SM-A516N

Togotech (토론 | 기여)님의 2022년 11월 1일 (화) 21:35 판

삼성 갤럭시 A51 휴대폰, SM-A516N

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 핸드폰
        1. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰 - 이 페이지
  2. 기술자료
    1. 사용자 설명서 - 152p
    2. 외부 링크
      1. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20A51
      2. 2019년 12월 출시 발표
    3. 규격
      1. 주파수
        1. NR, band 78
          1. 송신(TX): 3420~3700 MHz, 수신(RX): 3420~3700 MHz
        2. LTE Bands, Band 1/Band 2/Band 3/Band 4/Band 5/Band 7/Band 8/Band 12/Band 13/Band 17/Band 20/Band 26/Band 28/Band 66/Band 38/Band 40/Band 41
          1. Tx 1920~1980/1850~1910/1710~1785/1710~1755/824~849/2500~2570/880~915/699~716/777~787/704~716/832~862/814~849/703~748/1710~1780/2570~2620/2300~2400/2496~2690 MHz
          2. Rx 2110~2170/1930~1990/1805~1880/2110~2155/869~894/2620~2690/925~960/729~746/746~756/734~746/791~821/859~894/758~803/2110~2180/2570~2620/2300~2400/2496~2690 MHz
        3. WCDMA(Band 1/Band 2/Band 4/Band 5/Band 8)
          1. TX: 1922.4~1977.6/1852.4~1907.6/1712.4~1752.6/826.4~846.6/882.4~912.6 MHz
          2. RX: 2112.4~2167.6/1932.4~1987.6/2112.4~2152.6/871.4~891.6/927.4~957.6 MHz
        4. GSM850, GSM900, DCS1800, DCS1900
          1. TX: 824.2~848.8 MHz, 880.2~914.8 MHz, 1710.2~1784.8 MHz, 1850.2~1909.8 MHz
          2. RX: 869.2~893.8 MHz, 925.2~959.8 MHz, 1805.2~1879.8 MHz, 1930.2~1989.8 MHz
      2. CPU: EXYNOS980
      3. WiFi:
        1. 2412~2472 MHz(802.11 b/g/n)
        2. 5180~5240, 5260~5320, 5500~5700, 5745~5825 MHz(802.11a/n/ac)
      4. MST: 송수신: 1.6/3.3 KHz, 모듈:ISP7022, 최대5cm
      5. NFC: 송수신: 13.56 MHz
      6. ANT+: 송수신: 2402~2480 MHz, 모듈: S5N5C20X00-6030
        1. 2.4GHz ISM밴드를 사용하는 저전력 센서네트워크용 무선통신규격 이름.
    4. 전원켜기 끄기
      1. 전원켜기: 측면 버튼을 몇 초간 길게 누른다.
      2. 전원끄기: 음량 하 버튼 + 측면버튼을 동시에 길게 누르고, 전원 끄기를 선택한다.
        1. 아무 반응이 없으면, 7초 이상 길게 누른다. (강제로 다시 시작하기)
  3. 이력
    1. 2022/09/30 입수됨
  4. 뒤면 커버를 뜯어내면, 양면 접착테이프로 붙어 있다.
  5. 뒤면 커버에 붙인 서멀 패드형 방열 테이프. 이쪽으로는 크게 열나는 부품은 없기 때문에 대충 방열해도 된다.
  6. NFC+MST(Samsung Pay) 코일
    1. 페라이트 시트 에서 자세히 분석
  7. 파우치 2차-리튬, 모델:EB-BA516ABY, 정격 3.86V 4370mAh 16.87Wh, 제조자:Ningde Amperex Technology(암페렉스 테크놀로지)
    1. 사진
    2. 5A 충방전, 49싸이클 측정 엑셀 파일
    3. 5A 방전시 표면온도는 50'C이다.
    4. 300V 8A 용량을 갖는 3.81mm 피치용 터미날블록에서 문제를 일으켰다.
    5. 보호회로
      1. 앞 뒤면
      2. 저항을 줄이기 위해 대면적을 사용하는 BGA 전력용 스위칭 FET
      3. SMD타입 전류검출용R 저저항
  8. 아래쪽 안테나 및 스피커,USB-C,3.5mm 단자구멍
  9. USB-C 단자구멍. 침수라벨
  10. 접지. 안테나를 위해서는 핸드폰 전체 금속 프레임이 반드시 확실한 접지로 취급한다.
  11. 코인타입 ERM 진동모터 -> 자세히 분석
  12. 테이프를 뜯어보니, 아무것도 아니다. OLED 디스플레이를 바로 볼 수 있는 여러 구멍이 있다. (표준화를 위해 다른 어떤 부품을 설치하기 위한 옵션으로 뚫어놓았다.)
  13. 스크류 5개가 부족하다. 먼저 분해했던 사람이 나사 5개를 체결하지 않았다.
  14. under-display fingerprint sensor, 광학식 지문센서 -> 자세히 분석
  15. 전면 카메라를 위해, OLED 디스플레이 패턴이 형성되어 있지 않는 구멍
  16. 리시버용 스피커
  17. FPCB에 SMD납땜할 때, 납땜 불량, 솔더 필렛이 형성되지 않는 부품에서는 과다 불량에 해당된다.
  18. 정전식 터치스크린을 뜯으면
    1. 사진
    2. 참고, 아래 사진은 2014년 10월 출시된 SM-G5308W용 터치 스크린 패턴이다. 이 패턴과 같은 모양을 갖는다.
    3. 이 핸드폰이 (침수로 인해) 고장난 현상(좌측 터치영역이 동작하지 않는다. qwerty자판으로 볼 때 1 이 2로 입력된다.)
  19. 터치패널을 분리하면
  20. OLED용 DDI
  21. OLED 후면, 방열구리판에 기포 방열패드
  22. 금속 메인프레임
  23. 메인보드
    1. 앞면 및 뒷면
    2. 앞면 부품
      1. 카메라 장착 방법
      2. 앞면 방열
      3. 실드 깡통을 벗기면
        1. 대부분 L, C인 수동부품이 많다.
        2. 뜯어보면
      4. 실드코팅으로 차폐시킨 RF 모듈 4개가 보인다.
      5. 주요 부품
        1. NXP 55303, NFC
        2. Qorvo 78077
      6. SAMSUNG SHANNON5510, RF Transceiver IC
      7. Murata K21 JrCVB
        1. 윗면, 아랫면
        2. LTCC 기판
        3. 다층형 RF용 인덕터 0.4x0.2mm
        4. 23개 다이(19번 잃어버림. 9번과 같은 크기로 추측)
        5. #01
        6. #02
        7. #03
        8. #04
        9. #05
        10. #06
        11. #07
        12. #08
        13. #09
        14. #10
        15. #11
        16. #12
        17. #13
        18. #14, 투명다이
          1. WLP 납땜
          2. 다이 관찰
        19. #15, Si접합
        20. #16
        21. #17
        22. #18
        23. #19 - 잃어버림
        24. RF스위치IC
          1. 스위치-1, Peregrine
          2. 스위치-2, Peregrine
          3. 스위치-3, Peregrine
          4. 스위치-4, Peregrine
    3. 뒤면 부품
      1. 디스플레이쪽으로, 금속 메인프레임과 맞닿게 그라파이트 시트로 방열
      2. (금속 메인프레임과 닿아 확실히 방열이 되어야 하는) 뒷면 방열
      3. 비교적 두꺼운, 방열 검정 스폰지 테이프 밑에는 그라파이트 시트가 깡통에 붙는다.
      4. 열이 많이 발생하여 확실히 방열하고 있는 두 부품
      5. 실드코팅으로 차폐시킨 RF 모듈
    4. 실드코팅으로 차폐시킨 RF 모듈 5개 개별 사진
      1. Qorvo QPA4580
        1. 외관
        2. 측면 관찰하면
        3. 측면 금속 코팅을 칼로 긁어보니
        4. 타이바. 타이바가 반드시 있어야 하므로, 이왕이면 전기도금을 하면 좋을 것이다.
        5. 꼭지점을 칼로 절단한 후
        6. 내부
    5. Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, Power Amplifier Module(PAM)
      1. 3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
      2. PA용 Indium gallium phosphide(InGaP) 다이
      3. MIPI 콘트롤러 silicon 다이
    6. WiFI 칩(?)
    7. 필터
      1. Skyworks 77786-11 옆에
        1. 외관
        2. 디캡핑(decapping)
        3. 다이싱 관찰
          1. 무라타
          2. 와이솔
          3. 엡코스
      2. ?? 옆에서