R&K A0825-4343-R

Togotech (토론 | 기여)님의 2022년 2월 3일 (목) 10:22 판

R&K A0825-4343-R

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 앰프
        1. R&K A0825-4343-R RF Power Amplifier - 이 페이지
      2. 참고
        1. RF앰프 모듈
  2. 정보
    1. 제조회사 R&N 알엔케이 https://rk-microwave.com/
    2. 데이터시트 - 1p
      1. 800~2500MHz, 20W @P1dB, gain 44dB, 3dBm max input, class A, AC100 400VA
      2. RF in: SMA(f), RF out: N(f)
      3. (W)480mm(D)499.5mm(H)149mm, 20.0kg
    3. 내부 회로
      1. 2022/02/02
    4. 구입이력
      1. 2022/01/13
      2. 판매자가 제공한 사진
      3. 2022/01/28 도착
    5. 외관
    6. 내부
    7. AC전원용 노이즈필터 소켓
    8. SMPS 3개, 100Vac용이 있다.
    9. AC팬 4개, 모두 100Vac용이다.
    10. 입력단
      1. 입력, 전력 분배기
      2. 전력 검출기 및 프리 전력 증폭기
      3. RF 전력 검출기 R&K DE040
      4. 입력, 프리 전력 증폭기
    11. 파워 앰프, class A 앰프이다. 항상 바이어스 전류가 흐르고, 가장 좋은 선형 출력을 갖는다. 효율이 가장 낮다. 입력이 0이어도 소모전력은 그대로이다.
      1. 내부
      2. 분배기, 결합기에서 - 내부 쉽게 열 수 없어 관찰하지 못함.
      3. 4채널 앰프, FET Tr 출력이 5W이므로 4개를 병렬로 하여 20W를 만든다.
      4. 어느 한 채널에서
      5. Eudyna Device Inc. Sumitomo Electric Industries 계열사로 2009년에 합병됨.
        1. Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) devices를
        2. 2004년도에 최초로 depletion-mode radio frequency (RF) transistors를 생산함.
        3. silicon carbide (SiC) substrates 에 GaN을 사용함.
        4. 이후 2005년도에는 Nitronex Corporation 회사가 실리콘 웨이퍼에 GaN을 키워 depletion-mode RF HEMT device를 최초로 생산함.
    12. 출력단
      1. 방향성 결합기
      2. 방향성 결합기에서 나오는 반사파, 통과파 포트에서
        1. 전체
        2. 감쇠기
        3. RF 전력 검출기, R&K DE010-0F, 100kHz~3GHz
          1. 사진
          2. 저항기 위에 올라가 있는 MLCC