"스트레인"의 두 판 사이의 차이

잔글
 
(같은 사용자의 중간 판 2개는 보이지 않습니다)
1번째 줄: 1번째 줄:
 
스트레인(변위) 센서
 
스트레인(변위) 센서
 
<ol>
 
<ol>
<li>링크
+
<li> [[전자부품]]
 +
<ol>
 +
<li>센서
 +
<ol>
 +
<li> [[스트레인]] 센서 - 이 페이지
 +
<ol>
 +
<li> [[로드셀]]
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>참고
 
<ol>
 
<ol>
<li> [[전자부품]]
+
<li> [[TIRAtest 28025 UTM]]
 +
</ol>
 +
<li>참조 부품
 
<ol>
 
<ol>
 +
<li> [[압력센서]]
 +
<li>압전 저항 센싱방식의 [[가속도센서]]
 
<li> [[저울]]
 
<li> [[저울]]
<li> [[스트레인]] - 이 페이지
+
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>참고
 +
<ol>
 +
<li>위키페디아, extensometer, 신장계, https://en.wikipedia.org/wiki/Extensometer
 +
<ol>
 +
<li>늘어나는 길이는 측정한다.
 +
<li>UTM 측정, 즉, stress-strain measurements에서 strain을 측정한다.
 +
<li>접촉식과 비접촉식
 +
<ol>
 +
<li>접촉식
 +
<ol>
 +
<li>클립온 장치: 작은 변위는 측정하지 어렵다.
 +
</ol>
 +
<li>비접촉식
 +
<ol>
 +
<li>레이저 신장계(laser extensometer): 온도 챔버에서 사용할 수 있다.
 +
<li>비디오 신장계(video extensometer): 시편에 금을 그어 비디오 사진에서 픽셀로 길이를 판독한다.
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>MTS 회사의 신장계 카탈로그 - 40p
 +
<li>TML(Tokyo Measuring Instruments laboratory Co., Ltd) 회사 카탈로그 - 104p
 +
<ol>
 +
<li>Load Cell, Displacement Transducer, Pressure Transducer, Acceleration Transducer, Strain Gauge
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>출력
 +
<ol>
 +
<li>출력저항값: 주로 120 또는 350Ω
 +
<li>출력전압: 1.5mV/V 또는 2mV/V
 +
<ol>
 +
<li>최대하중 출력전압이다.
 +
<li>1V 인가하면 1.5mV 변한다.
 +
</ol>
 +
<li>게이지 팩터(gauge factor;GF)
 +
<ol>
 +
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Gauge_factor
 +
<li>전기저항 R과 기계적 변위(strain) ε와의 관계를 말한다.
 +
<ol>
 +
<li>GF = (ΔR/R) / (ΔL/L) = (ΔR/R) / ε = 1+2ν+(Δρ/ρ)/ε
 +
<li>재료가 찌그러들어도 비저항이 변하지 않으면(Δρ=0) 저항변화는 ν(푸아송 비)에 따르므로 게이지팩터는 1+2ν가 된다.
 +
<li>그러나, 대부분 스트레인 게이지는 강한 압전효과를 갖기 때문에 (Δρ/ρ)/ε 값이 지배한다.
 +
</ol>
 +
<li>금속포일: 2-5, constantan 박막: 2, 실리콘 단결정: -125 to +200, 실리콘다결정: +-30, 후막저항: 100, p형 Ge: 102를 갖는다.
 +
<li>대부분 콘스탄탄을 사용하므로(?) 게이지 팩터는 2라고 생각하다.
 +
</ol>
 +
<li>게이지 팩터는 대부분 2이므로, 2mV/V 출력제품은 4000x10E-6 strain 값을 갖는다.
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
17번째 줄: 76번째 줄:
 
<li>IC TPM754 - Microcontroller with TrackPointE microcode from IBM
 
<li>IC TPM754 - Microcontroller with TrackPointE microcode from IBM
 
</ol>
 
</ol>
<li>CDI(consolidated devices, inc) 회사의 토크렌치 Computorq Model 2502CI 에서
+
<li> [[토크 렌치]], CDI(consolidated devices, inc) 회사의 Computorq Model 2502CI 에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>토크렌치
+
<li>외형
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:scale2_005.jpg
 
image:scale2_005.jpg
37번째 줄: 96번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li> [[LG IBM T40]] 노트북에서
+
<li> [[포인팅스틱]]에서 자세히 분석
<ol>
 
<li>외형
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:ibm_t40_004.jpg | 빨콩
 
</gallery>
 
<li>모듈
 
<gallery>
 
image:ibm_t40_030.jpg | TPM754(MCU) LMC60341M(CMOS Quad Operational Amplifier)
 
image:ibm_t40_037.jpg
 
</gallery>
 
<li>스트레인 센서 패턴 - 4방향이므로 4개 패턴(참고: Wheatstone bridge를 사용하여 온도영향을 제거하는 것과 다르다.)
 
<gallery>
 
image:ibm_t40_173.jpg
 
 
image:ibm_t40_174.jpg
 
image:ibm_t40_174.jpg
image:ibm_t40_175.jpg
 
</gallery>
 
<li>17/08/30 센서 저항 측정 엑셀 데이터
 
<gallery>
 
image:strain02_001.jpg
 
image:strain02_002.png | 손가락으로 누를 때. 고정치구가 없어 불완전함
 
 
</gallery>
 
</gallery>
</ol>
 
 
<li>백금 저항체로
 
<li>백금 저항체로
 
<ol>
 
<ol>
75번째 줄: 115번째 줄:
 
<li>17/08/30 측정 데이터  
 
<li>17/08/30 측정 데이터  
 
<gallery>
 
<gallery>
image:strain01_004.png | 신용카드를 앞뒤로 휘면
+
image:strain01_004.png | [[신용카드]]를 앞뒤로 휘면
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>

2025년 12월 24일 (수) 10:08 기준 최신판

스트레인(변위) 센서

  1. 전자부품
    1. 센서
      1. 스트레인 센서 - 이 페이지
        1. 로드셀
    2. 참고
      1. TIRAtest 28025 UTM
    3. 참조 부품
      1. 압력센서
      2. 압전 저항 센싱방식의 가속도센서
      3. 저울
  2. 참고
    1. 위키페디아, extensometer, 신장계, https://en.wikipedia.org/wiki/Extensometer
      1. 늘어나는 길이는 측정한다.
      2. UTM 측정, 즉, stress-strain measurements에서 strain을 측정한다.
      3. 접촉식과 비접촉식
        1. 접촉식
          1. 클립온 장치: 작은 변위는 측정하지 어렵다.
        2. 비접촉식
          1. 레이저 신장계(laser extensometer): 온도 챔버에서 사용할 수 있다.
          2. 비디오 신장계(video extensometer): 시편에 금을 그어 비디오 사진에서 픽셀로 길이를 판독한다.
      4. MTS 회사의 신장계 카탈로그 - 40p
      5. TML(Tokyo Measuring Instruments laboratory Co., Ltd) 회사 카탈로그 - 104p
        1. Load Cell, Displacement Transducer, Pressure Transducer, Acceleration Transducer, Strain Gauge
    2. 출력
      1. 출력저항값: 주로 120 또는 350Ω
      2. 출력전압: 1.5mV/V 또는 2mV/V
        1. 최대하중 출력전압이다.
        2. 1V 인가하면 1.5mV 변한다.
      3. 게이지 팩터(gauge factor;GF)
        1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Gauge_factor
        2. 전기저항 R과 기계적 변위(strain) ε와의 관계를 말한다.
          1. GF = (ΔR/R) / (ΔL/L) = (ΔR/R) / ε = 1+2ν+(Δρ/ρ)/ε
          2. 재료가 찌그러들어도 비저항이 변하지 않으면(Δρ=0) 저항변화는 ν(푸아송 비)에 따르므로 게이지팩터는 1+2ν가 된다.
          3. 그러나, 대부분 스트레인 게이지는 강한 압전효과를 갖기 때문에 (Δρ/ρ)/ε 값이 지배한다.
        3. 금속포일: 2-5, constantan 박막: 2, 실리콘 단결정: -125 to +200, 실리콘다결정: +-30, 후막저항: 100, p형 Ge: 102를 갖는다.
        4. 대부분 콘스탄탄을 사용하므로(?) 게이지 팩터는 2라고 생각하다.
      4. 게이지 팩터는 대부분 2이므로, 2mV/V 출력제품은 4000x10E-6 strain 값을 갖는다.
  3. 스트레인 게이지
    1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Strain_gauge
    2. 기술자료 - 인장(저항 높아짐) 압축(낮아짐)
      1. 금속재료: Constantan
      2. IC TPM754 - Microcontroller with TrackPointE microcode from IBM
    3. 토크 렌치, CDI(consolidated devices, inc) 회사의 Computorq Model 2502CI 에서
      1. 외형
      2. 분해
      3. 스트레인 게이지 센서
    4. 포인팅스틱에서 자세히 분석
    5. 백금 저항체로
      1. 실험
        1. 첫번째 고정
        2. 두번째 고정
        3. 17/08/30 측정 데이터