"RF앰프"의 두 판 사이의 차이

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<li>HP 70420A(phase noise 측정용) Test Set 에서
 
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<li>Lucent 1605DXBGaAs 28dB 8k~3GHz 60dB dynamic range
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image:j1409a00_028_024.jpg|CLC449 1.1GHz Ultra Wideband Monolithic Op Amp
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image:j1409a00_028_024.jpg | CLC449 1.1GHz Ultra Wideband Monolithic Op Amp
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<li>인포콤 RF 하이패스, 5.8GHz RF 모듈에서
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<li>인두기로 온도를 높인 후 깨뜨리면
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<li>first stage amp.
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image:hipass_rf02_043.jpg | 트랜지스터. 만약 npn이라면 웨이퍼 전체는 n타입으로 collector. 칩 위, 아래 패턴은 다이오드
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image:hipass_rf02_044.jpg
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image:hipass_rf02_045.jpg | 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬
 
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<li>second stage amp.
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image:hipass_rf02_046.jpg | 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr
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image:hipass_rf02_047.jpg | 다이싱 때 1ch 컷
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image:hipass_rf02_048.jpg | 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
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<li>믹서
 
<li>믹서

2019년 9월 30일 (월) 11:28 판

RF amp

  1. 링크
    1. 전자부품
  2. 전시 제품
    1. 삼성전기 PAM, 2019/09/30 촬영
  3. metal can
    1. MC15906, Wideband Amplifier, High Gain 50dB@10MHz 45dB@60MHz 35dB@100MHz
    2. CLC231A1
      1. 설명
        1. - 6p
      2. HP 70420A(phase noise 측정용) Test Set 에서
      3. 외관
      4. 사진
      5. 확대 사진
        1. 전체(특히 비대칭 본딩이 C인듯)
        2. 4오옴 출력 저항
        3. Capacitor(?)
        4. Tr
        5. laser trimming
        6. stitch bonding
  4. 세라믹 DIP
    1. omniBER에서
      1. Lucent 1605DXB GaAs 28dB 8k~3GHz 60dB dynamic range
  5. 트랜스퍼 몰딩
    1. 앰프
      1. S&A회사의 208A 측정기용을 위한 치구에서, THS4303, amp. (10V/V) 1.8GHz
      2. omniBER에서, shield 시킨 앰프 및 갈바닉 부식
      3. 인포콤 RF 하이패스, 5.8GHz RF 모듈에서
        1. 인두기로 온도를 높인 후 깨뜨리면
        2. first stage amp.
        3. second stage amp.
    2. 믹서
      1. omniBER에서, M820, HP IAM-82028 Silicon Bipolar MMIC 5GHz Active Double Balanced Mixer/IF Amp