"와이어본딩 패드"의 두 판 사이의 차이
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| + | image:fingerprint03_024.jpg | IC에 있는 분리된 전극 때문에 상하 경로로만 전기가 통한다. | ||
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| + | image:fingerprint03_2_001.jpg | BSOB [[Au 볼 와이어본딩]] | ||
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| + | <li> [[핸드폰에서 발견한 대기압 센서]]에서 | ||
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| + | <li> [[발연질산]] 처리 후, 신호처리 IC의 [[와이어본딩 패드]] 관찰 | ||
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| + | image:shv_e210k_076.jpg | 1st ball bond 이 잘되었는지를 접합흔적으로 파악할 수 있다. | ||
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| + | <li> [[핸드폰용 이미지센서]] | ||
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| + | <li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰 | ||
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| + | image:iphone5s01_078.jpg | 뜯겨진 [[와이어본딩 패드]]. 아래 레이어에 [[더미 필 패턴]]이 있다. | ||
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| + | <li> [[Flash Memory]] | ||
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| + | <li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰 | ||
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| + | image:redmi_note4x_118.jpg | 와이어본딩을 겹쳐 하기 때문에 [[ESD 손상]]을 막기 위한 [[TVS다이오드]] 패턴(?) | ||
| + | image:redmi_note4x_120.jpg | SANDISK/TOSHIBA FFK8 128G, 15nm NAND | ||
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| + | <li> [[핸드폰용 근접센서]] | ||
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| + | <li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰 | ||
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| + | image:redmi_note6pro_021_007.jpg | ||
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| + | <li> [[주변광 조도센서]] | ||
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| + | <li>2009.12 출시 삼성 [[SPH-M8400]] 옴니아2 스마트폰 | ||
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| + | image:sph_m8400_033_002_008.jpg | 거칠게 만든 [[와이어본딩 패드]] | ||
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| + | <li>2013년 11월 출시 [[Gigabyte P34 노트북]] | ||
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| + | image:gigabyte_p34_142.jpg | 와이어가 잘 붙도록 거칠게 만든 [[와이어본딩 패드]] | ||
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| + | <li> [[PD-IC]] | ||
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| + | <li>INTOCHIPS INC, DHP621 laser beam synchronous detection IC를 사용 | ||
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| + | image:sl_k7600_01_017.jpg | [[와이어본딩 패드]] | ||
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| + | <li>솔더 본딩 | ||
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| + | <li>2016.02 출시 삼성 [[갤럭시 S7용 이미지센서모듈]] | ||
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| + | <li>AKM 71 IC에서 | ||
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| + | <li>매우 두꺼운 | ||
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| + | <li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰 | ||
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| + | <li> [[가속도센서]] | ||
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| + | image:iphone5s01_184_002.jpg | BSOB [[Au 볼 와이어본딩]]을 위한 [[와이어본딩 패드]] 두께가 웨이퍼 본딩 접착층 두께와 같다. | ||
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| + | </ol> | ||
| + | <li> [[인터포저]], PCB 등 기판쪽에서 | ||
| + | <ol> | ||
| + | <li>Gigabit Ethernet Controller, Intel RC82540EP | ||
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| + | image:ibm_t40_094_005.jpg | [[다이본딩]]면을 뜯어내면 | ||
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| + | <li> [[프루브카드]] 바늘에 의한 검사 찍힘 자국 | ||
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| + | <li>IML 1401 [[ASIC]]에서 | ||
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| + | image:iml1401_005.jpg | [[와이어본딩 패드]]를 거칠게, 바늘 찍힘 자국 | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>2016.02 출시 삼성 [[갤럭시 S7용 이미지센서모듈]] | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:gs7_02_012.jpg | S5K2L1 | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li> [[토큰형 OTP]] #1에서 | ||
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| + | image:otp01_011.jpg | [[와이어본딩 패드]]에 찍힌 [[프루브카드]] 바늘 자국 | ||
| + | </gallery> | ||
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2026년 1월 6일 (화) 09:45 기준 최신판
와이어본딩 패드
- 전자부품
- 와이어 루프를 낮추기 위해, 실리콘 일부를 깍아낸 후 본딩패드를 형성
- 정전식 지문센서
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 국내 P회사의 터치 정전식 지문센서
- 본딩 단면도
- 와이어본딩 패드를 낮추기 위해 실리콘 에칭
BSOB Au 볼 와이어본딩
- 본딩 단면도
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 정전식 지문센서
- 와이어가 잘 붙도록 패드를 거칠게
- IML 1401 ASIC에서
와이어본딩 패드를 거칠게, 바늘 찍힘 자국
- MEMS마이크
- Knowles S180
와이어본딩 패드면에 엠보싱처리
- Knowles S180
- 핸드폰에서 발견한 대기압 센서에서
- 핸드폰용 이미지센서
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- Flash Memory
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰
- 핸드폰용 근접센서
- 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰
- 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰
- 주변광 조도센서
- 2009.12 출시 삼성 SPH-M8400 옴니아2 스마트폰
거칠게 만든 와이어본딩 패드
- 2013년 11월 출시 Gigabyte P34 노트북
와이어가 잘 붙도록 거칠게 만든 와이어본딩 패드
- 2009.12 출시 삼성 SPH-M8400 옴니아2 스마트폰
- PD-IC
- INTOCHIPS INC, DHP621 laser beam synchronous detection IC를 사용
- INTOCHIPS INC, DHP621 laser beam synchronous detection IC를 사용
- IML 1401 ASIC에서
- 솔더 본딩
- 2016.02 출시 삼성 갤럭시 S7용 이미지센서모듈
- AKM 71 IC에서
솔더볼 밑의 와이어본딩 패드
- AKM 71 IC에서
- 2016.02 출시 삼성 갤럭시 S7용 이미지센서모듈
- 매우 두꺼운
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 가속도센서
BSOB Au 볼 와이어본딩을 위한 와이어본딩 패드 두께가 웨이퍼 본딩 접착층 두께와 같다.
- 가속도센서
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- 인터포저, PCB 등 기판쪽에서
- Gigabit Ethernet Controller, Intel RC82540EP
다이본딩면을 뜯어내면
- Gigabit Ethernet Controller, Intel RC82540EP
- 프루브카드 바늘에 의한 검사 찍힘 자국
- IML 1401 ASIC에서
와이어본딩 패드를 거칠게, 바늘 찍힘 자국
- 2016.02 출시 삼성 갤럭시 S7용 이미지센서모듈
- 토큰형 OTP #1에서
- IML 1401 ASIC에서