"RF앰프"의 두 판 사이의 차이

2019년 9월 30일 (월) 11:28 판

RF amp

링크
1. 전자부품
전시 제품
1. 삼성전기 PAM, 2019/09/30 촬영
  - 상자 4개가 있다.
metal can
1. MC15906, Wideband Amplifier, High Gain 50dB@10MHz 45dB@60MHz 35dB@100MHz
2. CLC231A1
  1. 설명
    1. - 6p
  2. HP 70420A(phase noise 측정용) Test Set 에서
    - 보드 1
    - 보드 2
    - 보드 3
  3. 외관
    - wideband op amp.
  4. 사진
  5. 확대 사진
    1. 전체(특히 비대칭 본딩이 C인듯)
    2. 4오옴 출력 저항
    3. Capacitor(?)
    4. Tr
      - Tr1
      - Tr2
    5. laser trimming
    6. stitch bonding
세라믹 DIP
1. omniBER에서
  1. Lucent 1605DXB GaAs 28dB 8k~3GHz 60dB dynamic range
트랜스퍼 몰딩
1. 앰프
  1. S&A회사의 208A 측정기용을 위한 치구에서, THS4303, amp. (10V/V) 1.8GHz
  2. omniBER에서, shield 시킨 앰프 및 갈바닉 부식
    - CLC449 1.1GHz Ultra Wideband Monolithic Op Amp
  3. 인포콤 RF 하이패스, 5.8GHz RF 모듈에서
    1. 인두기로 온도를 높인 후 깨뜨리면
    2. first stage amp.
      - 트랜지스터. 만약 npn이라면 웨이퍼 전체는 n타입으로 collector. 칩 위, 아래 패턴은 다이오드
      - 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬
    3. second stage amp.
      - 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr
      - 다이싱 때 1ch 컷
      - 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
2. 믹서
  1. omniBER에서, M820, HP IAM-82028 Silicon Bipolar MMIC 5GHz Active Double Balanced Mixer/IF Amp

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 RF amp
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+<li>링크
+<ol>
+<li> [[전자부품]]
+</ol>
+<li>전시 제품
+<ol>
+<li>삼성전기 PAM, 2019/09/30 촬영
+<gallery>
+image:pam_sem01_001.jpg | 상자 4개가 있다.
+image:pam_sem01_002.jpg
+image:pam_sem01_003.jpg
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 <li>metal can
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 <li>설명
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-<li>- 6p
+<li> - 6p
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 <li>HP 70420A(phase noise 측정용) Test Set 에서
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-image:e5501b04_009.jpg|보드 1
+image:e5501b04_009.jpg | 보드 1
-image:e5501b04_022.jpg|보드 2
+image:e5501b04_022.jpg | 보드 2
-image:e5501b04_031.jpg|보드 3
+image:e5501b04_031.jpg | 보드 3
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 <li>외관
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-image:e5501b04_019.jpg|wideband op amp.
+image:e5501b04_019.jpg | wideband op amp.
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 <li>사진
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 image:opamp05_011.jpg
-image:opamp05_012.jpg|Tr1
+image:opamp05_012.jpg | Tr1
-image:opamp05_013.jpg|Tr2
+image:opamp05_013.jpg | Tr2
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 <li>laser trimming
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 <li>omniBER에서
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-<li>Lucent 1605DXBGaAs 28dB 8k~3GHz 60dB dynamic range
+<li>Lucent 1605DXB GaAs 28dB 8k~3GHz 60dB dynamic range
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 image:j1409a00_104_001.jpg
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 image:j1409a00_028_020.jpg
 image:j1409a00_028_023.jpg
-image:j1409a00_028_024.jpg|CLC449 1.1GHz Ultra Wideband Monolithic Op Amp
+image:j1409a00_028_024.jpg | CLC449 1.1GHz Ultra Wideband Monolithic Op Amp
+</gallery>
+<li>인포콤 RF 하이패스, 5.8GHz RF 모듈에서
+<ol>
+<li>인두기로 온도를 높인 후 깨뜨리면
+<gallery>
+image:hipass_rf02_042.jpg
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+<li>first stage amp.
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+image:hipass_rf02_043.jpg | 트랜지스터. 만약 npn이라면 웨이퍼 전체는 n타입으로 collector. 칩 위, 아래 패턴은 다이오드
+image:hipass_rf02_044.jpg
+image:hipass_rf02_045.jpg | 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬
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+<li>second stage amp.
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+image:hipass_rf02_046.jpg | 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr
+image:hipass_rf02_047.jpg | 다이싱 때 1ch 컷
+image:hipass_rf02_048.jpg | 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷
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 </ol>
 <li>믹서