"Cu 볼 와이어본딩"의 두 판 사이의 차이
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image:sm_a516n_064_004_002.jpg | 2단자 소자이다. | image:sm_a516n_064_004_002.jpg | 2단자 소자이다. | ||
image:sm_a516n_064_004_004.jpg | 은도금(?)된 [[Cu 볼 와이어본딩]] | image:sm_a516n_064_004_004.jpg | 은도금(?)된 [[Cu 볼 와이어본딩]] | ||
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| + | image:e13003_02_001.jpg | [[EMC]] 내부에 있는 금속선을 관찰하니 [[Cu 볼 와이어본딩]]으로 추정 | ||
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| + | image:linkyn01_010_001.jpg | OSG65R200J | ||
| + | image:linkyn01_010_002.jpg | OSG65R200J, 18개 [[Cu 볼 와이어본딩]] | ||
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| + | <li>2차측에서 사용되는, SWT40N45 '''GaN(?)''' FET | ||
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| + | image:linkyn01_015_001.jpg | SWT40N45 | ||
| + | image:linkyn01_015_002.jpg | [[Cu 볼 와이어본딩]] 15개 발견 | ||
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2025년 10월 28일 (화) 11:26 기준 최신판
Cu 볼 와이어본딩
- 전자부품
- 와이어본딩
- Cu 볼 와이어본딩 - 이 페이지
- 와이어본딩
- 기술정보
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서
- 모바일AP, Apple A7 , 위에 올라가 있는 DRAM Elpida 8Gbit DDR3
와이어를 찾을 수 없었기 때문에 Cu 볼 와이어본딩으로 추정함.
- 모바일AP, Apple A7 , 위에 올라가 있는 DRAM Elpida 8Gbit DDR3
- 다이오드
- 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰에서
은도금(?)된 Cu 볼 와이어본딩
- 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰에서
- TO-126 플라스틱 패키지
- 일체형 콤팩트 형광등 전자식 안정기에서
EMC 내부에 있는 금속선을 관찰하니 Cu 볼 와이어본딩으로 추정
- 일체형 콤팩트 형광등 전자식 안정기에서
- FET에서
- JCH-PC41510, 링킨 150W PD 충전기
- 1차측에서 사용되는, Oriental Semiconductor, 'OSG65R200J' Vds=700V Rds=0.2ΩN-CH FET
OSG65R200J, 18개 Cu 볼 와이어본딩
- 2차측에서 사용되는, SWT40N45 GaN(?) FET
Cu 볼 와이어본딩 15개 발견
- 1차측에서 사용되는, Oriental Semiconductor, 'OSG65R200J' Vds=700V Rds=0.2ΩN-CH FET
- JCH-PC41510, 링킨 150W PD 충전기