76일, 16시간, 3분 - Togotech

"메모리"의 두 판 사이의 차이

(새 문서: memory IC <ol> <li>ROM <ol> <li>ROM </li> <li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단) <ol> <li>GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C25...)
 
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memory IC
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메모리
 
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<li>ROM
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<li> [[전자부품]]
 
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<li>ROM
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<li> [[IC]]
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<li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
 
 
<ol>
 
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<li>GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
+
<li> [[메모리]] - 이 페이지
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image:zs_6120b_003.jpg
 
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image:zs_6120b_012.jpg
 
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</li>
 
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<li>온도기록계에서
 
 
<ol>
 
<ol>
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<li>DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
+
<li> [[ROM]]
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image:flashlink01_004.jpg
 
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image:flashlink01_005.jpg
 
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</li>
 
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<li>DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
 
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image:flashlink_ct_009.jpg
 
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image:flashlink_ct_006.jpg
 
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</li>
 
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<li>EL-USB-1
 
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image:el_usb_1_002.jpg
 
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image:el_usb_1_008.jpg
 
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</li>
 
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<li>D99
 
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image:apresys_d99_003.jpg
 
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</li>
 
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<li>Winbond, W27E512
 
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image:eeprom01_001.jpg
 
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</li>
 
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<li>HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서
 
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image:hp35660a_041.jpg
 
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image:hp35660a_042.jpg
 
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image:hp35660a_044.jpg
 
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</li>
 
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</ol>
 
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</li>
 
−
<li>Flash Memory
 
 
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<ol>
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<li>UTHE 10H Ultrasonic Generator
+
<li> [[PROM]]
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<gallery>
+
<li> [[EPROM]]
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image:uthe10h01_009.jpg|AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family</gallery>
 
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</li>
 
−
<li>PC, 노트북에서
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Fujitsu Notebook E8410
+
<li> [[UV-EPROM]]
−
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image:fujitsue8410_064.jpg|SPI Flash 메모리</gallery>
 
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</li>
 
−
<li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
 
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−
image:ibm_t40_108.jpg|SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application</gallery>
 
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</li>
 
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</ol>
 
−
</li>
 
−
<li>도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
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image:slc460w_07_012.jpg|1Gbit Flash(128MB)
 
 
</ol>
 
</ol>
−
</li>
+
<li> [[EEPROM]]
−
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
+
<li> [[Flash Memory]], [[Flash]]
−
<ol>image:agilent1260lc02_022.jpg|Flash Memory</gallery>
 
−
</li>
 
−
<li>SSD에서
 
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image:ssd02_004.jpg|TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB</gallery>
 
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</li>
 
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<li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
 
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image:es75_006.jpg
 
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image:es75_011.jpg
 
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image:es75_012.jpg|PCB 전기도금</gallery>
 
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</li>
 
 
</ol>
 
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−
</li>
+
<li> [[RAM]]
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<li>UV-EPROM
 
 
<ol>
 
<ol>
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<li>AMD
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<li> [[DRAM]]
 +
<li> [[SRAM]]
 +
<li> [[FRAM]]
 +
<li> [[메모리모듈]]
 
<ol>
 
<ol>
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<li>AM27C512
+
<li> [[SIMM]] single in-line memory module
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+
<li> [[DIMM]] dual in-line memory module
−
image:uveprom1_001.jpg
+
<li> [[SO-DIMM]] small outline DIMM
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image:uveprom1_002.jpg
 
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image:uveprom1_003.jpg
 
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</li>
 
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<li>M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
 
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<li>HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
 
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image:e5501b04_037.jpg
 
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image:e5501b04_045.jpg
 
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</li>
 
 
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</li>
 
 
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</li>
+
<li> [[MCP]] - DRAM+Flash
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<li>ST
 
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<ol>
 
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<li>M27C256B
 
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<ol>
 
−
<li>espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
 
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image:uveprom2_001.jpg
 
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image:uveprom2_004.jpg
 
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</gallery>
 
−
</li>
 
−
<li>Iwatsu DMM, VOAC 7513  메모리보드에서,
 
−
<gallery>
 
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image:voac7513_06_001.jpg
 
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image:uveprom04_001.jpg
 
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image:uveprom04_002.jpg
 
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image:uveprom04_006.jpg
 
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image:uveprom04_007.jpg
 
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image:uveprom04_008.jpg|1992
 
 
</ol>
 
</ol>
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</li>
 
 
</ol>
 
</ol>
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</li>
 
−
<li>M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
 
−
<ol>image:kjm6765_001.jpg
 
−
image:uveprom03_001.jpg
 
−
</gallery>
 
−
</li>
 
 
</ol>
 
</ol>
−
</li>
+
<li>자료
−
<li>NEC
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
+
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
−
<gallery>
 
−
image:2533_024.jpg
 
−
image:2533_024_001.jpg
 
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image:2533_024_002.jpg|NEC D27C256D-20</gallery>
 
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</li>
 
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</ol>
 
−
</li>
 
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</ol>
 
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</li>
 
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</ol>
 
−
</li>
 
−
<li>RAM
 
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<ol>
 
−
<li>DRAM
 
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<ol>
 
−
<li>NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li><gallery>
+
<li>k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
−
image:slc460w_07_008.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_001.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_002.jpg|PCB 본딩 및 몰딩 방법
 
−
</li>
 
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<li>image:dram_nanya_1gb_006.jpg
 
−
image:dram_nanya_1gb_007.jpg
 
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image:dram_nanya_1gb_008.jpg
 
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image:dram_nanya_1gb_009.jpg
 
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image:dram_nanya_1gb_010.jpg
 
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image:dram_nanya_1gb_011.jpg
 
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image:dram_nanya_1gb_012.jpg
 
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image:dram_nanya_1gb_013.jpg|한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit</gallery>
 
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</li>
 
 
</ol>
 
</ol>
−
</li>
+
<li>2021년 기준
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</li>
 
−
<li>SDRAM
 
 
<ol>
 
<ol>
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<li>Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
+
<li>TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다.
−
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image:ssd02_016.jpg
 
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image:ssd02_017.jpg|96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
 
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<li>S-RAM
 
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<li>Keithley 195A, DMM에서
 
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<ol>image:keithley195a_010.jpg|Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM</gallery>
 
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</li>
 
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</ol>
 
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</li>
 
−
<li>F-RAM
 
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<ol>
 
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<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
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image:agilent1260lc02_020.jpg|F-RAM</gallery>
 
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</li>
 
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</li>
 
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</li>
 
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<li>Memory Module
 
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<li>SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
 
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<li>DIMM - dual in-line memory module
 
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<li>표준
 
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<li>IBM XEON dual CPU 서버에서
 
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image:dimm01_001.jpg
 
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image:dimm01_002.jpg
 
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</li>
 
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<li>2018.12 채기병 기증품에서
 
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image:dimm03_001.jpg|M378B5773CH0-CH9,
 
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</li>
 
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<li>2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
 
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<ol>image:dimm04_001.jpg|NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
 
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</li>
 
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<li>omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
 
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<ol>image:j1409a00_018_010.jpg
 
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</li>
 
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</ol>
 
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</li>
 
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<li>SO-DIMM(small outline DIMM)
 
 
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<li>2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
+
<li>모바일용은 저가격 때문에 여전히 와이어본딩한다.
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<li>서버용, 통신용은 고속이 필요하여 TSV로 적층한다.
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image:dimm02_001.jpg
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<li>멀티다이 상태로 TSV 적층하여 단가를 낮추는 것을 하고 있다.
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image:dimm02_002.jpg
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<li>성능이 필요한 RAM만 한다. Flash Memory는 TSV하지 않는다.
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<li>8단 이상은 TSV(웨이퍼 얇게하여 어셈블리파트가 하는 일)가 아닌, 팹에서 수직 팹이라고 하여 Tr 등을 층별로 계속 형성하는 것을 말한다.
 
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2024년 2월 28일 (수) 22:40 기준 최신판

메모리

  1. 전자부품
    1. IC
      1. 메모리 - 이 페이지
        1. ROM
          1. PROM
          2. EPROM
            1. UV-EPROM
          3. EEPROM
          4. Flash Memory, Flash
        2. RAM
          1. DRAM
          2. SRAM
          3. FRAM
          4. 메모리모듈
            1. SIMM single in-line memory module
            2. DIMM dual in-line memory module
            3. SO-DIMM small outline DIMM
        3. MCP - DRAM+Flash
  2. 자료
    1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Power_of_two
      1. k=1024, M=1,048,576, G=1,073,741,824
    2. 2021년 기준
      1. TSV는 8단까지. 다이싱을 끝내고 다이로 쌓는다. 웨이퍼 접합은 수율이 문제이므로 하지 않는다.
        1. 모바일용은 저가격 때문에 여전히 와이어본딩한다.
        2. 서버용, 통신용은 고속이 필요하여 TSV로 적층한다.
        3. 멀티다이 상태로 TSV 적층하여 단가를 낮추는 것을 하고 있다.
        4. 성능이 필요한 RAM만 한다. Flash Memory는 TSV하지 않는다.
      2. 8단 이상은 TSV(웨이퍼 얇게하여 어셈블리파트가 하는 일)가 아닌, 팹에서 수직 팹이라고 하여 Tr 등을 층별로 계속 형성하는 것을 말한다.
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