8960

Togotech (토론 | 기여)님의 2022년 3월 11일 (금) 12:17 판

8960; E5515C 무선 통신 테스트 세트

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 8960 무선 통신 테스트 세트 - 이 페이지
  2. 기술문서 Agilent 8960 series 10, E5515C Wireless Communication Test Set 무선 통신 테스트 세트
    1. Installation Note - 6p
    2. Installation Note - 24p
    3. - p
    4. Replaceable Parts List - 34p
  3. 분해 시작
    1. 일련번호 GB42230148, 영국 42+61=2003년제조
    2. 측면, 전원공급기
    3. 전면 패널 연결
    4. 후면
    5. 밑면 RF 섹션
    6. 측면, 보드 냉각용 axial flow팬
    7. 스크류
  4. 시스템 구성
    1. 두 마더보드 전체 구성
    2. 마더보드 1
    3. 두 마더보드 연결
  5. 시스템 RF커넥터 케이블링
    1. 외관
    2. (현재 규격 모름)커넥터
  6. 후면 패널
    1. 전체
    2. OCXO
    3. 모듈라 소켓 포트
    4. 2.5인치HDD
    5. PCB
      1. 앞면 뒤면
      2. 금속 물체를 PCB에 납땜하여 고정함
      3. 노이즈 제거를 위해 MLCC를 접지에 납땜함.
      4. CMF
      5. 디지털 통신신호선에 모두 Tr사용
  7. 전면 패널
    1. 앞에서
    2. 패널 뒤에서
    3. PCB 도금 및 PCB 쓰루홀에 너트 고정 방법
    4. 하드 메뉴에 사용되는 도전성고무 스위치
    5. 소프트 메뉴(화면 옆에 배치된)에 사용되는 도전성고무 스위치
      1. 연결
      2. LC필터, L-C-L(T;Tee필터) 구조
      3. IDC 커넥터
      4. 스위치 접점
    6. 도전성고무를 자르면
    7. 광학식엔코더 및 선택용 누름 스위치
      1. 외형 및 고정방법
      2. 회전 방향 감지용
      3. 돌아가는 클릭감 부여
      4. 선택용 누름 감지용
      5. 주변에
    8. 전면 패널용 플라스틱 프레임에 실드코팅
    9. LCD 화면 보호용 유리 (투명 도전체로 실드코팅된 듯)
    10. LCD 모듈(NEC NL6448AC33-29) 및 디스플레이 인터페이스 보드(HP E5515-60228)
    11. LCD 백라이트용 CCFL 전원장치, board ID: NEC, 104PWBR1-B, HPC-1363A / HIV-484
      1. 회로
      2. 고압용 긴 MLCC
      3. 기타부품
  8. 전원 분배 보드, E5515-60211
    1. 앞면 뒷면
    2. 마더보드와 연결되는 5V 전원을 위한 대전류 동박
    3. LC필터, L-C-L(T;Tee필터) 멜프형 구조
    4. 관심 부품
  9. RF 프론트엔드 (option 002는 RF 출력이 두 개이다. 왼쪽은 out 전용, 오른쪽 포트는 in-out 겸용)
    1. E5515-21042 RF-OUT, RF-IN 포트 보드
    2. E5515-60403 보드
      1. 전체
      2. in/out 포트에서
      3. out 전용 포트에서, 감쇠기(?)
        1. 사용
        2. 뜯어내 측정
        3. 내부 구조
        4. 100MHz에서 감쇠 실측값이 5.08dB 이므로 라면 병렬 두 개는 175.8오옴과 직렬 한 개는 30.9오옴이어야 한다.
          1. 그러면 입력-출력 사이저항은 28.4오옴, 입력-접지 사이저항은 95.0오옴으로 측정되어야 한다.
          2. 실측하니 29.1오옴, 95.8오옴이다.
          3. 그러면 두 개의 병렬저항은 177오옴, 한 개의 통과저항은 31.7오옴이어야 한다. 이를 pi 감쇠기 계산식이 넣으면, 5.12dB 감쇠기이다.
          4. 측정값 -5.08dB, 저항값으로 계산하면 -5.12dB이다.
      4. 감쇠기
      5. 관심
      6. RF스위치IC, MACOM SW-338 GaAs SPDT terminated Switch DC-2.5GHz
      7. 두 보드간 RF 커넥터 연결 방법
      8. RF용 허메틱 밀봉 릴레이
      9. ????
    3. 제어보드
      1. 커넥터와 연결되는, 디지털 제어 신호가 통과하는 LC필터, L-C-L(T;Tee필터) 멜프형 구조
      2. RF 전력 측정 중요 부품
        1. 전체
        2. 1GC1-4222, 더 자세한 내용은 RF앰프 참조할 것
        3. Agilent 5086-4230, thermistor RF power sensor로 추정. RF파워미터용 센서
          1. 외형
          2. 다이본딩
          3. 센서 패턴, 하나는 RF용 로드이고, 하나는 DC 인가하여, 온도차이가 0이 나는 DC 전류로 RF 전력을 계산할 듯
      3. RF스위치IC, AC-438 SPDT, Alpha 회사
      4. IC
      5. 수동부품
  10. E5515-60101 3GHz 감쇠기 보드로 같은 것이 두 장 설치됨. option 002 인 Second RF source가 설치되어 있어.
    1. 앞뒤 외관
    2. 분해하면
    3. 신호 경로
    4. RF 커넥터와 PCB 연결
    5. 콘트롤 파트
    6. SPDT RF스위치IC를 여러 개 사용하는 프로그래머블 감쇠기 회로
    7. 4개 사용하는 RF스위치IC, SPDT, AC-438, Alpha(Skyworks)
      1. 보드에서
      2. 내부
    8. 2개 사용하는 RF스위치IC, AS006M2-10, Alpha(=Skyworks), GaAs FET SPDT Switch, DC-6GHz
    9. 다이오드 클리퍼(diode clipper) 회로, 한쪽 Tr은 잘라내는 전압을 조정할 수 있는 듯.
      1. 사진
      2. 다이오드 특성, VS시트에 있음
  11. Measurement Downconverter(MDC) E5515-60462 PCB, 5041-3626 금속상자
    1. 금속 상자 분해
    2. 앞면
    3. 뒷면
    4. 관심 영역
    5. 단판C
    6. 관심 부품
    7. RF IC 3개
      1. Agilent 1GC1-4222, RF앰프
      2. Agilent 1GG74235 RF앰프
      3. Agilent 1GM14214, RF스위치IC
    8. 50오옴 저항기 3개
    9. 감쇠기
      1. Susumu high precision chip attenuator, PAT1632(3.2x1.6mm) 시리즈
        1. C03, 3dB
        2. C06, 6dB
          1. 외관
          2. 측정
          3. 레이저 트리밍된 저항체
        3. C10, 10dB
      2. 칩저항 3개로
        1. 사진 및 특성 그래프
        2. 칩저항기 저항값 측정
    10. 마이크로-X Tr
    11. RF믹서, MCL JYM-30H
    12. 마이크로스트립 필터
      1. 사진
      2. 측정 방법
      3. 주파수 특성 측정 엑셀 데이터
    13. SAW-기타IF, SAWTEK(=Qorvo), Signal Conditioning SAW Filter, Fc=104.5MHz, BW=5MHz와 1.1MHz 제품
      1. 855696, BW 5MHz
        1. 외관
        2. 실드를 한 후, 매칭을 함
        3. 매칭 전후 통과 특성
        4. 매칭 전후 광대역 특성
      2. 854819, BW1.1MHz
        1. 외관
        2. 실드 전 후
        3. 실드 전후 통과대역 특성
        4. 실드 전후 광대역 특성
        5. 매칭 전 후
        6. 내부
        7. 다이, 입출력 중심거리 4.65mm, 입력전극주기=31.34um, 출력전극주기=31.42um, (주파수 104.5MHz, saw속도=3275m/sec 112'LT?)
        8. 입력전극
        9. 출력전극 EWC(Electrode Width Control) SPUDT transducer
  12. Demodulation Downconverter
    1. 앞면
      1. 전체
      2. 제너 다이오드 전압표준
      3. (정밀 저항기 구매를 쉽게 하기 위해?) 리드 저항기와 칩 저항기를 선택해서 사용할 수 있도록 동박 설계함.
      4. SAW-기타IF, SAWTEK 0410-4286, 854649, Signal Conditioning SAW Filter, Fc=105MHz BW=1.4MHz
        1. 사진
        2. E5071C 계측기로 측정
        3. R3768로 측정한, 매칭 전후 주파수 및 TDT 측정 엑셀 데이터
        4. 주파수 온도 특성 측정
          1. 실험 사진
          2. 엑셀 테이터
      5. SOT-23 패키지, (아마 schottky) series pair 다이오드이므로 2개 직렬로 연결함.
      6. Keysight HMMC3122 DC-12GHz 1/2 prescaler, KEL32 MC100EL32 ECL 1/3 divider
      7. RF스위치IC, Alpha(Skyworks) AC-438 SPDT, 감쇠기를 통과하느냐 그렇지 않느냐
      8. 마이크로스트립 필터
        1. 필터-1
        2. 필터-2
      9. RF믹서
      10. 토로이달L을 SMD 부품으로 만드는 방법
      11. 마이크로-X 패키지 사용한 Tr
      12. 감쇠기
    2. 뒷면
  13. Reference
    1. 앞면
    2. Xtal금속 원형 공진기, Croven Crystals, CCCN 20M000000, 20MHz Crystal unit
    3. 뒷면
  14. Vector Output Board, E5515-60355, option 002 때문에 두 장 있다.
    1. 금속 상자 분해
    2. 누를 때 체결되는 RF커넥터
    3. 제어 신호용 멜프형 LC필터
    4. RF in 에서
      1. 하이패스 다단계 LC필터감쇠기
        1. 앞면 및 뒷면
        2. 사진
        3. 엑셀 측정 데이터
      2. IQ Vector Modulator에 사용되는 변복조 IC에서 변조 IC인, Agilent 1GG7-4225, TC733
        1. 사진
        2. 패키지 분해
        3. 칩 바닥면. 웨이퍼 벌크 접지 저항을 줄이기 위해, 밑면에서 Through-silicon via로 연결
        4. 다이 표면 사진
      3. 5영역(?) 주파수별 PIN다이오드, G2V(HSMP-3892, SOT23, dual serial HP3890 pin sw diode) G4V(BAR63-04, SOT23, dual series 3GHz pin diode)
      4. 3개 영역은 low pass 다단계 LC필터이다.
        1. 앞면
        2. 뒷면
        3. 주파수 특성 측정 엑셀 데이터
      5. 2개 영역은 low pass 마이크로스트립 필터이다.
        1. 앞면
          1. 사진
          2. 주파수 특성 측정 엑셀 데이터 front 시트
        2. 뒷면
          1. 사진
          2. 주파수 특성 측정 엑셀 데이터 back 시트
      6. 위 3개 및 2개 영역을 모두 포함한, 5개 영역 필터 특성을 종합함.
      7. 필터에서 RF앰프로 가는 경로에서
        1. 3개 구역으로 나누어져 있음.
        2. 좌우에 있는 다이오드 어레이. 좌우에서 positive, negative signal에 대한 noise를 차단한다. diode series noise clipping circuit
        3. 중간에 있는, 대역통과 다단계 LC필터
          1. 실험 방법 사진
          2. 대역 통과 특성. 약 100MHz~2GHz
      8. RF앰프 섹션에서
        1. 외관
        2. RF 입력 쪽에 설치된 감쇠기
        3. 0.5W급 RF 앰프 모듈이다. Agilent 1GM1-4201, Agilent E4432B signal generator에도 사용된다.
          1. 외형
          2. 뜯으면
          3. 내부
          4. 왼쪽이 출력, 오른쪽이 입력이 되도록 촬영했을 때
          5. 프리앰프 다이
          6. 메인앰프 다이
          7. 메인앰프 다이 본딩 방법
          8. bias tee용, rod core를 사용한 초크 인덕터
          9. Vss용 전류가 통과하는 직렬 ~2.5오옴 와이어본딩용R
        4. RF 파워 측정을 위한, 한쪽 방향성 결합기
          1. 외관
          2. 통과 특성
          3. 통과 전력 측정을 위한, 포워드 포트 특성
          4. 검출포트에 부착된 모든 SMD 부품을 제거하고, 통과 특성 측정
          5. 검출포트 coaxial 케이블을 접지시키면
          6. C 하나 제거하면
        5. RF 전력 검출기에 사용되는 쇼트키 정류다이오드
        6. ALC (auto level control) 블록 - 방향성 결합기에서 나오는 RF 전력을 T5(SOT143, separate dual=unconnected pair HSMS-286B Schottky Detector Diode)가 DC전압으로 검출하여 앰프 출력을 조절한다.
    5. Frequency Synthesizer/Doubler, E4400-60180, ESG-Family Signal Generators,
      1. FM, VCO, BUFFER DIV2, FRAC_N, SYNTH SUPPLY,
      2. 0.25~4GHz를 발생시킨다.
        1. 0.5~1GHz 주파수를 발생시켜 /2 또는 x2 x2를 한다.
        2. 250-396, 396-628, 628-1000, 1.0G-1.26G, 1.26-1.6G, 1.6-2.0G, 2.0-2.52G, 2.52-3.2G, 3.2-4G
      3. PRE LEV, 1ST DBLR, 2ND DBLR
      4. 전체
      5. 잡음제거를 위해, 제어신호 커넥터 포트에 사용되는 MLCC
      6. 제어 파트에서
        1. 가드링이 적용된, 두 군데 OP42 fast precision JFET-input operational amplifier, DG411 quad analog switche
        2. 기타
      7. Power Supply
      8. Buffer, 1/2 divider
      9. VCO
      10. 1st DBLR, 2nd DBLR. 필터
        1. 전체
        2. 250-396, 396-628, 628-1000MHz 필터
        3. 1.26-1.6G, 1.6-2.0GHz 필터
        4. 2.0-2.52G, 2.52-3.2G, 3.2-4G
        5. 주파수 체배기
          1. 기술, Full wave bridge frequency doubler, passive frequency doubler
            1. C8 마킹된 SOT-143 SMD부품이 HSMS-2828, bridge quad, RF Schottky Barrier Diode이다.
          2. 1st DBLR
          3. 2nd DBLR,
      11. FM
      12. FM
      13. FRAC_N
      14. 출력 부분. RF앰프 및 아날로그 감쇠기
    6. Host Board - 백본 VME버스에서 수행되는 CPU와 각종 주변장치를 위한 PCI, IDE 와 연결하는 보드
      1. 앞면
      2. 메인보드 뒤면
        1. 전체
        2. 관심 부품
      3. 메인보드 앞면
        1. 서브보드를 들어내면
        2. 방열판을 들어내면
        3. 방열판에 붙어 있는 PowerPC 603
        4. 큰 IC
        5. Xtal-osc, Kyocera 제조
        6. Xtal세라믹 공진기(crystal unit) 제조회사(검색안됨) MPC, M.P.CO MPCO
        7. 배터리+SRAM사용 RTC
          1. M4T28-BR12SH1, Timekeeper용, 교환가능하도독 Snaphat구조, Lithium Battery(2.8V~ 48mAh), 32.768kHz+-35ppm 을 내장하고 있다.
          2. M48T59Y-70MH1, Timekeeper IC이다. 64kbit SRAM 과 battery/crystal controller 회로를 가지고 있다.
        8. 기타 부품
      4. 서브보드 밑면
        1. 전체
        2. VSSR-시리즈 박막 네트워크 저항기
        3. CR 배터리
      5. 서브보드 앞면, 각종 제어기-IC, National Semiconductor PC87415 PCI-IDE DMA Master Mode Interface Controller, PC87307 Super I/O, EPSON SPC8110F Local Bus LCD/ CRT VGA Controller, PLX Technology PCI9060ES PCI Bus Master Interface Chip
    7. Protocol Processor Board
      1. 앞면
      2. 메인보드 앞면
      3. 메인보드 뒷면
      4. 서브보드 앞면
      5. 서브보드 뒷면
        1. 사진
        2. 지연선, 규격서
    8. LSS Analog Board (Agilent E5515-60166) ANALOG LINK SUB-SYSTEM
      1. 앞면
        1. 전체
        2. DS90CR484 제어기 transmitter converts 48 bits of CMOS/TTL data into eight LVDS (Low Voltage Differential Signaling) data streams. 112MHz clock 사용하면 5.38Gbit/s 전송가능
        3. 기타 IC
        4. IQ 회로
        5. Dale SOMC 1601 16:pin 01:bussed, DIP 저항기 네트워크
      2. 뒷면
    9. RTI 보드
    10. Timig Reference 보드
      1. 앞면
        1. 전체 - VCO가 두 개 있다. 즉, 두 개의 타이밍 발생하는 듯
        2. 제어회로
        3. VCO 및 클럭회로
      2. 뒷면
    11. Host I/O 보드
      1. 앞면
        1. 전체
        2. 관심
        3. 3단자 탄탈C
      2. 뒷면
    12. * DSP board
      1. IDC 커넥터가 뽑히지 않게 고정하는 방법
      2. FPGA가 있는 앞면 및 뒷면 PCB
      3. 펜티엄이 장착된 서브 보드(이하 사진 모두는 펜티엄 서브 보드에서 분석한 내용임)
      4. 서브보드 앞면
        1. 외관
        2. 메모리모듈, 144-pin SO-DIMM(small outline DIMM)
        3. Pentium MMX 266MHz, GC80503CSM
          1. 주변 IC로 Intel PCIset FW82439TX, SL28T, System Controller(펜티엄 프로세서를 위해 칩셋 두 개 중 하나. 나머지는 뒷면에 있는 82371AB)
          2. 방열판 뜯고 펜티엄 확인
          3. 가열해서, 납땜단자를 뜯어낸 후 계속 분해
          4. 폴리이미드 층에 동박 설계
      5. 서브보드 뒷면
      6. VME 커넥터, 메인보드와 서브보드 사이에 핀 연결 - 양쪽 핀(PCB에 압입했다. 아래 플라스틱을 뽑을 수 없다. 핀을 아래로 밀어야 하는데 특별한 치구가 없으면 불가능하다.)
        1. 커넥터1
        2. 커넥터2
      7. 무라타 압전체 레조네이터, SMD 타입 = 세라믹 기판 + 메탈 캡
      8. P-PTC, 모두 6개 사용
      9. 범용다이오드, SOD110 패키지, 고속 스위칭 다이오드, Philips Semiconductors BAS216(1N4148호환), 모두 4개 사용
        1. 사용 예 3가지
        2. 외관
        3. 측정
        4. 내부
    13. * ADC board
      1. 앞면, 뒷면
        1. 전체
        2. 동축케이블를 PCB에 직접납땜하는 방법
      2. 서브보드
      3. 메인보드에서
        1. 서브보드 밑
        2. 금속 깡통 덮는 실드 부분
        3. 병렬 저항
        4. 인덕터 1.2uH 3ADC
    14. * IVF Measurement, Voltmeter/Counter(내부 전압 및 20Hz~50MHz까지 주파수 측정) E5515-60121, E5515-60221
      1. 앞면
      2. 뒷면
      3. 전압표준ADC
      4. 관심 영역 및 부품
      5. 가드링에서
        1. 사진
        2. 색띠 6자리, 900x1000 보라(0.1%) 노랑(25ppm)
        3. FDH300TR, high conductance low leakage 다이오드
      6. 가변C, 1~5pF @1MHz
      7. 인덕터 GOWANDA GA20272K USA-0047
      8. 리드 릴레이
    15. * Audio, E5515-60202
      1. 앞면
      2. 뒷면
      3. AMI회사 ASIC, American Microsystems, Inc. -> AMI Semiconductor(-> ON Semiconductor), 이 회사는 ASIC을 전문으로 만든다.
        1. 보드에서
        2. PGA(pin grid array)
        3. 위쪽에서 리드를 들어올려 뜯어내면
        4. 리드에 다이본딩된 상태를 관찰
        5. 다이
        6. 다이 우하단을 확대하면
        7. Au 볼본딩에서 stitch 와이어본딩 관찰
      4. DAC1, AD565AJD fast 12-bit DAC
      5. DAC2, AD7547JP 12-bit DAC
      6. 필름C
        1. 사진
        2. 0.020uF 제품 Cs/D 측정 데이터
      7. 기타
    16. ROM baseband generator, 동일한 보드 2장이 있다.
      1. 앞면
      2. 뒷면
      3. 앞면에 4 채널, 뒷면에 4 채널, 총 8 채널 multi-stage LC필터가 있다.
        1. 측정 엑셀 데이터
        2. 앞면
        3. 뒤면
        4. 8개 특성. 5% 편차 LC로 만든 LC필터는 (의외로) 필터링 주파수 정확도가 매우 좋다. rejection band에서 보이는 lobe 또한 같은 모양을 갖는다.