DRAM

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1. 링크
   1. 전자부품
      1. 메모리
         1. RAM
            1. DRAM - 이 페이지
2. DRAM
   1. ELPIDA
      1. B130ABC, 1Gb Mobile DDR2
         1. 트랜시버IC, GCT GDM7243S 에서
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         2. 1차 질산에 넣어서
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              DRAM 와이어본딩이 양쪽이어서 한쪽으로 연결하기 위해 인터포저를 사용

         3. 2차 질산에 넣어서
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              칩 3개 크기 비교(아래 오른쪽 작은 칩은 TCXO용 AKM6617)

         4. DRAM 칩
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              DRAM 최상위 금속층은 구리 배선으로 덮혀있다.

      2. Apple iPhone 5S에서, 모바일AP + RAM PoP(Package On Package)
         1. 보드에서
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              특별히 캔 오른쪽에는 딱딱하고 두꺼운 방열용 어떤 판이 붙어 있다.

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              Elpida 8Gbit DDR3 RAM이 PoP되어 있음

         2. 뜯어내면
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              PoP

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              AP 다이방열을 위해 위에 있는 RAM과 완전 밀착

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              AP 밑면 솔더링

         3. RAM Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
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              다이 두 개를 다이본딩, 와이어본딩

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              위쪽 다이 ELPIDA F440AAA

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              아래쪽 다이 ELPIDA F440AAA

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              구리본딩인듯. 와이어를 찾을 수 없었음.

      3. Sony XCD-SX910CR IEEE1394 동영상카메라에서
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           Elpida DS1232AA, 128M-bit SDRAM

   2. HYUNDAI
      1. Palm Vx PDA에서
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           HYUNDAI GM71VS65163CLT5, 64Mbit DRAM

   3. Hynix
      1. DELL studio1737 노트북
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           그래픽용 Hynix HY5PS561621B 256M-bit DDR2 SDRAM

   4. Infineon
      1. Palm TX PDA에서
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           Samsung K9F1G08U0A NAND Flash 128MByte, intel 28F640J3C115 64Mbit Flash, Infineon HYB25L256160AF 256Mbit Mobile DRAM(=low-power SDRAM)

   5. Micron
      1. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서, AP+RAM 붙인 PoP(Package On Package)에서
         1. 윗면에는 Micron 회사의 RAM 이다.
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              밑면 솔더면은 AP이다.

         2. PoP(Package On Package)
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              패키지 위에 패키지가 있다.

         3. 두 패키지를 분리하면
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              Mediatek MT6797W AP + Micron RAM

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   6. NANYA 1Gbit - 삼성 레이저프린터 주회로기판
      1. 외관
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      2. 분해시작
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           PCB 본딩 및 몰딩 방법

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           태우고

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           칼로 긁고

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           치약으로 닦고

      3. 내부칩
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           한셀이 0.4um이라면 2층구조이면 1Gbit

   7. Qimonda
      1. 프린터용 LAN카드 HP Jetdirect 620n(J7934g)에서
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           Qimonda DRAM, Spansion Flash

   8. Samsung
      1. PalmOne Zire72 PDA에서
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           SEC K4S281633D 128Mbit Mobile SDRAM x 2ea = 32MB RAM

      2. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S에서
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           왼쪽 SEC K4EHE30 4EAAGCF 3GB RAM, 오른쪽 Toshiba THGBMFG7C2LBAIL, 16GB

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           모바일AP 위에 붙어 있는데 이를 뜯어서 태운 후,다이본딩면을 분리하면

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           4개 다이를 쌓았다.

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           다이 틈새로 Ball Stitch On Ball(BSOB) 와이어본딩한 것으로 추정된다.

   9. Silicon Magic Corporation
      1. 비디오카드, Diamond Stealth 3D 2000 S3-ViRGE PCI VGA graphic card에서
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           feature connector, LPB(Local Peripheral Bus) connector, MPEG connector

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           Silicon Magic Corporation SM81C256K16A1-40, 4Mbit Extended Data Out(EDO) RAM

   10. Vanguard International Semiconductor(VIS)
       1. Palm m500 PDA에서
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            DragonBall VZ, MC68VZ328VF MCU, AM29LV320DB 32Mbit Flash, Vanguard International Semiconductor(VIS) VG36641641DTL 8Mbit SDRAM

3. SDRAM
   1. SSD에서
      1. Transcend SSD에서, K4B1G1646I-BCK0, 64Mx16=1Gb DDR3-1600Mbps SDRAM, 1.5V, 96FBGA
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           96 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) Fine Pitch = 0.4~1.0mm

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           on-line에서 해석안됨

   2. 그래픽용
      1. Samsung K4W2G1646Q-BC1A, Graphic RAM, DDR3 SDRAM 2Gb 900MHz/1.5V FBGA96 - Lenovo ideapad 700-15isk 노트북에서
         1. GPU 옆에, 8개 사용 = 2G바이트
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         2. 외관
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              뜯으면

         3. 패키지 분해
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              다이, PCB, EMC 수지

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              PCB

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              BGA방식으로 접합된 다이

         4. PCB와 BGA로 연결된다. (즉, 와이어본딩이 아니다.)
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         5. 다이 마킹 K4B2G1646Q, 128Mx16=2Gbit DDR3L Q-die, 96-FBGA (패키지 마킹은 K4W- 로 서로 다르다.)
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              2013, SAMSUNG K4B2G1646Q

      2. 비디오카드, ATi Radeon HD3850에서
         1. Samsung K4J52324QE, 512Mbit GDDR3 SDRAM, 하나는 실리콘 방열패드가 닿지 않아, 실리콘이 번지지 않아 마킹이 깨끗
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              memory BUS width 256-bit

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              실리콘패드에 닿지 않아 방열안되는 DRAM

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              각 DRAM 뒤쪽 수동부품

   3. CPU 옆 주메모리에서
      1. 내비게이션에서, mobile용이란 뜻을 알 수 있는 제품
         1. 하이닉스 Mobile DDR SDRAM와 삼성 NAND flash
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         2. 두 회사 메모리를 동시에 질산에 넣은 후
            1. Mobile용 IC란, 싸게 만들기 위해 EMC 특성(기계적강도, 열방출효과 등)이 낮고, 본딩와이어도 금 대신 구리(녹아 사라졌기 때문에)를 사용한다.
            2. 하이닉스 H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR SDRAM (두 개 이므로 128MB)
               1. 칩 전체
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                    질산에서 꺼내

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                    표면을 살짝 연마한 후

               2. 4사분면
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                    DJC058C

               3. 2사분면
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                  • 
               4. 1사분면
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               5. 상단 가장자리 다이싱 빈 공간에 길게 공정별 해상도 챠트가 있음
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            3. 삼성 K9F1208ROC 64M-8bit(64MB) NAND flash - 모바일용과 달리 EMC, 와이어가 녹지 않는다.
               1. 질산에 한 번
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               2. 질산에 더(두번째)
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               3. 질산에 더(세번째)
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                    6.50x6.15mm, 규칙배열이 가로 32개x4열=128열, 세로 128줄

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                    64MB 용량 메모리 전체 면적이, 흰 박스 크기가 가로, 세로로 128개가 있다. 그러면 박스는 256kbit용량(=512x512bit = 64x64byte)이어야 한다.

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                  • 

                    2006 SAMSUNG K9F1208R0C

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                    삼성마크 길이: 59um, 수직 직선 배경 전극: 주기 0.80um, 전극폭 0.4um