18시간, 5분 - Togotech

"모바일AP"의 두 판 사이의 차이

(새 문서: 모바일 AP;Application Processor <ol> <li>스마트폰용 <ol> <li>ST-Ericsson PNX6608, 2010년 출시 - 무전해금도금 <gallery> image:gt_b7722_011.jpg image:pnx6608_001.jpg i...)
 
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모바일 AP;Application Processor  
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모바일 AP; Mobile Application Processor
 
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<li> [[트랜시버 IC]]
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<li> [[MP3 플레이어]]
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<li> [[iRiver iFP-390T]]
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image:iriver_mp301_009.jpg | Philips SAA7750 [[모바일AP]] (System On Chip = CPU + DSP) ROM+flash+SRAM+ARM 32bit core, 24-bit DSP, 10-bit ADC, audio codec, LCD interface, timer, USB, GPIO, memory controller)
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<li> [[태블릿 컴퓨터]]
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<li> [[YF-006G 안드로이드 태블릿]]
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<li>외관
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<li>솔더링면 동박
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image:tablet_c01_004_001.jpg
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<li>불로 태워서 내부 관찰
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image:tablet_c01_004_002.jpg | 왼쪽 기판, 오른쪽 다이
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image:tablet_c01_004_003.jpg | 다이를 들어올리면
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image:tablet_c01_004_005.jpg | SMT된 [[MLCC]] 3개
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<li> [[와이어본딩]]
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image:tablet_c01_004_004.jpg | 와이어본딩 관찰
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image:tablet_c01_004_006.jpg
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image:tablet_c01_004_007.jpg | Au 볼 본딩
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image:tablet_c01_004_008.jpg | 밑에서 본, 2nd 스티치 본딩
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image:tablet_c01_004_009.jpg | 밑에서 본, 1st 볼본딩
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<li>2019년 03월 출시 [[Teclast P80X 안드로이드 태블릿]]
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<li>Spreadtrum SC9863A, 8-core 4G platform [[모바일AP]]
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image:teclast_p80x_007.jpg
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<li> [[아이트로닉스 ITE-1000 내비게이션]]에서
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<li>전체
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image:ite1000_01_077.jpg | STMicroelectronics NOMADIK STN8815A12 Mobile multimedia application processor
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image:ite1000_01_078.jpg | K9F1208ROC 64M-8bit NAND [[Flash Memory]] // H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDR[[SDRAM]]
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image:ite1000_01_079.jpg | STW4811M, Power management for multimedia processors // SMSC USB3315 USB Transceiver
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<li>STN8815A12 Mobile multimedia application processor
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image:ite1000_01_080.jpg | 납땜을 뜯으면
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image:ite1000_01_081.jpg | [[와이어본딩]]
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image:ite1000_01_082.jpg
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image:ite1000_01_083.jpg
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image:ite1000_01_084.jpg | L 형 전극을 규칙적으로 배열
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</ol>
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<li>3G 통신모듈 및 핸드폰
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<li>2007.10 출시 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
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<ol>
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<li>MSM6250 32-bit ARM System-on-chip(384kbps RF 모뎀, MPEG4,JPEG,MP3,2D/3D그래픽,MIDI,Camera인터페이스)
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<ol>
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<li>외관 [[LG-SH170]]에서
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image:sh170_009.jpg
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image:sh170_010.jpg
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<li>분해
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image:sh170_011.jpg | stack된 2칩
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image:sh170_012.jpg
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image:sh170_016.jpg
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image:sh170_017.jpg | 칩위에서 본딩
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image:sh170_018.jpg
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<li>패키지 비아
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image:sh170_019.jpg | 패키지
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</ol>
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</ol>
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<li> [[비트앤펄스 BPW-M120, 3G통신모듈]]
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<ol>
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<li>퀄컴, QSC6240 SoC(모바일 AP + 트랜시버 IC), 2007년 3사분기 출시, 12x12mm
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<li>모듈 전체
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image:3g_module01_025.jpg | QSC6240를 사용한 WCDMA(850/2100MHz) 모듈, 다운/업로드 최대 384kbps로 추정
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<li>마더보드
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image:3g_module01_026_001.jpg
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image:3g_module01_026_002.jpg
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</gallery>
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<li>칩 솔더링면
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<gallery>
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image:3g_module01_026_003.jpg
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image:3g_module01_026_004.jpg
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image:3g_module01_026_005.jpg
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</gallery>
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<li>회로도
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image:3g_module01_026_006.png
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</gallery>
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<li>패키징
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<gallery>
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image:3g_module01_026_007.jpg
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</gallery>
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<li>칩 패턴
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image:3g_module01_026_008.jpg
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image:3g_module01_026_009.jpg
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image:3g_module01_026_010.jpg
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image:3g_module01_026_011.jpg
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image:3g_module01_026_012.jpg
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<li>C
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image:3g_module01_026_013.jpg
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image:3g_module01_026_014.jpg
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image:3g_module01_026_015.jpg
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<li>ID
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image:3g_module01_026_016.jpg
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</ol>
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</ol>
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<li>Apple
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<ol>
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<li>A4, 2010년 출시된 [[iPad 1세대, WiFi+3G 모델 A1337]] 태블릿
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<ol>
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<li>외형 - 맨 위는 RAM이므로 사진속의 윗면에는 AP가 아니다.
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image:a1337_013_001.jpg
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image:a1337_013_002.jpg
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image:a1337_013_003.jpg
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<li>다이
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image:a1337_013_008.jpg
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<li>패키지
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image:a1337_013_009.jpg | 1층 - 다이 접착면
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image:a1337_013_010.jpg | 2층 - 그 밑 동박. 그 밑은 꽤 두꺼운 수지층, 3층은 2층과 비슷한 동박, 그러므로 4층 동박으로 추정, 수지층 내부 embedded 소자 없음
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</gallery>
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</ol>
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<li>A7, 2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰에서
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<ol>
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<li>패키지 위에 패키징된 [[DRAM]]이 올라가 있는 PoP(Package On Package) 형태임.
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<ol>
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<li>맨 위는 Elpida 8Gbit DDR3 [[DRAM]] 이다.
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</ol>
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<li>보드에서 [[실드 깡통]]을 벗기면
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image:iphone5s01_128.jpg | 특별히 캔 오른쪽에는 [[히트 스프레더]]용 [[그라파이트 시트]]가 붙어 있다.
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image:iphone5s01_129.jpg | IC와 캔 사이에는 특별한 [[서멀 패드]]가 없이 접촉하는 듯.
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image:iphone5s01_130.jpg | A7 마킹은 [[DRAM]]에 된다.
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</gallery>
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<li>주변에 사용된 Low ESR, ESL [[MLCC]]
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<gallery>
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image:iphone5s01_131.jpg | [[low ESL]] [[MLCC]]
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image:iphone5s01_132.jpg
 +
image:iphone5s01_133.jpg | 3단자 C [[LC필터]]
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</gallery>
 +
<li>디솔더링 후, PoP된 층을 다시 디솔더링하면
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<gallery>
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image:iphone5s01_130_003.jpg | PoP
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image:iphone5s01_130_002.jpg | AP 밑면 BGA
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image:iphone5s01_130_001.jpg | AP 다이방열을 위해 위에 있는 [[DRAM]]과 완전 밀착
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</gallery>
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<li>순수한 [[모바일AP]]
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<ol>
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<li> [[임베디드PCB]]로 만든 [[인터포저]]
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<gallery>
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image:iphone5s01_130_004.jpg
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image:iphone5s01_130_005.jpg | [[MLCC]] 1.0x0.5mm 도금으로 연결됨
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</gallery>
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<li>AP 다이
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image:iphone5s01_130_006.jpg | [[발연질산]]에 넣어 분해시, [[유리섬유 직물]]이 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐
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image:iphone5s01_130_007.jpg | 가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함
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</ol>
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<li> [[DRAM]] Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
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image:iphone5s01_130_008.jpg | 다이 두 개를 [[다이본딩]], [[와이어본딩]]
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image:iphone5s01_130_009.jpg
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image:iphone5s01_130_010.jpg | 위쪽 다이 ELPIDA F440AAA
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image:iphone5s01_130_011.jpg | 아래쪽 다이 ELPIDA F440AAA
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image:iphone5s01_130_012.jpg | 와이어를 찾을 수 없었기 때문에 [[Cu 볼 와이어본딩]]으로 추정함.
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</ol>
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<li>A8, 2015년 09월 출시 [[iPad mini 4세대, WiFi 모델 A1538]]
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<gallery>
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image:a1538_030_002.jpg | A8 [[모바일AP]]
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image:a1538_030_003.jpg | 왼쪽 [[모바일AP]], 오른쪽 [[Flash Memory]]
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image:a1538_030_004.jpg | 왼쪽은 A8 [[모바일AP]] 다이, 오른쪽은 패키징된 [[DRAM]]
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image:a1538_030_005.jpg | 왼쪽은 [[DRAM]] 다이 두 장, 오른쪽은 부러진 [[모바일AP]] 다이
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</gallery>
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</ol>
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<li>스마트폰 등
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<ol>
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<li>Mediatek MT6797
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<ol>
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<li> - 291p
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<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서, AP+RAM 인 PoP(Package On Package)
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<ol>
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<li>AP 윗면에 Micron 회사의 [[DRAM]]을 올려놓아서, 마이크론 회사 제품 마킹이 보인다.
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<gallery>
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image:redmi_note4x_138.jpg
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image:redmi_note4x_139.jpg | 디솔더링하면, 밑면 솔더면은 AP이다.
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</gallery>
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<li>PoP(Package On Package)
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<gallery>
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image:redmi_note4x_140.jpg
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image:redmi_note4x_141.jpg | AP 패키지 위에 [[DRAM]] 패키지가 있다. [[DRAM]]은 [[와이어본딩]]을 하므로 [[타이바]]가 보인다.
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</gallery>
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<li>두 패키지를 붙이고 있는 솔더볼을 분리하면
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<gallery>
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image:redmi_note4x_142.jpg | Mediatek MT6797W AP + Micron RAM
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image:redmi_note4x_143.jpg
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</gallery>
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<li>AP 패키지 표면을 레이저 드릴 [[천공]]하여 [[EMC]]를 제거하여 솔더패드를 노출시켰다.
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image:redmi_note4x_144.jpg
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image:redmi_note4x_145.jpg
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image:redmi_note4x_146.jpg | 레이저 드릴로 EMC 제거함. 참고 [[천공]]
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</gallery>
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<li>AP 다이분석
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image:redmi_note4x_143_001.jpg | 기판 가장자리 여백에 동박패드 형성후, EMC 몰딩 후 레이저 드릴링해서 솔더 연결했다.
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image:redmi_note4x_143_002.jpg | 휘어 있어 사진에서 검정부위가 나타난다. RDL 전극 및 PI가 두꺼워서(?)
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image:redmi_note4x_143_003.jpg | 17JUL2015 MEDIATEK, [[IC 표식]]으로 날짜 마킹은 처음봤다.
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</gallery>
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<li> [[임베디드PCB]]
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image:redmi_note4x_143_004.jpg | 사용 기판은 embedded PCB 이다.
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image:redmi_note4x_143_005.jpg | 구리 도금 비아홀로 직접 연결되어 있다. 그래서 떨어지지 않았다.
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image:redmi_note4x_143_008.jpg
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image:redmi_note4x_143_009.jpg | MLCC가 부착된 기판층 뒤쪽에서
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image:redmi_note4x_143_006.jpg | 캐비티 포켓
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</gallery>
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<li> [[임베디드용 MLCC]] 분석
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<gallery>
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image:redmi_note4x_143_007.jpg | 1.0x0.5mm, 구리전극, 비아홀 도금으로 연결됨. ~400pF @1kHz
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image:redmi_note4x_143_010.jpg | 두께 80um, 위아래 더미 15um, 적층 50um 두께, 25층 전극, 층간 2um
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image:redmi_note4x_143_011.jpg
 +
image:redmi_note4x_143_012.png | 내부전극 및 외부전극 바렐도금을 위한 seed metal 형성 방법 그림.
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</gallery>
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</ol>
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</ol>
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<li>Mediatek MT6765
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<ol>
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<li>2021.01 출시 [[삼성 갤럭시 A12, SM-A125F 스마트폰]]
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image:sm_a125_016.jpg | Mediatek Helio P35 MT6765V [[모바일AP]], Samsung KMDX60018M-B425 [[MCP]]=[[DRAM]] DDR4 24Gb+[[eMMC]] 5.1 32GB
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</gallery>
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</ol>
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<li>Qualcomm
 +
<ol>
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<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서, SDM636
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<gallery>
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image:redmi_note6pro_015.jpg | SanDisk SDADA4CR-64G, Qualcomm SDM636 SoC
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image:redmi_note6pro_015_002.jpg | 4층 PCB, 양쪽 모두 솔더볼 접합이므로 [[타이바]]가 없다.
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image:redmi_note6pro_015_003.jpg | 오른쪽이 실리콘 다이
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image:redmi_note6pro_015_004.jpg | 실리콘 다이. 불에 빨갛게 태운 후. 두꺼운 유리질 및 구리 RDL이 관찰된다.
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image:redmi_note6pro_015_005.jpg | 어느 귀퉁이. staggered fill 방식 [[더미 필 패턴]]
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</ol>
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<li>Samsung Exynos
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<ol>
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<li>Exynos 4 Quad 4412
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<ol>
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<li>2012.06 출시 삼성 [[SHV-E210K]] 갤럭시 S3 스마트폰
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<ol>
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<li>전체
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image:shv_e210k_051.jpg
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<li>AP를 뜯으면
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image:shv_e210k_051_001.jpg
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</gallery>
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<li>AP 위에 붙어있는 [[DRAM]]를 뜯으면. PoP 패키징이라고 한다.
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image:shv_e210k_051_003.jpg
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image:shv_e210k_051_004.jpg
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</gallery>
 +
<li>AP용 기판을 3층까지만 확인 - [[유기물기판]] 6층 인듯.
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_051_005.jpg | 1층
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image:shv_e210k_051_006.jpg | 1-2층사이 비아
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image:shv_e210k_051_007.jpg | 2층
 +
image:shv_e210k_051_008.jpg | 3층, [[MLCC]] 4개 넣을 수 있는 자리가 있는데 넣지 않았다. 그러므로 [[임베디드PCB]]가 아니다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2012.09 출시 삼성 [[갤럭시 노트2]] 스마트폰
 +
<gallery>
 +
image:shv_e250s01_029.jpg
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</gallery>
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</ol>
 +
<li>Exynos 7 Octa(7580), 1.6GHz 64-bit 8-core(Cortex A53), 28nm
 +
<ol>
 +
<li>2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 [[SM-A710S]]에서
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_017.jpg
 +
image:a710s01_018.jpg | SAMSUNG Mobile Processor, Exynos 7 Octa(7580), 1.6GHz 64-bit 8-core(Cortex A53), 28nm
 +
image:a710s01_019.jpg | 태우고 다이를 PCB 기판에서 들어 올리면
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Exynos 980
 +
<ol>
 +
<li>2020.05 출시 [[삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰]]
 +
<gallery>
 +
image:sm_a516n_059.jpg | Samsung Exynos 980(엑시노스 980) [[모바일AP]]
 +
image:sm_a516n_060_002.jpg | 인터포저(4층 PCB)에서 다이를 뜯으면
 +
image:sm_a516n_060_003.jpg | 다이
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 
<li>ST-Ericsson PNX6608, 2010년 출시 - 무전해금도금
 
<li>ST-Ericsson PNX6608, 2010년 출시 - 무전해금도금
 
<gallery>
 
<gallery>

2026년 1월 26일 (월) 09:19 기준 최신판

모바일 AP; Mobile Application Processor

  1. 전자부품
    1. IC
      1. 제어기
        1. 모바일AP - 이 페이지
        2. MCU
      2. 참고
        1. 트랜시버 IC
  2. MP3 플레이어
    1. iRiver iFP-390T

      • Philips SAA7750 모바일AP (System On Chip = CPU + DSP) ROM+flash+SRAM+ARM 32bit core, 24-bit DSP, 10-bit ADC, audio codec, LCD interface, timer, USB, GPIO, memory controller)

  3. 태블릿 컴퓨터
    1. YF-006G 안드로이드 태블릿
      1. 외관
        • tablet c01 004.jpg
      2. 솔더링면 동박
        • tablet c01 004 001.jpg
      3. 불로 태워서 내부 관찰

        • 왼쪽 기판, 오른쪽 다이

        • 다이를 들어올리면

        • SMT된 MLCC 3개

      4. 와이어본딩

        • 와이어본딩 관찰

        • tablet c01 004 006.jpg

        • Au 볼 본딩

        • 밑에서 본, 2nd 스티치 본딩

        • 밑에서 본, 1st 볼본딩

    2. 2019년 03월 출시 Teclast P80X 안드로이드 태블릿
      1. Spreadtrum SC9863A, 8-core 4G platform 모바일AP
        • teclast p80x 007.jpg
  4. 아이트로닉스 ITE-1000 내비게이션에서
    1. 전체

      • STMicroelectronics NOMADIK STN8815A12 Mobile multimedia application processor

      • K9F1208ROC 64M-8bit NAND Flash Memory // H5MS5162DFR 512Mbit Mobile DDRSDRAM

      • STW4811M, Power management for multimedia processors // SMSC USB3315 USB Transceiver

    2. STN8815A12 Mobile multimedia application processor

      • 납땜을 뜯으면

      • ite1000 01 082.jpg
      • ite1000 01 083.jpg

      • L 형 전극을 규칙적으로 배열

  5. 3G 통신모듈 및 핸드폰
    1. 2007.10 출시 LG-SH170 슬라이드 피처폰
      1. MSM6250 32-bit ARM System-on-chip(384kbps RF 모뎀, MPEG4,JPEG,MP3,2D/3D그래픽,MIDI,Camera인터페이스)
        1. 외관 LG-SH170에서
          • sh170 009.jpg
          • sh170 010.jpg
        2. 분해

          • stack된 2칩

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          • sh170 013.jpg
          • sh170 014.jpg
          • sh170 015.jpg
          • sh170 016.jpg

          • 칩위에서 본딩

          • sh170 018.jpg
        3. 패키지 비아

          • 패키지

    2. 비트앤펄스 BPW-M120, 3G통신모듈
      1. 퀄컴, QSC6240 SoC(모바일 AP + 트랜시버 IC), 2007년 3사분기 출시, 12x12mm
      2. 모듈 전체

        • QSC6240를 사용한 WCDMA(850/2100MHz) 모듈, 다운/업로드 최대 384kbps로 추정

      3. 마더보드
        • 3g module01 026 001.jpg
        • 3g module01 026 002.jpg
      4. 칩 솔더링면
        • 3g module01 026 003.jpg
        • 3g module01 026 004.jpg
        • 3g module01 026 005.jpg
      5. 회로도
        • 3g module01 026 006.png
      6. 패키징
        • 3g module01 026 007.jpg
      7. 칩 패턴
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        • 3g module01 026 010.jpg
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        • 3g module01 026 012.jpg
      8. C
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      9. ID
        • 3g module01 026 016.jpg
  6. Apple
    1. A4, 2010년 출시된 iPad 1세대, WiFi+3G 모델 A1337 태블릿
      1. 외형 - 맨 위는 RAM이므로 사진속의 윗면에는 AP가 아니다.
        • a1337 013 001.jpg
        • a1337 013 002.jpg
        • a1337 013 003.jpg
      2. 다이
        • a1337 013 008.jpg
      3. 패키지

        • 1층 - 다이 접착면

        • 2층 - 그 밑 동박. 그 밑은 꽤 두꺼운 수지층, 3층은 2층과 비슷한 동박, 그러므로 4층 동박으로 추정, 수지층 내부 embedded 소자 없음

    2. A7, 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서
      1. 패키지 위에 패키징된 DRAM이 올라가 있는 PoP(Package On Package) 형태임.
        1. 맨 위는 Elpida 8Gbit DDR3 DRAM 이다.
      2. 보드에서 실드 깡통을 벗기면
      3. 주변에 사용된 Low ESR, ESL MLCC
      4. 디솔더링 후, PoP된 층을 다시 디솔더링하면

        • PoP

        • AP 밑면 BGA

        • AP 다이방열을 위해 위에 있는 DRAM과 완전 밀착

      5. 순수한 모바일AP
        1. 임베디드PCB로 만든 인터포저
          • iphone5s01 130 004.jpg

          • MLCC 1.0x0.5mm 도금으로 연결됨

        2. AP 다이

          • 발연질산에 넣어 분해시, 유리섬유 직물이 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐

          • 가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함

      6. DRAM Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
    3. A8, 2015년 09월 출시 iPad mini 4세대, WiFi 모델 A1538
  7. 스마트폰 등
    1. Mediatek MT6797
      1. - 291p
      2. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, AP+RAM 인 PoP(Package On Package)
        1. AP 윗면에 Micron 회사의 DRAM을 올려놓아서, 마이크론 회사 제품 마킹이 보인다.
          • redmi note4x 138.jpg

          • 디솔더링하면, 밑면 솔더면은 AP이다.

        2. PoP(Package On Package)
        3. 두 패키지를 붙이고 있는 솔더볼을 분리하면

          • Mediatek MT6797W AP + Micron RAM

          • redmi note4x 143.jpg
        4. AP 패키지 표면을 레이저 드릴 천공하여 EMC를 제거하여 솔더패드를 노출시켰다.
          • redmi note4x 144.jpg
          • redmi note4x 145.jpg

          • 레이저 드릴로 EMC 제거함. 참고 천공

        5. AP 다이분석

          • 기판 가장자리 여백에 동박패드 형성후, EMC 몰딩 후 레이저 드릴링해서 솔더 연결했다.

          • 휘어 있어 사진에서 검정부위가 나타난다. RDL 전극 및 PI가 두꺼워서(?)

          • 17JUL2015 MEDIATEK, IC 표식으로 날짜 마킹은 처음봤다.

        6. 임베디드PCB

          • 사용 기판은 embedded PCB 이다.

          • 구리 도금 비아홀로 직접 연결되어 있다. 그래서 떨어지지 않았다.

          • redmi note4x 143 008.jpg

          • MLCC가 부착된 기판층 뒤쪽에서

          • 캐비티 포켓

        7. 임베디드용 MLCC 분석

          • 1.0x0.5mm, 구리전극, 비아홀 도금으로 연결됨. ~400pF @1kHz

          • 두께 80um, 위아래 더미 15um, 적층 50um 두께, 25층 전극, 층간 2um

          • redmi note4x 143 011.jpg

          • 내부전극 및 외부전극 바렐도금을 위한 seed metal 형성 방법 그림.

    2. Mediatek MT6765
      1. 2021.01 출시 삼성 갤럭시 A12, SM-A125F 스마트폰
    3. Qualcomm
      1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서, SDM636

        • SanDisk SDADA4CR-64G, Qualcomm SDM636 SoC

        • 4층 PCB, 양쪽 모두 솔더볼 접합이므로 타이바가 없다.

        • 오른쪽이 실리콘 다이

        • 실리콘 다이. 불에 빨갛게 태운 후. 두꺼운 유리질 및 구리 RDL이 관찰된다.

        • 어느 귀퉁이. staggered fill 방식 더미 필 패턴

    4. Samsung Exynos
      1. Exynos 4 Quad 4412
        1. 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰
          1. 전체
            • shv e210k 051.jpg
          2. AP를 뜯으면
            • shv e210k 051 001.jpg
          3. AP 위에 붙어있는 DRAM를 뜯으면. PoP 패키징이라고 한다.
            • shv e210k 051 003.jpg
            • shv e210k 051 004.jpg
          4. AP용 기판을 3층까지만 확인 - 유기물기판 6층 인듯.

            • 1층

            • 1-2층사이 비아

            • 2층

            • 3층, MLCC 4개 넣을 수 있는 자리가 있는데 넣지 않았다. 그러므로 임베디드PCB가 아니다.

        2. 2012.09 출시 삼성 갤럭시 노트2 스마트폰
          • shv e250s01 029.jpg
      2. Exynos 7 Octa(7580), 1.6GHz 64-bit 8-core(Cortex A53), 28nm
        1. 2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 SM-A710S에서
          • a710s01 017.jpg

          • SAMSUNG Mobile Processor, Exynos 7 Octa(7580), 1.6GHz 64-bit 8-core(Cortex A53), 28nm

          • 태우고 다이를 PCB 기판에서 들어 올리면

      3. Exynos 980
        1. 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰

          • Samsung Exynos 980(엑시노스 980) 모바일AP

          • 인터포저(4층 PCB)에서 다이를 뜯으면

          • 다이

    5. ST-Ericsson PNX6608, 2010년 출시 - 무전해금도금
      • gt b7722 011.jpg
      • pnx6608 001.jpg
      • pnx6608 002.jpg

      • stacked die

      • PNX6608

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