론 구멍 위치에 따라 저항값이 달라질 수 있다.)
image:lg_15n53_067.jpg | 프레스 흔적. 정밀한 프레스 방법으로 저항값을 맞춘다.
</gallery>
</ol>
</ol>
<li>2015년 12월 제조 [[노트북]], [[Lenovo ideapad 700-15isk]]
<ol>
<li>배터리를 충전, 방전용 제어 IC 주변
<ol>
<li>BQ24780, 1 to 4-Cell Hybrid Power Boost Mode Battery Charge Controller
<gallery>
image:lenovo_ideapad_076_001.jpg | 전류측정용 저저항에서 전압을 측정하기 위한 배선
image:lenovo_ideapad_076_002.jpg | 전압이 낮아, 잡음 제거를 위한 입력 LP 필터 series-10오옴 저항, parallel 0.1uF(추정) C 3개
image:lenovo_ideapad_086.jpg | 0.010오옴, 폭이 매우 긴
</gallery>
<li>전류측정용 저저항, 4.0x3.2mm
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:lenovo_ideapad_086_001.jpg
image:lenovo_ideapad_086_002.jpg | 전류인가하면서 burden voltage 측정
image:lenovo_ideapad_086_003.jpg | 전류 20A에서 - 추정 230도씨(솔더가 녹지 않음)
</gallery>
<li>전류에 따른 저항 측정, 엑셀 데이터
<gallery>
image:lenovo_ideapad_086_003_001.png | 20A까지 인가
image:lenovo_ideapad_086_003_002.png | 뜨거워져도 저항값이 상승하지 않는다.
image:lenovo_ideapad_086_003_003.png | 4W 소모해 약 230도씨까지 상승해도 저항값이 변하지 않아, manganin 저항으로 추정
</gallery>
<li>뜯어내어 분해
<gallery>
image:lenovo_ideapad_086_004.jpg | 실리카 함량이 높은 EMC 재질
image:lenovo_ideapad_086_005.jpg
image:lenovo_ideapad_086_006.jpg | 내전력은 저항면적이 결정하지 않고, 패키지 크기가 결정한다.
image:lenovo_ideapad_086_007.jpg
image:lenovo_ideapad_086_008.jpg | 와이어 커팅한 흔적으로 추정
image:lenovo_ideapad_086_009.jpg | 외부를 Cu 판으로 눌러서 붙임.(cladding)
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>
</ol>
<li>omniBER 계측기에서, Metal strip 저항체 구조, 페인트 코팅
<ol>
<li>저항 0.16오옴
<gallery>
image:j1409a00_024_028.jpg
image:j1409a00_024_029.jpg
</gallery>
<li>저항 0.012오옴
<gallery>
image:j1409a00_065.jpg
image:r_ultralow08_001.jpg
</gallery>
</ol>
<li>HDD - spindle motor and VCM(voice coil motor) controller에서
<ol>
<li>삼성 3.5", SP0802N, 80GB. 왼쪽은 수지보호막, 오른쪽은 유리보호막
<gallery>
image:hdd3p5_02_011.jpg | 전류 감지를 위한 3병렬 칩저항 3.2x1.6mm 1.0오옴, 2.0저항(모터용, 액츄에이터용)
</gallery>
<li>Seagate, ST31000528AS, Barracuda 7200.12, 1TB
<ol>
<li>사진
<gallery>
image:hdd3p5_03_007.jpg
image:hdd3p5_03_008.jpg
image:hdd3p5_03_009.jpg | 저저항 측정
</gallery>
<li>1오옴 5개 병렬인 0.2오옴을, 6612C로 전류인가, DMM 두 대로 전류,전압측정
<gallery>
image:r_ultralow12_001.png | 2A까지 상승 실험 시간
image:r_ultralow12_002.png | 가한 전류에서 측정된 전압(burden voltage)
image:r_ultralow12_003.png | 전류에 따른 저항
image:r_ultralow12_004.png | 전류에 따른 저항값 확대 (1A에서 불균일은 계측기 range 변경 때문??)
image:r_ultralow12_005.png | 발열전력에 따른 저항값 상승
</gallery>
</ol>
<li>Western Digital Caviar SE, WD2500JS, 250GB, SATA2, 모두 3.2x1.6mm (일반 저항값은 1/4W, 저저항은?)
<gallery>
image:hdd3p5_04_008.jpg | ST SMOOTH L6283
image:r_ultralow10_001.jpg | R270 = 0.270 0.96A
image:r_ultralow10_002.jpg | 1R00 = 1.00 0.5A
image:r_ultralow10_003.jpg | R120 = 0.120 1.4A
image:r_ultralow10_004.jpg | R050 = 0.050 2.2A
</gallery>
</ol>
<li>핸드폰에서
<ol>
<li> 삼성 갤럭시 폴더2 [[SM-G160N]] 메인보드에서, 2.0x1.6mm
<gallery>
image:sm_g160n_065.jpg | 일반 칩저항과 동일한 외부전극
image:sm_g160n_065_001.jpg | SMT 아래면이 저항패턴
image:sm_g160n_065_002.jpg | 균일한 전류흐름을 위해서 양쪽에서 single plunge cut을 실시한 [[레이저 트리밍]]
</gallery>
<li>2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 [[SM-A710S]]에서
<ol>
<li>외관
<gallery>
image:a710s01_005_002.jpg | 위치
image:a710s01_034.jpg | 마킹 재료는 수지 잉크
</gallery>
<li>수지 벗기고
<gallery>
image:a710s01_035.jpg | 긁어낸 보호막 재료는 검정 수지
image:a710s01_038.jpg | [[레이저 트리밍]]
</gallery>
<li> [[천공]]
<gallery>
image:a710s01_036.jpg
image:a710s01_037.jpg | laser perforation pitch = 10um
</gallery>
</ol>
</ol>
</ol>
</ol>