76일, 9시간, 52분 - Togotech

"메모리"의 두 판 사이의 차이
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memory IC
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memory IC  
 
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<li>ROM
 
<li>ROM
 
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<li>ROM
 
<li>ROM
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<li>DMM, HP3455A
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image:3455a01_028.jpg | 2048바이트 ROM 3개(MSOTEK MK31011N, MK31010P, MK31009N)
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</ol>
 
<li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
 
<li>EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
 
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image:eeprom01_001.jpg
 
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<li>HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서
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<li>HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서 (EEPROM + M5M41000AP 1MB DRAM)
 
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image:hp35660a_041.jpg
 
image:hp35660a_041.jpg
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<li>UTHE 10H Ultrasonic Generator
 
<li>UTHE 10H Ultrasonic Generator
 
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image:uthe10h01_009.jpg|AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
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image:uthe10h01_009.jpg | AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
 
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<li>PC, 노트북에서
 
<li>PC, 노트북에서
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<li>Fujitsu Notebook E8410
 
<li>Fujitsu Notebook E8410
 
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image:fujitsue8410_064.jpg|SPI Flash 메모리
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image:fujitsue8410_064.jpg | SPI Flash 메모리
 
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<li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
 
<li>LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
 
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image:ibm_t40_108.jpg|SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
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image:ibm_t40_108.jpg | SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
 
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<li>도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
<li>도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
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image:slc460w_07_012.jpg|1Gbit Flash(128MB)
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image:slc460w_07_012.jpg | 1Gbit Flash(128MB)
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image:flash01_001.jpg|TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
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image:flash01_001.jpg | TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
 
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image:flash01_003.jpg|우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
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image:flash01_003.jpg | 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
 
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image:flash01_005.jpg|NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
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image:flash01_005.jpg | NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
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image:flash01_006.jpg|본딩패드 밑에도 회로
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image:flash01_006.jpg | 본딩패드 밑에도 회로
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image:flash01_007.jpg|면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
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image:flash01_007.jpg | 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
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image:flash01_008.jpg|3차원 배선
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image:flash01_008.jpg | 3차원 배선
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image:flash01_009.jpg|inter-digital capacitor
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image:flash01_009.jpg | inter-digital capacitor
 
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<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
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image:agilent1260lc02_022.jpg|Flash Memory
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image:agilent1260lc02_022.jpg | Flash Memory
 
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<li>SSD에서
 
<li>SSD에서
 
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image:ssd02_004.jpg|TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
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image:ssd02_004.jpg | TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
 
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<li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
 
<li>삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
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image:es75_006.jpg
 
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image:es75_011.jpg
 
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image:es75_012.jpg|PCB 전기도금
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image:es75_012.jpg | PCB 전기도금
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<li>3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
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image:3g_module01_014.jpg | 맨 아래, IBA98 마킹 칩
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image:flash02_001.jpg | 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정
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image:flash02_002.jpg | 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.
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image:flash02_003.jpg
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image:flash02_004.jpg | 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.
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image:flash02_005.jpg | MICRON 글씨 높이가 5um
 
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image:uveprom04_006.jpg
 
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image:uveprom04_008.jpg|1992
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image:uveprom04_010.jpg
 
image:uveprom04_010.jpg
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image:2533_024.jpg
 
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image:2533_024_001.jpg
 
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image:2533_024_002.jpg|NEC D27C256D-20
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image:2533_024_002.jpg | NEC D27C256D-20
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<li>알 수 없음.
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<ol>
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<li>왜 IC 소켓을 세라믹 ineterposer에 다시 꼽아 사용했을까?
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image:hp35660a_050.jpg | HP 35660A dynamic signal analyzer, CPU 보드에서
 
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158번째 줄: 180번째 줄:
 
<li>NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
<li>NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
 
<ol>
 
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<li><gallery>
+
<li>외관
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image:slc460w_07_008.jpg
 
image:slc460w_07_008.jpg
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 +
<li>분해시작
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image:dram_nanya_1gb_001.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_001.jpg
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image:dram_nanya_1gb_002.jpg|PCB 본딩 및 몰딩 방법
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image:dram_nanya_1gb_002.jpg | PCB 본딩 및 몰딩 방법
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image:dram_nanya_1gb_003.jpg|태우고
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image:dram_nanya_1gb_003.jpg | 태우고
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image:dram_nanya_1gb_004.jpg|칼로 긁고
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image:dram_nanya_1gb_004.jpg | 칼로 긁고
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image:dram_nanya_1gb_005.jpg|치약으로 닦고
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image:dram_nanya_1gb_005.jpg | 치약으로 닦고
 
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<li><gallery>
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<li>내부칩
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image:dram_nanya_1gb_006.jpg
 
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image:dram_nanya_1gb_011.jpg
 
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image:dram_nanya_1gb_012.jpg
 
image:dram_nanya_1gb_012.jpg
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image:dram_nanya_1gb_013.jpg|한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit
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image:dram_nanya_1gb_013.jpg | 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit
 
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 +
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</ol>
 
<li>SDRAM
 
<li>SDRAM
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image:ssd02_016.jpg
 
image:ssd02_016.jpg
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image:ssd02_017.jpg|96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
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image:ssd02_017.jpg | 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
 
image:ssd02_018.jpg
 
image:ssd02_018.jpg
 
image:ssd02_015.jpg
 
image:ssd02_015.jpg
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image:ssd02_019.jpg|on-line에서 해석안됨
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image:ssd02_019.jpg | on-line에서 해석안됨
 
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<li>Keithley 195A, DMM에서
 
<li>Keithley 195A, DMM에서
 
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image:keithley195a_010.jpg|Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
+
image:keithley195a_010.jpg | Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
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 +
<li>MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
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<ol>
 +
<li>외관
 +
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 +
image:7060a01_042.jpg | MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL  UV EPROM 32k Bit NOS
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 +
<li>외관
 +
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 +
image:sram_mcm6810_001.jpg
 +
image:sram_mcm6810_002.jpg | 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.
 +
image:sram_mcm6810_003.jpg
 +
image:sram_mcm6810_004.jpg | 셀 배열
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image:sram_mcm6810_005.jpg | 셀 확대
 +
image:sram_mcm6810_006.jpg | 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정
 
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</ol>
 
<li>F-RAM
 
<li>F-RAM
199번째 줄: 243번째 줄:
 
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
<li>Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
 
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<gallery>
−
image:agilent1260lc02_020.jpg|F-RAM
+
image:agilent1260lc02_020.jpg | F-RAM
 
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</ol>
 
</ol>
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<ol>
 
<li>SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
 
<li>SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
 +
<ol>
 +
<li>Flash
 +
<ol>
 +
<li>Agilent E4401B S/A에서
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 +
image:e4401b02_008.jpg | LH28F320SKTD-L70 32Mbit Flash
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image:e4401b02_009.jpg | 뒷면 - 비어 있음.
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 +
<li>DRAM
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<ol>
 +
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<li>DIMM - dual in-line memory module
 
<li>DIMM - dual in-line memory module
 
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<ol>
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<li>2018.12 채기병 기증품에서
 
<li>2018.12 채기병 기증품에서
 
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image:dimm03_001.jpg|M378B5773CH0-CH9,
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image:dimm03_001.jpg | M378B5773CH0-CH9,
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image:dimm03_002.jpg|78 FBGA, K4B2G0846C, 256MB, DDR3 SDRAM
+
image:dimm03_002.jpg | 78 FBGA, K4B2G0846C, 256MB, DDR3 SDRAM
 
image:dimm03_003.jpg
 
image:dimm03_003.jpg
 
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<li>2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
 
<li>2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
 
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image:dimm04_001.jpg|NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
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image:dimm04_001.jpg | NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
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image:dimm04_002.jpg|NT5TU128M8DE-AD 128Mb x 8 = 1Gb, 400Mbps DDR2 SDRAM, 60-ball BGA
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image:dimm04_002.jpg | NT5TU128M8DE-AD 128Mb x 8 = 1Gb, 400Mbps DDR2 SDRAM, 60-ball BGA
 
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<li>omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
 
<li>omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
 
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image:j1409a00_018_010.jpg
 
image:j1409a00_018_010.jpg
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<li>Agilent E4401B S/A에서
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 +
image:e4401b02_009.jpg
 +
image:e4401b02_010.jpg | 16Mb DRAM 양면에 16개 실장된 DIMM, 총 32MB(opt.B72)
 
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</ol>
 
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<li>SO-DIMM(small outline DIMM)
 
<li>SO-DIMM(small outline DIMM)
 +
<ol>
 +
<li>DDR-2
 +
<ol>
 +
<li>노트북 Compaq nx6320,  Samsung 1GB 2Rx8(2rank, 칩구성비트) M470T2953CZ3-CE6, PC2-5300S-555-12-E3
 +
<gallery>
 +
image:compaq_nx6320_012.jpg
 +
image:compaq_nx6320_013.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>DDR-3
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
 
<li>2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
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image:dimm02_004.jpg
 
image:dimm02_004.jpg
 
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</gallery>
 +
<li>Single Board Computers-1에서
 +
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 +
image:sbc01_023.jpg | Kingmax Semiconductor 2048 MB (DDR3-1333), FSFE85F-C8HS9
 +
image:sbc01_024.jpg
 +
image:sbc01_025.jpg | 204-pin
 +
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 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2019년 10월 7일 (월) 18:17 판

memory IC

  1. ROM
    1. ROM
      1. DMM, HP3455A

        • 2048바이트 ROM 3개(MSOTEK MK31011N, MK31010P, MK31009N)

    2. EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
      1. GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
        • zs 6120b 003.jpg
        • zs 6120b 012.jpg
      2. 온도기록계에서
        1. DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
          • flashlink01 004.jpg
          • flashlink01 005.jpg
        2. DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
          • flashlink ct 009.jpg
          • flashlink ct 006.jpg
        3. EL-USB-1
          • el usb 1 002.jpg
          • el usb 1 008.jpg
        4. D99
          • apresys d99 003.jpg
          • apresys d99 005.jpg
      3. Winbond, W27E512
        • eeprom01 001.jpg
      4. HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서 (EEPROM + M5M41000AP 1MB DRAM)
        • hp35660a 041.jpg
        • hp35660a 042.jpg
        • hp35660a 044.jpg
    3. Flash Memory
      1. UTHE 10H Ultrasonic Generator

        • AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family

      2. PC, 노트북에서
        1. Fujitsu Notebook E8410

          • SPI Flash 메모리

        2. LG IBM ThinkPad T40, Type 2373

          • SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application

      3. 도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판

        • 1Gbit Flash(128MB)

        • TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.

        • flash01 002.jpg

        • 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor

        • flash01 004.jpg

        • NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음

        • 본딩패드 밑에도 회로

        • 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함

        • 3차원 배선

        • inter-digital capacitor

      4. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품

        • Flash Memory

      5. SSD에서

        • TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB

      6. 삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
        • es75 006.jpg
        • es75 011.jpg

        • PCB 전기도금

      7. 3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서

        • 맨 아래, IBA98 마킹 칩

        • 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정

        • 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.

        • flash02 003.jpg

        • 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.

        • MICRON 글씨 높이가 5um

    4. UV-EPROM
      1. AMD
        1. AM27C512
          • uveprom1 001.jpg
          • uveprom1 002.jpg
          • uveprom1 003.jpg
        2. M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
          1. HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
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      2. ST
        1. M27C256B
          1. espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
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          2. Iwatsu DMM, VOAC 7513 메모리보드에서,
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            • 1992

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        2. M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
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      3. NEC
        1. D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
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          • NEC D27C256D-20

      4. 알 수 없음.
        1. 왜 IC 소켓을 세라믹 ineterposer에 다시 꼽아 사용했을까?

          • HP 35660A dynamic signal analyzer, CPU 보드에서

  2. RAM
    1. DRAM
      1. NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
        1. 외관
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        2. 분해시작
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          • PCB 본딩 및 몰딩 방법

          • 태우고

          • 칼로 긁고

          • 치약으로 닦고

        3. 내부칩
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          • 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit

    2. SDRAM
      1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
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        • 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm

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        • on-line에서 해석안됨

    3. S-RAM
      1. Keithley 195A, DMM에서

        • Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM

      2. MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
        1. 외관

          • MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL UV EPROM 32k Bit NOS

        2. 외관
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          • 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.

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          • 셀 배열

          • 셀 확대

          • 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정

    4. F-RAM
      1. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품

        • F-RAM

  3. Memory Module
    1. SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
      1. Flash
        1. Agilent E4401B S/A에서

          • LH28F320SKTD-L70 32Mbit Flash

          • 뒷면 - 비어 있음.

      2. DRAM
    2. DIMM - dual in-line memory module
      1. 표준
        1. IBM XEON dual CPU 서버에서
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        2. 2018.12 채기병 기증품에서

          • M378B5773CH0-CH9,

          • 78 FBGA, K4B2G0846C, 256MB, DDR3 SDRAM

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        3. 2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)

          • NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

          • NT5TU128M8DE-AD 128Mb x 8 = 1Gb, 400Mbps DDR2 SDRAM, 60-ball BGA

        4. omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
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        5. Agilent E4401B S/A에서
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          • 16Mb DRAM 양면에 16개 실장된 DIMM, 총 32MB(opt.B72)

      2. SO-DIMM(small outline DIMM)
        1. DDR-2
          1. 노트북 Compaq nx6320, Samsung 1GB 2Rx8(2rank, 칩구성비트) M470T2953CZ3-CE6, PC2-5300S-555-12-E3
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        2. DDR-3
          1. 2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
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          2. Single Board Computers-1에서

            • Kingmax Semiconductor 2048 MB (DDR3-1333), FSFE85F-C8HS9

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