메모리

memory IC

ROM
1. ROM
  1. DMM, HP3455A
    - 2048바이트 ROM 3개(MSOTEK MK31011N, MK31010P, MK31009N)
2. EEPROM (는 byte단위로 writing, flash 메모리는 블록단위로 writing 구조간단)
  1. GPIB I/O장치 ZS-6120B에서, 27C256
  2. 온도기록계에서
    1. DELTATRAK, In Transit FlashLink, Data Logger, 20042
    2. DELTATRAK, FlashLink CT 모델 20763
    3. EL-USB-1
    4. D99
  3. Winbond, W27E512
  4. HP 35660A dynamic signal analyzer, ROM 보드에서 (EEPROM + M5M41000AP 1MB DRAM)
3. Flash Memory
  1. UTHE 10H Ultrasonic Generator
    - AT29C256;Flash Memory, 32KB // P80C32SBAA 80C51 8bit microcontroller family
  2. PC, 노트북에서
    1. Fujitsu Notebook E8410
      - SPI Flash 메모리
    2. LG IBM ThinkPad T40, Type 2373
      - SST 49LF008A - A Microchip Technology Company, 8Mbit Firmware Hub for PC-BIOS application
  3. 도시바 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
    - 1Gbit Flash(128MB)
    - TSOP(Thin Small Outline Package) 측면 타이바4개 보임.
    - 우하 밝게빛나는 부분이 capacitor
    - NAND FLASH EEPROM으로 적혀있음
    - 본딩패드 밑에도 회로
    - 면적으로 계산하면 약 1M, 한 격자안에 1K 셀이 있어야 함
    - 3차원 배선
    - inter-digital capacitor
  4. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
    - Flash Memory
  5. SSD에서
    - TFGDMZT-1D04, 16nm Micron MLC NAND flash, 32GB
  6. 삼성 ES75 콤팩트 카메라, SEC K9F5608U0D-J, 32MByte FLASH MEMORY
    - PCB 전기도금
  7. 3G 통신모듈, 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작. BPW-M100에서
    - 맨 아래, IBA98 마킹 칩
    - 2 stack chip, 맨 위는 패턴이 단순해 DRAM으로 추정, 아래는 Flash 메모리로 추정
    - 전기도금 라인이 왼쪽에 보인다.
    - 아래 칩. SLC 2Gb 34nm (M69A)로 추정.
    - MICRON 글씨 높이가 5um
4. UV-EPROM
  1. AMD
    1. AM27C512
    2. M27C040, 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
      1. HP 70420A Test Set(phase noise 측정기)
  2. ST
    1. M27C256B
      1. espec 진공오븐 콘트롤러 보드에서
      2. Iwatsu DMM, VOAC 7513 메모리보드에서,
        
        1992
    2. M27C512, (512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM) ST, Kikusui, Time Interval Jitter Meter, KJM6765(CD/DVD 지터 측정기)
  3. NEC
    1. D27C256D-20, Yokogawa 2533 Digital Power Meter, CPU 보드에서
      - NEC D27C256D-20
  4. 알 수 없음.
    1. 왜 IC 소켓을 세라믹 ineterposer에 다시 꼽아 사용했을까?
      - HP 35660A dynamic signal analyzer, CPU 보드에서
RAM
1. DRAM
  1. NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
    1. 외관
    2. 분해시작
      - PCB 본딩 및 몰딩 방법
      - 태우고
      - 칼로 긁고
      - 치약으로 닦고
    3. 내부칩
      - 한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit
2. SDRAM
  1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
    - 96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm
    - on-line에서 해석안됨
3. S-RAM
  1. Keithley 195A, DMM에서
    - Xicor, 256x4bit, Nonvolatile Static RAM
  2. MCM68A10P, 1984년도, Fast 360ns 128 x 8-bit SRAM
    1. 외관
      - MCM68A10P Fast 360ns 128 x 8-bit Memory RAM // TMS2532JL UV EPROM 32k Bit NOS
    2. 외관
      - 셀 수를 세어보면, 가로 16+16=32개, 세로 32개, 총 1024셀. 128 x 8 bit 맞다.
      - 셀 배열
      - 셀 확대
      - 2x2 셀 크기.대충 10um 해상도 공정
4. F-RAM
  1. Agilent 1260 LC(Liquid Chromatography) 장비 부품
    - F-RAM
Memory Module
1. SIMM - single in-line memory module (여기서는 한쪽에만 IC장착된 제품으로 분류함)
  1. Flash
    1. Agilent E4401B S/A에서
      - LH28F320SKTD-L70 32Mbit Flash
      - 뒷면 - 비어 있음.
  2. DRAM
2. DIMM - dual in-line memory module
  1. 표준
    1. IBM XEON dual CPU 서버에서
    2. 2018.12 채기병 기증품에서
      - M378B5773CH0-CH9,
      - 78 FBGA, K4B2G0846C, 256MB, DDR3 SDRAM
    3. 2018.12 채기병 기증품에서 - 냔야, 2018년 기준 세계 4위 DRAM(삼성 46% SK하이닉스 29%, 마이크론 21% 난야 2.5%)
      - NT2GT64U8HD0BY-AD, 2GB 1Gb x 16, Nanya Technology Corporation, Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
      - NT5TU128M8DE-AD 128Mb x 8 = 1Gb, 400Mbps DDR2 SDRAM, 60-ball BGA
    4. omniBER에서, M53210410CW0-C60, 4MB X 32 DRAM Simm Using 4MB X 4, 4KB/2KB Refresh, 5V
    5. Agilent E4401B S/A에서
      - 16Mb DRAM 양면에 16개 실장된 DIMM, 총 32MB(opt.B72)
  2. SO-DIMM(small outline DIMM)
    1. DDR-2
      1. 노트북 Compaq nx6320, Samsung 1GB 2Rx8(2rank, 칩구성비트) M470T2953CZ3-CE6, PC2-5300S-555-12-E3
    2. DDR-3
      1. 2018.12 채기병 기증품에서. 엘피다(NEC,Hitachi합작 일본의 유일한 DRAM업체, 2012년 파산하여 그해 미국 마이크론으로 인수됨
      2. Single Board Computers-1에서
        
        Kingmax Semiconductor 2048 MB (DDR3-1333), FSFE85F-C8HS9
        
        204-pin