15시간, 45분 - Togotech

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<li>피처폰 핸드폰 출시 시기에서는 피처폰에서만 발견된다. 스마트폰에서는 빠른 처리속도를 위하여 AP와 RAM을 쌓아서 PoP(package on package)로 사용하고 flash는 단독으로 사용한다.
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<li>피처폰 핸드폰 출시 시기에서는 피처폰에서만 발견된다. 스마트폰에서는 빠른 처리속도를 위하여 AP와 RAM을 쌓아서 PoP(package on package)로 사용하고 [[Flash Memory]]는 단독으로 사용한다.
 
<li>그러나 피처폰이 사라지고 스마트폰 시대에서는 널리 사용된다.
 
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<li>거의 모든 RAM 제조업체는 다이 판매를 하지 않는다. 그러므로 AP업체는 패키징된 제품을 구입해서 역시 패키징된 AP위에 올려야 한다.
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<li>AP는 발열이 가장 크므로 방열을 해야 한다. 그런데 AP위에 DRAM이 올라가는 것은 매우 불리하다.
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<li>Pseudo SRAM: refresh회로가 DRAM 칩에 있는 경우. 비용이 저렴하지만 저전력모드에서 전력소모가 조금 많다.
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<li>2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 [[canU701D]]
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<li>메모리 MCP(Multi Chip Package), SAMSUNG KBE00S003M-D411 MCP(Multi Chip Package; 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2)를 태워보니,
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<li>2008년 1월 제조된 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
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<li>KBE00S00AB-D435(multi-chip, 1Gb Flash+256Mb RAM?)
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<li>2010.07 출시 삼성 [[GT-B7722]] 피처폰
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<li>ST Ericsson PNX6709, 312MHz ARM 9 processor(Master B/B), SAMSUNG K524F1HACM-B050 NAND Flash Memory/SDRAM [[MCP]]
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<li>ST Ericsson PNX6709, 312MHz ARM 9 processor(Master B/B), SAMSUNG K524F1HACM-B050 NAND [[Flash Memory]]/[[SDRAM]] [[MCP]]
 
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<li>SAMSUNG K5L2866ATA-AF66, 128Mx64M NOR flash/UtRAM (Uni-Transistor) [[MCP]]
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<li>2012.01 출시, [[팬택 SKY VEGA LTE EX, IM-A820L 스마트폰]]
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<li> [[MCP]] = 4GB [[DRAM]] + 64GB [[Flash]]
 
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<li>맨 밑에서부터 보면, 2다이로 2층(아마 4GB DRAM), 그 위에 작은 플래시제어기 IC와 큰 다이 2층(64GB Flash)
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<li>맨 밑에서부터 보면, 2다이로 2층(아마 4GB [[DRAM]]), 그 위에 작은 플래시제어기 IC와 큰 다이 2층(64GB [[Flash Memory]])
 
<li>총 7다이
 
<li>총 7다이
 
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<li>2020 삼성 갤럭시 A51 [[SM-A516N]] 휴대폰
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<li>2020.05 출시 [[삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰]]
 
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<li> [[MCP]] 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X S[[DRAM]], 128GB UFS 2.1 규격 내장 [[Flash]] 메모리
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<li> [[MCP]] 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X [[SDRAM]], 128GB [[UFS]] 2.1 규격
 
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image:sm_a516n_060_004.jpg | 인터포저는 3층인듯
 
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image:sm_a516n_060_005.jpg | 가운데 작은 IC는 플래시 콘트롤러
 
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image:sm_a516n_060_006.jpg | 좌우 3-다이 총 6개는 DRAM일 것이고, 위에 쌓이는 4개는 flash 다이
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<li>2021.01 출시 [[삼성 갤럭시 A12, SM-A125F 스마트폰]]
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image:sm_a125_016.jpg | Mediatek Helio P35 MT6765V [[모바일AP]], Samsung KMDX60018M-B425 [[MCP]]=[[DRAM]] DDR4 24Gb+[[eMMC]] 5.1 32GB
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<li>핸드폰 베이스밴드 IC에서(SoC)
 
<li>핸드폰 베이스밴드 IC에서(SoC)
 
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<li>2010.07 출시 삼성 [[GT-B7722]] 피처폰
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<li>2010.07 출시 [[삼성 Star Duos GT-B7722 피처폰]]
 
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<li>ST-Ericsson PNX6608, multi chip package 이므로 [[MCP]]로 분류한다.
 
<li>ST-Ericsson PNX6608, multi chip package 이므로 [[MCP]]로 분류한다.

2026년 3월 24일 (화) 08:53 기준 최신판

MCP

  1. 전자부품
    1. 메모리
      1. MCP - 이 페이지
      2. eMCP - 이 페이지
    2. 참고
      1. PoP
  2. 기술
    1. multi chip package(MCP)
      1. 한국에서는 RAM 다이와 Flash Memory 다이를 쌓아서 하나의 패키지에 넣은 제품을 말한다.
      2. 피처폰 핸드폰 출시 시기에서는 피처폰에서만 발견된다. 스마트폰에서는 빠른 처리속도를 위하여 AP와 RAM을 쌓아서 PoP(package on package)로 사용하고 Flash Memory는 단독으로 사용한다.
      3. 그러나 피처폰이 사라지고 스마트폰 시대에서는 널리 사용된다.
        1. 거의 모든 RAM 제조업체는 다이 판매를 하지 않는다. 그러므로 AP업체는 패키징된 제품을 구입해서 역시 패키징된 AP위에 올려야 한다.
        2. AP는 발열이 가장 크므로 방열을 해야 한다. 그런데 AP위에 DRAM이 올라가는 것은 매우 불리하다.
    2. embedded Multi-Chip Package(eMCP)
      1. DRAM과 eMMC(Embedded Multi-Media Card) 스토리지를 결합한 제품이다.
    3. 참고: multi chip module
      1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Multi-chip_module
    4. 참고
      1. PoP(Package On Package) 패키지 위에 패키지. 예를 들면 AP 위에 DRAM
  3. 메모리에서
    1. 2003년 10월 제조된, 제조회사 알 수 없는 U-100 핸드폰 보드에서
      1. 사진

        • Qualcomm MSM5100

        • Sharp LRS1826A, Stacked Chip(64Mbit+64Mbit Flash Memory and 32Mbit SCRAM;smartcombo RAM)

      2. 용어
        1. Smartcombo RAM: 어떤 기능의 RAM을 샤프가 Smartcombo RAM이라고 부르는지 조사가 안됨.
        2. Smartcombo SRAM: Sharp가 제조하는 PSRAM(Pseudo SRAM)에 대해 자기들이 부르는 용어.
          1. - 69p
        3. Pseudo SRAM: refresh회로가 DRAM 칩에 있는 경우. 비용이 저렴하지만 저전력모드에서 전력소모가 조금 많다.
    2. 2007.03 출시 팬택&큐리텔 canU701D 스위블 피처폰
      1. 사진

        • Qualcomm MSM6550, SAMSUNG KBE00S003M-D411

      2. 메모리 MCP(Multi Chip Package), SAMSUNG KBE00S003M-D411 MCP(Multi Chip Package; 1Gb NAND*2 + 256Mb MobileSDRAM*2)를 태워보니,

        • 와이어본딩을 위해서 (오른쪽 다이가 바닥, 바닥에서부터) 큰다이-작은다이-큰다이-작은다이

    3. 2007.10 출시 LG-SH170 슬라이드 피처폰
      1. KBE00S00AB-D435(multi-chip, 1GB Flash Memory+256Mb RAM?)
        • sh170 009.jpg
      2. 분해
        • sh170 022.jpg
        • sh170 023.jpg

        • 4개 칩, 와이어본딩이 되도록 칩을 90도씩 돌려서 쌓았다.

    4. 2010.07 출시 삼성 Star Duos GT-B7722 피처폰
      1. ST Ericsson PNX6709, 312MHz ARM 9 processor(Master B/B), SAMSUNG K524F1HACM-B050 NAND Flash Memory/SDRAM MCP
        • gt b7722 008.jpg
      2. SAMSUNG K5L2866ATA-AF66, 128Mx64M NOR Flash Memory/UtRAM (Uni-Transistor) MCP
        • gt b7722 010.jpg
    5. 2012.01 출시, 팬택 SKY VEGA LTE EX, IM-A820L 스마트폰
      1. Samsung KMKYL000VM-B603 eMCP(16GB eMMC+ 1GB LPDDR2 DRAM)
        • im a820l 018.jpg
    6. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
      1. MCP SanDisk SDADA4CR-64G, 모바일AP Qualcomm SDM636 SoC
        • redmi note6pro 015.jpg
        • redmi note6pro 015 001.jpg
      2. MCP = 4GB DRAM + 64GB Flash
        1. 맨 밑에서부터 보면, 2다이로 2층(아마 4GB DRAM), 그 위에 작은 플래시제어기 IC와 큰 다이 2층(64GB Flash Memory)
        2. 총 7다이
    7. 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰
      1. MCP 메모리: 6GB(48Gb) LPDDR4X SDRAM, 128GB UFS 2.1 규격

        • 인터포저는 3층인듯

        • 가운데 작은 IC는 플래시 콘트롤러

        • 좌우 3-다이 총 6개는 DRAM일 것이고, 위에 쌓이는 4개는 Flash Memory 다이

    8. 2021.01 출시 삼성 갤럭시 A12, SM-A125F 스마트폰
  4. 핸드폰 베이스밴드 IC에서(SoC)
    1. 2010.07 출시 삼성 Star Duos GT-B7722 피처폰
      1. ST-Ericsson PNX6608, multi chip package 이므로 MCP로 분류한다.
        • pnx6608 001.jpg

        • 솔더링면

        • 3개 다이를 쌓은 와이어본딩면

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