"SM-A710S"의 두 판 사이의 차이

2021년 3월 8일 (월) 09:32 판

삼성 갤럭시 A7, SM-A710S

링크
1. 전자부품
  1. 핸드폰
    1. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S
기술자료
1. 사용자 설명서 A710K(KT), A710L(LG U+), A710S(SKT) - 151p
2. 외부 링크
  1. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20A7(2016)
  2. 2015년 12월
3. 분해제품 모델: , 제조연월 2017년 4월
  1. 사용주파수 (A710K(KT), A710L(LG U+), A710S(SKT) 3개 모델 모두 똑같다.)
    1. LTE B1(2100), B3(1800), B5(850), B7(2600), B8(), B17
      1. Tx: 1920~1980, 1715~1785, 824~849, 2500~2540, 904.3~915, 704~716MHz
      2. Rx: 2110~2170, 1810~1880, 869~894, 2620~2660, 949.3~960, 734~746MHz
    2. 3G WCDMA B1(2100), B2(1900), B5(850)
      1. TX: 1922.8~1977.2, 1852.4~1907.6, 824~849MHz
      2. RX: 2112.8~2167.2, 1932.4~1987.6, 869~894MHz
    3. 2G
      1. GSM 900, TX: 880.2~914.8MHz, RX:925.2~959.8MHz
      2. DCS 1800, TX: 1710.2~1784.8MHz, RX: 1805.2~1879.8MHz
      3. PCS 1900, TX: 1850.2~1909.8MHz, RX: 1930.2~1989.8MHz
  2. 뒷면 메인카메라:
  3. 디스플레이: 139.3mm(5.484인치=5.5형) 16:9비율 1920x1080 super AMOLED
    1. 63.24um 피치로 계산된다.
  4. 지문센서:
동작하지 않는 상태에서 충전만 하면, 12시간 동안 소비전류
이 상태로 유지되는 고장품
- ODIN MODE
외관
AP 면
AP+RAM 와 Flash
1. 사진
  - SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB, Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, Flash 16GB
2. AP
  - SAMSUNG Mobile Processor, Exynos 7 Octa(7580), 1.6GHz 64-bit 8-core(Cortex A53), 28nm
3. RAM
4. Flash
트랜시버 블록
1. 트랜시버 IC, SAMSUNG SHANNON 928P
2. FEMiD
3. LNA+SAW 모듈 두 개
  - Wisol VU: L11RB0 B1/4 Rx 2140MHz VX: L17RB0 B7 Rx 2655MHz LNA SAW module
  - 측면 도금 타이바
4. PAM
  - 다이 4개 사용
5. PAM 옆 SAW 필터
6. DPX
  - 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.
상단 안테나
1. 상단
  - 왼쪽 sub, 오른쪽 깡통에 GPS 모듈
상단 우측 모서리, SUB ANT에 연결되는 Diversity-Rx SAW 모듈
1. 파트
  - 마킹 L6R0D W6028
2. Diversity-Rx SAW 모듈
  1. - 1,2,3번 필터 표시
    - 뒷면에 다이아몬드 표시(솔더링 면적을 줄이기 위해서?)
  2. dual filter-1
    1. H942BA0 MP1 WJL
    2. H876BA3 MP3 WJL
      - 전극에서 정전기 파괴
      - 확대
      - 반사기 옆 전극에서
      - 구멍 및 구멍을 피하고 있는 금전극
  3. dual filter-2
    1. H737AA3 MP2 LMH
    2. HG56BA0 MP9 KRF KYH
      - 정전기 파괴
  4. dual filter-3
    1. 폴 연결 방법
    2. HG60CC0 MP3 WJL
      - 정전기 파괴 - 두 DMS 전극 사이
    3. HG40BC3 MP2 RHO
      - 범프볼이 금전극면과 접착(확산)되지 않았다.
3. 단품 RF SAW 필터
  - VH: HG42AA0, LTE B3, 1842.5MHz
  - 2000x1333 pixel
  - 4260x2840 pixel
  - HG42AA0 MP3 KKS
  - 주기 2.17um 중심주파수 1842.5MHz 이므로 SAW 속도는 3993m/sec
  - 왼쪽: 사진제품, 오른쪽: 나라면 (입력접지는 입력으로. Y축에 긴 전극은 정전기를 유발한다.)
4. 단품 SAW DPX
  - 위치
  - 1.8x1.4mm
상단 좌측 모서리, WiFi 및 ANT+ (Garmin이 개발한 sports 및 fitness sensor용 저전력 2.4GHz 무선네트워크)
1. 사용 WiFi
  1. 2412~2472 MHz(802.11 b/g/n)
  2. 5180~5240, 5260~5320, 5500~5620, 5745~5805 MHz(802.11a 및 802.11n) 참고로: 일명 기가와이파이라 불리는 802.11ac는 지원하지 않는다.
2. PCB에서
  - BCM43454 HKUBG WiFi/BT, ANT+ 기능이 있다.
  - 1.4x1.1mm SAFEA2G45MB0F3K로 추정
3. 패키지면
  1. 전체
  2. 왼쪽 아래
    - stud bump에서 꼬리가 약간 길 때 발생되는 듯.
    - 파인애플
  3. 왼쪽 위
  4. 가운데 위
    - 2595x2841 pixels, 가로 110um 세로 120um 타원형 크기
상단 중앙, GPS
1. 사진
  - 위치
  - BCM47522iUB2G GPS-IC 및 GPS SAW 필터
2. 분해
  - DH69-A1
  - Series resonator의 Tap만 두껍다. 그러나 Shunt resonator Tap 폭은 IDT 폭과 동일하다.
  - 주기 2.45um (추정 주파수 약 1650MHz)
  - 다이를 볼 때(파인애플 속 꼭지)
3. 분리면 관찰 (서로 다른 접합면에서 각각 사진을 찍음)
  - 그림설명. 파단면에서 아래를 바라볼 때, 위를 쳐다볼 때
  - 아래를 바라볼 때(패키지면)
  - 위를 쳐다볼 때(다이면)
배터리 전류 게이지용 저저항
- 위치
- 마킹 재료는 수지 잉크
- 긁어낸 보호막 재료는 검정 수지
- laser perforation pitch = 10um
MST 및 NFC 코일
1. 어떤 회사 제품은 3층으로 구성
  1. FPCB - 안테나
  2. shielding sheet
  3. graphite sheet(배터리 등 본체 내부로부터 열방출)
2. 3가지 기능
  1. NFC 13.56MHz+-0.35MHz 1.0~2.0오옴
  2. MST 1.6~3.3kHz, 26.2~28.2uH, 1.45~2.25오옴, 삼성페이용 마그네틱 보안 전송;MST Magnetic secure transmission 용이다.
  3. WPC 8.65~9.45uF, 0.18~0.58오옴
3. MST 칩은 Zinitix 지니틱스 회사의 ZF110
4. 외관, 점점이 4개인데, 2개는 NFC, 2개는 무선충전용이다.
  - 본체쪽에는 페라이트 시트가 붙어 있다.
  - 뚜껑쪽에는 코일면이다. A7 REV.04A H8643S (한솔테크닉스 제작?)
5. 차폐 시트를 뜯어보면, (페라이트 재질이 아니므로 페라이트 시트라고 하지 않는다.)비정질 합금(아몰퍼스 amorphous alloy) (Nanocrystalline로 표현하기도 한다.)로 추정
  - 두께 100~150um 로 추측
6. 안테나 코일 시트, 앞 뒤 표면에 붙어 있는 검정색 보호 테이프를 제거한 후 촬영
  - Tx기기와 잘 위치 매칭되기 위해 개구부를 넓힌다. 또한 L값을 키우기 위해 크게 돌린다.
7. 양면 연결. 저항을 낮추기 위해서 양면 코일을 병렬로 연결함.
배터리
1. 9V 1.67A 고속충전을 지원한다.
2. 배터리 충방전 실험
3. 사진 충전 전압 4.4V 공칭 3.85V이다.
  - EB-BA710ABA, 12.71Wh, 제조년월 2017 04, cell made in JAPAN, 제조자: YoungBo Vina Co., Ltd. (영보엔지니어링 회사 상호는 알머스로 변경됨.)
마이크로 스피커
1. 5가지 상태
  - 상태1(원래)
  - 상태2(메인홀 막고)
  - 상태3(벤트홀 막고)
  - 상태4(백볼륨 파괴)
  - 상태5(전면 파괴)
2. 분해하면서 임피던스 측정
전면 패널
1. 상단에서는 RF 안테나 없음.
2. 하단에는
물이 들어가
OLED 디스플레이(아래)와 메인 알루미늄 프레임(위) 분리하면
1. 사진
  - SAMSUNG S6SMC44X S1727-PTK
2. OLED 빛을 막고(검정 테이프), (꽤두꺼운 동박) 방열용 구리판
3. 중간 알루미늄 주물 프레임
  - 윗쪽
  - NEW A7 V6-2 >PPA-GF50< Polyphthalamide 폴리프탈아미드+Glass Fiber 50%
터치 스크린 본딩
OLED 패턴
1. 픽셀 배열은 다이아몬드 형태 RG-BG 펜타일 서브픽셀 방식을 사용한다.
2. 사진
  - 가로 피치 65um 세로 피치 32.5um
  - 가로세로 피치 ~65um
DDI 본딩
- 흰선투명박스-유리, 노랑박스-DDI
진동모터 - 햅틱지원하지 않는다.
- 전압을 서서히 올리면 부드럽게 잘 돈다.

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 <li> [[마이크로 스피커]]
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+<li>5가지 상태
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 image:a710s01_046.jpg | 상태1(원래)
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 image:a710s01_049.jpg | 상태4(백볼륨 파괴)
 image:a710s01_050.jpg | 상태5(전면 파괴)
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 <li>분해하면서 임피던스 측정
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 <li>상단에서는 RF 안테나 없음.
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 <li>하단에는