SHV-E210K

Togotech (토론 | 기여)님의 2022년 11월 20일 (일) 21:54 판
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삼성 갤럭시 S3, SHV-E210K

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 핸드폰
        1. 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰 - 이 페이지
  2. 기술자료
    1. 외부 링크
      1. 삼성전자 홈 페이지 https://www.samsung.com/sec/support/model/SHV-E210KMB1KC/
      2. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20S%20III
    2. 분해제품 모델: SHV-E210K, 제조연월일 2013년 6월 18일
      1. 사용주파수
        1. LTE Band3 1800MHz
        2. 3G UMTS(WCDMA) B2:1900, B1:2100
        3. 2G GSM GSM900 DCS1800 PCS1900
      2. 뒷면 메인카메라: 800만화소, 전면 보조카메라: 190만화소
  3. 뒤 뚜껑을 열면
  4. NFC 안테나가 붙어 있는 배터리
    1. 외형
    2. 라벨 테이프 벗기면, NFC 안테나가 보인다.
    3. NFC 안테나와 접촉 단자 연결
    4. NFC 안테나 측정 - 이렇게 측정하는 것은 거의 의미가 없다.
      1. 측정 사진
      2. 네트워크분석기 측정 데이터
  5. 후면에 있는 메인용 핸드폰용 이미지센서
    1. 외관, (AF 기능만 있다. OIS 기능은 없다.)
    2. 볼 가이드 VCM AF
    3. 거리 정보에 따라 AF용 전류를 결정하기 위한 (미리 프로그래밍된) 드라이버(?)
    4. 렌즈바렐 위치를 알기 위한 홀소자
    5. 실험하기 위해 코일 연결
      1. 실험 사진
      2. 엑셀파일 - 무슨 의미가 있는지 아직 모르겠음.
    6. 이미지 센서
  6. 후면
    1. T-DMB용 채찍 안테나
    2. 안테나 4개 접점 위치
    3. 상단
      1. 마이크로 스피커 모듈. 면적이 넓어 보통 안테나를 같이 붙인다.
      2. 상단 PIFA 안테나 - Diversity Cellular, GPS
    4. 하단
      1. 관심
      2. 하단 PIFA 안테나 - WiFi, Main Cellular
  7. 메인 보드
    1. 모양
    2. 기판 층수
    3. 디지털 회로면에 있는 모바일AP, Exynos 4 Quad 4412 칩
      1. 전체
      2. AP를 뜯으면
      3. AP 위에 붙어있는 DRAM를 뜯으면. PoP 패키징이라고 한다.
      4. AP용 기판을 3층까지만 확인 - 유기물기판 6층 인듯.
    4. RF 회로면
      1. 보드에서
      2. RF용L
  8. WiFi 모듈(핸드폰)
    1. 외관, KM3305012 VM 무라타
    2. 윗면 액체 에폭시 몰딩품을 벗기면
      1. WiFi IC
      2. LTCC 기판이 보일 때까지 수지를 계속 제거하면서 분석
    3. 아랫면
      1. 외관
      2. 수지를 제거하면서 분석
      3. LTCC 기판
  9. FEMiD
    1. 화살표가 가리키는 부품
    2. 액체 에폭시 몰딩품을 벗기면
    3. 칩 10개를 뜯어내기 위해
    4. LTCC 기판 및 칩
    5. DPX 1 - Rx 다이 없음.
    6. DPX 2
    7. DPX 3
    8. DPX 4
    9. DPX 5
  10. SAW-핸드폰RF
    1. 1~9번까지 RF필터 9개 SAW 다이가 위치한 곳
    2. 칩 1,2, GPS 모듈에서
      1. SAW-GPS, 1.4x1.1mm
      2. #1, 마킹 hDUZ
      3. #2, 마킹 eE D1
    3. 칩 3,4, 2G GSM GSM900 DCS1800+PCS1900,
      1. 외관
      2. GSM900, 942.5MHz, 1.4x1.1mm, 싱글, 와이솔 마킹 9PUY
      3. DCS1800(Rx 1842.5MHz)+PCS1900(Rx 1960MHz), 1.5x1.1mm, 듀얼, 무라다 마킹 ZE SL
    4. 칩 5, Rx 1830MHz(근처의 밴드), 1.4x1.1mm, 무라타 마킹 ???
    5. 칩 6,7, 1.4x1.1mm 싱글, 무라타 마킹 LB a5 와 AB LT
      1. 외관
      2. 왼쪽 쏘필터
      3. 오른쪽 쏘필터
    6. 칩 8, 1.4x1.1mm, 무라타 마킹 FF S9
  11. SAW-핸드폰DPX
    1. 칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
      1. 외관
      2. LTCC 기판
      3. 다이 패턴
      4. ESD 손상 영역1
      5. ESD 손상 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
      6. ESD 손상 영역3
      7. 다이싱, V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.)
  12. 핸드폰에서 발견한 대기압 센서
    1. 외관
    2. 윗 뚜껑을 벗기면 캐비티 유기물기판을 사용했음을 알 수 있다.
    3. chip-on-chp 으로 패키징된 두 IC
      1. 전체
      2. 압력센서
      3. 신호처리 IC
    4. chip-on-chip 을 서로 연결하기 위한 Au 볼 와이어본딩
    5. 발연질산 처리 후, 신호처리 IC의 와이어본딩 패드 관찰
    6. (절대값인) 대기압을 측정하므로, (아래 빈공간은 밀봉되어야 한다.) 허공에 떠 있는 멤브레인
      1. 멤브레인에 크랙을 가한 후 - 초음파세척을 하니
      2. 멤브레인을 제거한 후 - 초음파세척을 계속하니
    7. 다이싱
  13. 기타
    1. 핸드폰용 근접센서
    2. 리시버용 스피커