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<li>HN462532G, Hitachi, CDIP24, 32kbit(4096x8bit) UV EPROM, 450ns, compatible with TMS2532
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<li>32k-bit이므로 셀을 눈으로 셀 수 있다.
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image:uveprom05_001.jpg | 세로 8비트 16줄(128비트)이 보인다. 가로로 256비트.
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image:uveprom05_008.jpg | HN462532
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image:uveprom05_010.jpg | 테스트 패턴 4가지(F, M, BD, AS)
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image:uveprom05_011.jpg | 테스트 패턴 (SE)
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<li>HP 8112A, 50 MHz pulse generator
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<li>D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
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image:2533_024_002.jpg | NEC D27C256D-20
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<li>NEC
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<li>D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
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<li>Solartron Schlumberger 7060 DMM에서
 
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image:2533_024.jpg
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image:7060a01_042.jpg | MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM // TMS2532JL  UV EPROM 32k Bit NOS
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image:2533_024_002.jpg | NEC D27C256D-20
 
 
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<li>S-RAM
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<li>SRAM (Tr을 6개 사용한다고 함. 반면에 DRAM은 C 하나 Tr 하나)
 
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<li>Keithley 195A, DMM에서
 
<li>Keithley 195A, DMM에서

2019년 10월 14일 (월) 02:27 판

memory IC

  1. 링크
    1. 전자부품
  2. ROM
    1. ROM
      1. DMM, HP3455A
    2. EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
      1. GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
      2. 온도기록계에서
        1. DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
        2. DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
        3. EL-USB-1
        4. D99
      3. Winbond, W27E512
      4. HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서 (EEPROM + M5M41000AP 1MB DRAM)
    3. Flash Memory
      1. UTHE 10H Ultrasonic Generator
      2. PC, 노트북에서
        1. Fujitsu Notebook E8410
        2. LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
      3. 도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
      4. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
      5. SSD에서
      6. 삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
      7. 3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
    4. UV-EPROM
      1. AMD
        1. AM27C512
        2. M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
          1. HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
      2. Hitachi
        1. HN462532G, Hitachi, CDIP24, 32kbit(4096x8bit) UV EPROM, 450ns, compatible with TMS2532
          1. 32k-bit이므로 셀을 눈으로 셀 수 있다.
          2. HP 8112A, 50 MHz pulse generator
      3. NEC
        1. D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
      4. ST
        1. M27C256B
          1. espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
          2. Iwatsu DMM, VOAC 7513 메모리보드에서,
        2. M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
      5. TI
        1. Solartron Schlumberger 7060 DMM에서
      6. 알 수 없음.
        1. 왜 IC 소켓을 세라믹 ineterposer에 다시 꼽아 사용했을까?
  3. RAM
    1. DRAM
      1. NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
        1. 외관
        2. 분해시작
        3. 내부칩
    2. SDRAM
      1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
    3. SRAM (Tr을 6개 사용한다고 함. 반면에 DRAM은 C 하나 Tr 하나)
      1. Keithley 195A, DMM에서
      2. MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
        1. 외관
        2. 외관
    4. F-RAM
      1. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
  4. Memory Module
    1. SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
      1. Flash
        1. Agilent E4401B S/A에서
      2. DRAM
    2. DIMM - dual in-line memory module
      1. 표준
        1. IBM XEON dual CPU 서버에서
        2. 2018.12 채기병 기증품에서
        3. 2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
        4. omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
        5. Agilent E4401B S/A에서
      2. SO-DIMM(small outline DIMM)
        1. DDR-2
          1. 노트북 Compaq nx6320, Samsung 1GB 2Rx8(2rank, 칩구성비트) M470T2953CZ3-CE6, PC2-5300S-555-12-E3
        2. DDR-3
          1. 2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
          2. Single Board Computers-1에서