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정전식 지문센서
 
정전식 지문센서
 
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<li>링크
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<li> [[정전식 지문센서]] - 이 페이지
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<li>정전용량 스와이프(capacitive, swipe) 방식
 
<ol>
 
<li> [[Fujitsu E8410]]에서
 
<ol>
 
<li>외관
 
<gallery>
 
image:fujitsue8410_012.jpg | 지문센서
 
</gallery>
 
<li>보드에서
 
<gallery>
 
image:fingerprint02_001.jpg
 
image:fingerprint02_002.jpg
 
image:fingerprint02_003.jpg | 3.2x1.3mm [[압전체 레조네이터]]
 
</gallery>
 
<li>패키징
 
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image:fingerprint02_008.jpg
 
image:fingerprint02_009.jpg
 
image:fingerprint02_010.jpg
 
</gallery>
 
<li>다이
 
<gallery>
 
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image:fingerprint02_011.jpg
 
image:fingerprint02_012.jpg
 
image:fingerprint02_013.jpg
 
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</ol>
 
<li>2014 삼성 갤럭시 S5 [[SM-G906S]]
 
 
<ol>
 
<ol>
<li>Synaptics 회사제품. 정전용량 스와이프(capacitive, swipe) 방식, 표면 코팅 수지를 벗기면
+
<li> [[스와이프 정전식 지문센서]]
<gallery>
+
<li> [[터치 정전식 지문센서]]
image:sm_g906s_042.jpg
 
image:sm_g906s_043.jpg
 
</gallery>
 
<li>[[유기물기판]] 솔더 레지스트 보호막을 벗기면, 미세한 [[동박 설계]]를 볼 수 있다.
 
<gallery>
 
image:sm_g906s_044.jpg
 
image:sm_g906s_045.jpg
 
</gallery>
 
<li>PCB를 찢으면
 
<gallery>
 
image:sm_g906s_046.jpg
 
</gallery>
 
<li>PCB 뒷면에 BGA IC가 붙어 있다.
 
<gallery>
 
image:sm_g906s_047.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
 
</ol>
 
</ol>
<li>정전용량 고정(capacitive, Static=Touch)방식
 
<ol>
 
<li>핸드폰용 - Goodix GF5216 센서 사용. P회사는 2014년부터 양산(?)
 
<ol>
 
<li>외관
 
<gallery>
 
image:fingerprint03_001.jpg
 
image:fingerprint03_002.jpg | Goodix GF5216M R01 1640 DD(대덕)
 
image:fingerprint03_003.jpg
 
image:fingerprint03_004.jpg
 
</gallery>
 
<li>패키지
 
<gallery>
 
image:fingerprint03_005.jpg
 
image:fingerprint03_006.jpg | GF5216
 
image:fingerprint03_007.jpg
 
image:fingerprint03_008.jpg
 
image:fingerprint03_009.jpg
 
image:fingerprint03_010.jpg | 투명 유리? (접착제 색깔로 흰색으로 보임)
 
</gallery>
 
<li>솔더 알갱이
 
<gallery>
 
image:fingerprint03_011.jpg
 
image:fingerprint03_012.jpg
 
image:fingerprint03_013.jpg
 
image:fingerprint03_024.jpg
 
</gallery>
 
<li>센서 x축 128개, y축 60개 = 7680개
 
<gallery>
 
image:fingerprint03_014.jpg
 
image:fingerprint03_015.jpg
 
image:fingerprint03_016.jpg
 
image:fingerprint03_017.jpg
 
</gallery>
 
<li>측면 와이어본딩용 가공
 
<gallery>
 
image:fingerprint03_018.jpg
 
image:fingerprint03_019.jpg
 
image:fingerprint03_020.jpg
 
</gallery>
 
<li>ID 및 C 보정용 패턴?
 
<gallery>
 
image:fingerprint03_021.jpg
 
image:fingerprint03_022.jpg
 
image:fingerprint03_023.jpg
 
</gallery>
 
<li>검은색 제품은 발연질산에 녹여서(하양 제품은 태워서 분해했음)
 
<gallery>
 
image:fingerprint03_2_001.jpg | BSOB 사진
 
image:fingerprint03_2_002.jpg | 측면전극
 
image:fingerprint03_2_003.jpg | 매우두꺼운 보호막
 
image:fingerprint03_2_004.jpg | 초경바늘로 긁음. 유리질 보호막
 
image:fingerprint03_2_005.jpg | ID
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
 
<ol>
 
<li>위치
 
<gallery>
 
image:redmi_note4x_021.jpg
 
image:redmi_note4x_022.jpg | 지문센서 부착방법.
 
image:redmi_note4x_021_001.jpg
 
</gallery>
 
<li>PCB
 
<gallery>
 
image:redmi_note4x_021_002.jpg | FPMJ012 17269006
 
image:redmi_note4x_021_004.jpg | 납땜 패드만(?) 전기도금한다.(?)
 
</gallery>
 
<li>표면에 열풍을 가하면
 
<gallery>
 
image:redmi_note4x_021_003.jpg | 페인트 칠이다. 지문 기름성분이 잘 안묻는 수지 코팅만 했다.
 
</gallery>
 
<li>다이
 
<gallery>
 
image:redmi_note4x_021_005.jpg | 5.9x5.75mm die size
 
image:redmi_note4x_021_006.jpg | 5.6x4.4mm sensing area size, 112x88=9856 cells
 
image:redmi_note4x_021_007.jpg
 
image:redmi_note4x_021_008.jpg
 
image:redmi_note4x_021_009.jpg | 50x50um pitch
 
image:redmi_note4x_021_010.jpg | 7033
 
</gallery>
 
<li>동작원리
 
<gallery>
 
image:redmi_note4x_021_011.jpg
 
image:redmi_note4x_021_012.jpg
 
</gallery>
 
</ol>
 
<li> Apple [[iPhone 5S]]
 
<ol>
 
<li>지문센서 택타일 누름스위치
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_218.jpg | 누르면 들어가도록 설계되어 있다.
 
image:iphone5s01_219.jpg | 택타일 스위치가 동작되도록 뒤에서 받치고 있다.
 
image:iphone5s01_220.jpg | 택타일 스위치가 있다.
 
image:iphone5s01_221.jpg | 지문센서 모듈을 분리하면
 
</gallery>
 
<li>붙어 있는 [[택타일]] 스위치를 뜯어 분해하면
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_222.jpg | 레이저 용접. 지문센서 모듈 전체가 택타일 스위치를 누른다.
 
image:iphone5s01_223.jpg | 지문센서 전체를 움직이는 탄성을 가져야하므로 크게 만든듯. 백색인데, 은도금은 아닌듯.
 
</gallery>
 
<li>지문센서 금속 프레임
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_224.jpg | 금속에 검정 코팅했다. 긁어도 벗겨지지 않는다.
 
image:iphone5s01_225.jpg | CNC 기계 가공으로 모든 형상을 만들었다.
 
</gallery>
 
<li>지문센서를 찾기 위해 계속 분해
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_226.jpg | 레이저 용접 판을 뜯으면, F-PCB가 있다.
 
image:iphone5s01_227.jpg | F-PCB를 뜯으면, 지문센서 IC가 나타난다. F-PCB에 IC를 다이본딩/와이어본딩한 후에 커버창을 붙였다.
 
</gallery>
 
<li>지문센서를 눌러도 문제가 없도록 한 고정 방법
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_228.jpg
 
image:iphone5s01_229.jpg
 
</gallery>
 
<li>지문센서 측면
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_230.jpg | 지문센서 IC는 두 번 다이싱으로 잘랐다.
 
image:iphone5s01_231.jpg | 지문센서 커버창은 레이저 [[다이싱]]. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.
 
image:iphone5s01_230_001.jpg
 
</gallery>
 
<li>보호창(protective window) Double Side Polished (DSP) sapphire wafers에 IC는 풀로 붙였다.
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_231_001.jpg | 손가락이 닿는 앞면
 
image:iphone5s01_231_002.jpg | 뒷면(센서 부착면)
 
image:iphone5s01_231_002_001.jpg | 측면 및 뒷면을 긁어보니. 사파이어 맞다.
 
</gallery>
 
<li>지문센서 다이
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_231_003.jpg | 88x88 = 7744 cells
 
image:iphone5s01_231_004.jpg
 
image:iphone5s01_231_005.jpg | 와이어본딩을 위한 MEMS 가공
 
image:iphone5s01_231_006.jpg | TMDR92(AuthenTec 어센텍. 2012년 애플이 인수했다.)
 
image:iphone5s01_231_007.jpg
 
image:iphone5s01_231_008.jpg | 피치 51um
 
image:iphone5s01_231_009.jpg | [[Copyright]] 마크
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>스와이프(capacitive, swipe) 방식
 +
<li>터치(capacitive, Static=Touch)방식
 
</ol>
 
</ol>

2022년 11월 25일 (금) 23:21 기준 최신판

정전식 지문센서

  1. 전자부품
    1. 센서
      1. 지문센서
        1. 정전식 지문센서 - 이 페이지
          1. 스와이프 정전식 지문센서
          2. 터치 정전식 지문센서
  2. 스와이프(capacitive, swipe) 방식
  3. 터치(capacitive, Static=Touch)방식