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image:iphone5s01_130_012.jpg | 와이어를 찾을 수 없었기 때문에 [[Cu 볼 와이어본딩]]으로 추정함.
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image:sm_a516n_064_004_004.jpg | 은도금(?)된 [[Cu 볼 와이어본딩]]
 
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<li> [[TO-126]] 플라스틱 패키지
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image:e13003_02_001.jpg | [[EMC]] 내부에 있는 금속선을 관찰하니 [[Cu 볼 와이어본딩]]으로 추정
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<li>1차측에서 사용되는, Oriental Semiconductor, 'OSG65R200J' Vds=700V Rds=0.2ΩN-CH FET
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<li>2차측에서 사용되는, SWT40N45 '''GaN(?)''' FET
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2025년 10월 28일 (화) 11:26 기준 최신판

Cu 볼 와이어본딩

  1. 전자부품
    1. 와이어본딩
      1. Cu 볼 와이어본딩 - 이 페이지
  2. 기술정보
    1. 2023/01/09 와이어본딩 전문가1 왈
      1. Cu 와이어표면에 산화방지를 위한 Pd 코팅을 한다.
      2. EFO(Electronic Flame Off) 스파크로 형성된 볼은 Cu+Pd합금이 되는데 단단하다.
      3. 볼이 Au 볼에 비해 단단하여 실리콘 칩쪽 와이어본딩 패드에 충격이 크다.
        1. 튼튼한 와이어본딩 패드를 갖는 다이에만 적용한다.
  3. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서
    1. 모바일AP, Apple A7 , 위에 올라가 있는 DRAM Elpida 8Gbit DDR3
  4. 다이오드
    1. 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰에서
  5. TO-126 플라스틱 패키지
    1. 일체형 콤팩트 형광등 전자식 안정기에서
  6. FET에서
    1. JCH-PC41510, 링킨 150W PD 충전기
      1. 1차측에서 사용되는, Oriental Semiconductor, 'OSG65R200J' Vds=700V Rds=0.2ΩN-CH FET
      2. 2차측에서 사용되는, SWT40N45 GaN(?) FET
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