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TSV - 편집 역사
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Togotech: 새 문서: TSV <ol> <li> 전자부품 <ol> <li> 웨이퍼 <ol> <li> TSV - 이 페이지 </ol> <li>참고 <ol> <li> 메모리 </ol> </ol> <li>TSV; through-silicon via 실리콘...
2025-01-31T15:00:45Z
<p>새 문서: TSV <ol> <li> <a href="/index.php/%EC%A0%84%EC%9E%90%EB%B6%80%ED%92%88" title="전자부품" data-bs-title="전자부품">전자부품</a> <ol> <li> <a href="/index.php/%EC%9B%A8%EC%9D%B4%ED%8D%BC" title="웨이퍼" data-bs-title="웨이퍼">웨이퍼</a> <ol> <li> <a href="/index.php/TSV" title="TSV" data-bs-title="TSV">TSV</a> - 이 페이지 </ol> <li>참고 <ol> <li> <a href="/index.php/%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC" title="메모리" data-bs-title="메모리">메모리</a> </ol> </ol> <li>TSV; through-silicon via 실리콘...</p>
<p><b>새 문서</b></p><div>TSV<br />
<ol><br />
<li> [[전자부품]]<br />
<ol><br />
<li> [[웨이퍼]]<br />
<ol><br />
<li> [[TSV]] - 이 페이지<br />
</ol><br />
<li>참고<br />
<ol><br />
<li> [[메모리]]<br />
</ol><br />
</ol><br />
<li>TSV; through-silicon via 실리콘 관통 비아<br />
<ol><br />
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Through-silicon_via<br />
<li>2021년 기준<br />
<ol><br />
<li>TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다.<br />
<ol><br />
<li>모바일용은 저가격 때문에 여전히 와이어본딩한다.<br />
<li>서버용, 통신용은 고속이 필요하여 TSV로 적층한다.<br />
<li>멀티다이 상태로 TSV 적층하여 단가를 낮추는 것을 하고 있다.<br />
<li>성능이 필요한 RAM만 한다. [[Flash Memory]]는 TSV하지 않는다.<br />
</ol><br />
<li>8단 이상은 TSV(웨이퍼 얇게하여 어셈블리파트가 하는 일)가 아닌, 팹에서 수직 팹이라고 하여 Tr 등을 층별로 계속 형성하는 것을 말한다.<br />
</ol><br />
<li>SAW 필터에서<br />
<ol><br />
<li>2007/08 삼성전기 생산기술연구소 PKG기술팀, WLP사업화 TF<br />
<ol><br />
<li>삼성전자 [[DRAM]]으로 WLP를 하자. 1000억 이상 투자로 년 200억 이익을 볼 수 있다.<br />
<li>2006년 4월, 낸드 8스택 와이어본딩 제품, 2007년 4월에는 [[DRAM]] 4스택 와이어본딩을 삼성전자가 발표했다.<br />
<li>이를 TSV로 연결하자.<br />
</ol><br />
</ol><br />
</ol><br />
<li>발견<br />
<ol><br />
<li>카메라 이미지 센서<br />
</ol><br />
</ol></div>
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