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| − | image:knowles01_015.jpg | + | image:knowles01_015.jpg | 맨 위 부품면 4층 |
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image:z8m01_024.jpg | 아랫쪽에도 도전성 가스켓이 있다. | image:z8m01_024.jpg | 아랫쪽에도 도전성 가스켓이 있다. | ||
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image:z8m01_024_004.jpg | 하양 유전체 수지 위아래 동박이 있어 embedded capacitor를 형성했다. | image:z8m01_024_004.jpg | 하양 유전체 수지 위아래 동박이 있어 embedded capacitor를 형성했다. | ||
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| + | <li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서 | ||
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| + | image:redmi_note4x_048.jpg | 납땜으로 금속 뚜껑을 붙임 | ||
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| + | image:redmi_note4x_054.jpg | top(1층) 동박 | ||
| + | image:redmi_note4x_055.jpg | 1층과 2층 동박사이에 있는 FR4 유전체 | ||
| + | image:redmi_note4x_056.jpg | 2층 동박 | ||
| + | image:redmi_note4x_057.jpg | 2층 동박을 벗기면, 하양 유전체가 보인다. 이 유전체 두께로 C값을 좌우한다. | ||
| + | image:redmi_note4x_058.jpg | 하양 유전체 두께는 매우 얇다. 유전율을 높일수 없어서 두께를 얇게해서 C값을 높인다. | ||
| + | image:redmi_note4x_059.jpg | 3층 동박. 두 개의 C가 형성되어 있다. | ||
| + | image:redmi_note4x_060.jpg | 납땜을 위한 bottom면(4층) 동박 | ||
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| + | <li>귀쪽에 위치한, 소음 제거용 [[MEMS마이크]] | ||
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| + | image:redmi_note4x_078.jpg | PCB 3개를 붙여서 만들었다. | ||
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| + | image:redmi_note4x_083.jpg | C embedded PCB를 사용했다. | ||
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2021년 9월 9일 (목) 16:54 판
PCB C
- 전자부품
- FR-4
- 층간 C 측정 방법
- 18/05/25 강대리에게 해당 PCB를 얻어서(테프론이라 했으나)
- 일부 영역을 잘라내
- C값을 측정함
- 내부 전극 연결방법
- 18/05/26 - +1250ppm/'C 나옴. 테프론이 아님
- 18/05/25 강대리에게 해당 PCB를 얻어서(테프론이라 했으나)
- 삼성전자 TV LN32N71BD, CCFL용 파워에서
CCFL에 걸리는 전압에 대한 Overvoltage protection 검출을 위한 피드백용 C(~10pF 인듯)
- 층간 C 측정 방법
- MEMS마이크에서는 앰프 출력에 두 개의 C필요.
- Knowles, S190에서
- PCB 기판
- 동박
납땜면 1층
그 위 2층. PCB로 C를 형성했다. C가 필요하다.
그 위 3층
맨 위 부품면 4층
- PCB 기판
- Knowles, S150에서
아랫쪽에도 도전성 가스켓이 있다.
검정 도전성 가스켓
표면 동박
중간 동박
하양 유전체 수지 위아래 동박이 있어 embedded capacitor를 형성했다.
- Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
- 메인 마이크
납땜으로 금속 뚜껑을 붙임
PCB top(1층) 동박
top(1층) 동박
1층과 2층 동박사이에 있는 FR4 유전체
2층 동박
2층 동박을 벗기면, 하양 유전체가 보인다. 이 유전체 두께로 C값을 좌우한다.
하양 유전체 두께는 매우 얇다. 유전율을 높일수 없어서 두께를 얇게해서 C값을 높인다.
3층 동박. 두 개의 C가 형성되어 있다.
납땜을 위한 bottom면(4층) 동박
- 귀쪽에 위치한, 소음 제거용 MEMS마이크
MN7A7 7719 3021
PCB 3개를 붙여서 만들었다.
C embedded PCB를 사용했다.
- 메인 마이크
- Knowles, S190에서
