"스와이프 정전식 지문센서"의 두 판 사이의 차이

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<li>2006년 03월 출시 [[노트북]], [[IBM T43p]]
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<li>STMicroelectronics, TCS3B-TCD41B TouchStrip 칩셋 브로셔 - 2p
 
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image:t43p01_018_009.jpg | 12MHz [[Xtal세라믹]] 공진기
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image:t43p01_018_009.jpg | 12MHz [[세라믹 패키지 수정 공진기]]
 
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<li>2014.02 출시 삼성 [[SM-G906S]] 갤럭시 S5 스마트폰
 
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<li>Synaptics 회사제품. 정전용량 스와이프(capacitive, swipe) 방식, 표면 코팅 수지를 벗기면
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<li>Synaptics 회사제품. [[정전용량]] 스와이프(capacitive, swipe) 방식, 표면 코팅 수지를 벗기면
 
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<li>[[유기물기판]] 솔더 레지스트 보호막을 벗기면, 미세한 [[동박 설계]]를 볼 수 있다.
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<li> [[솔더 레지스트]] 보호막을 벗기면, 미세한 [[동박 설계]]를 볼 수 있다.
 
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2026년 4월 18일 (토) 12:49 기준 최신판

스와이프 정전식 지문센서

  1. 전자부품
    1. 정전식 지문센서
      1. 스와이프 정전식 지문센서 - 이 페이지
      2. 터치 정전식 지문센서
  2. 정전용량 스와이프(capacitive, swipe) 방식
    1. 2006.03 출시 IBM T43p 노트북
      1. STMicroelectronics, TCS3B-TCD41B TouchStrip 칩셋 브로셔 - 2p
        1. 508dpi 50um 피치, 248x360 pixel, 그레이스케일 8비트 영상을 만든다.
        2. 센서 배열은 248픽셀/2라인 (총 4개 라인 중에서)
        3. 정전기 15kV에 견딘다.
        4. 판독 IC는 32-비트 RISC @96MHz 동작. 영상을 재조합하고 인증을 실시한다.
      2. 키보드 오른쪽에서
      3. 패키징 방법
      4. 실리콘 웨이퍼, STMicroelectronics 제조
      5. 판독 IC, STMicroelectronics TCD41B TouchStrip companion chip
    2. 2007.07 출시 Fujitsu E8410 노트북
      1. 외관
      2. 보드에서
      3. 패키징
      4. 다이
    3. 2014.02 출시 삼성 SM-G906S 갤럭시 S5 스마트폰
      1. Synaptics 회사제품. 정전용량 스와이프(capacitive, swipe) 방식, 표면 코팅 수지를 벗기면
      2. 솔더 레지스트 보호막을 벗기면, 미세한 동박 설계를 볼 수 있다.
      3. PCB를 찢으면
      4. PCB 뒷면에 BGA IC가 붙어 있다.