6일, 4시간, 55분 - Togotech

"FBAR"의 두 판 사이의 차이

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<li>벌크 외관
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<li>PCB면부터 갈아내면
 
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image:sm_g955n_064_001_001.jpg | WLP 뚜껑 웨이퍼를 제거한 후
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image:sm_g955n_064_001_003.jpg | 볼록한 패턴
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<li>제품 1, 불에 태워서
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<li>3.8x3.8mm [[2007년 삼성전기 FBAR]] 문서에서 자세히 분석
 
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image:vial01_003.jpg | 3.8x3.8mm [[FBAR]] 전자부품을 [[바이알]]에 보관
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<li>질산에 넣어서
 
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<li>Cap을 벗겨서(인두기로 가열해서 AuSn 실링을 녹인 후, 칼날을 밀어넣어서)
 
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<li>3.0x2.5mm
 
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<li>2010.08 출시, 팬택, SKY 골드루키 [[IM-U660K]] 피처폰
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<li>Avago TFIO 2419 3.0x2.5mm
 
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<li>2.0x1.6mm 에서
 
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<li>2014.07 제조 [[LG-F460S]] LG G3 Cat.6 스마트폰
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<li>#3 2.0x1.6mm [[FBAR]] 듀플렉서 #1, 웨이퍼본딩,BGA솔더링,EMC몰딩품이다.
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<li>2015.06 출시 [[LG-F570S]] LG Band Play 스마트폰
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<li>#3, 듀플렉서(F-BAR + SAW), 마킹 06g1
 
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<li>크기 측정하지 않음
 
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<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
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<li>사진
 
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image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
 
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<li>CSP [[SAW duplexer]] 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
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<li>CSP [[SAW 듀플렉서]] 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
 
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2026년 4월 20일 (월) 12:39 기준 최신판

FBAR(F-바)

  1. 전자부품
    1. SAW대문
      1. BAW
        1. FBAR - 이 페이지
          1. 2007년 삼성전기 FBAR
          2. FBAR필터용 유기물기판
        2. SMR
    2. 참고
      1. PAMiD, Avago 회사 제품에서 많이 발견된다.
  2. 기술
    1. thin-Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR or TFBAR), bulk acoustic resonators (BAW)
      1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Thin-film_bulk_acoustic_resonator
  3. 쿼드플렉서(Quadplexer)
    1. 2018.04 출시 삼성 갤럭시 S8+, SM-G955N 스마트폰
      1. Avago SFI715 FBAR Quadplexer 문서에서 자세히 분석함.
        1. 외관
        2. PCB면부터 갈아내면

          • WLP 뚜껑 웨이퍼를 제거한 후

          • 볼록한 패턴

          • sm g955n 064 001 002.jpg

          • FBAR Quadplexer

        3. 개별 다이 관찰

          • 1사분면

          • 1사분면

          • 2사분면

          • 3사분면

          • 3사분면. 진동판 밑 공간이 단순하지 않다.

          • 4사분면

  4. 3.8x3.8mm 2007년 삼성전기 FBAR 문서에서 자세히 분석
  5. 3.0x2.5mm
    1. 2010.08 출시 팬택 SKY 골드루키, IM-U660K 피처폰
      1. Avago TFIO 2419 3.0x2.5mm
        • im u660k 019.jpg
      2. WLP 다이를 Au 볼 와이어본딩으로 연결했다.
        • im u660k 026.jpg
        • im u660k 027.jpg
      3. 불에 태워 분해

        • 뚜껑 웨이퍼를 녹여 들어낸 후

        • 5각형 MEMS 진동판 8개

        • 뚜껑 웨이퍼를 깨뜨린 후

  6. 2.0x1.6mm 에서
    1. 2014.07 제조 LG G3 Cat.6, LG-F460S 스마트폰
      1. #3 2.0x1.6mm FBAR 듀플렉서 #1, 웨이퍼본딩,BGA솔더링,EMC몰딩품이다.
        1. 두 장의 실리콘 웨이퍼를 본딩한 제품이다. Broadcom 제품으로 추정

          • 레이저 마킹된 실리콘 웨이퍼면이 FBAR 패턴이 있고, 사진에서 보이는 솔더링된 웨이퍼면은 cap용 접착면이다.

          • 다이를 깨드리면, 분홍색면은 BGA면으로 cap웨이퍼, 파랑은 FBAR 웨이퍼이다.

          • lg f460s 015 002 004.jpg
      2. #9 2.0x1.6mm FBAR 듀플렉서 #1, 웨이퍼본딩,BGA솔더링,EMC몰딩품이다.
        1. BGA로 붙이는 유기물 기판

          • 상당히 두꺼운 6층 PCB. 큰 L이 필요하기 때문에 6층을 사용했다.

        2. 다이 #1, Broadcom 제품으로 추정
          • lg f460s 015 006 001.jpg
        3. 다이 #2 1.0x0.75mm Broadcom 제품으로 추정

          • 패턴

          • 양쪽 접합면

    2. 2015.06 출시 LG Band Play, LG-F570S 스마트폰
      1. #3, 듀플렉서(F-BAR + SAW), 마킹 06g1
        1. 외관

          • 2.0x1.6mm, Taiyo-Yuden

        2. 내부

          • 금속 뚜껑을 벗기고

          • 측면 솔더 벽을 떼어내면

        3. FBAR 다이

          • T912-05

          • lg f570s 038 007.jpg
  7. 1.8x1.4mm
    1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
      1. 듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개 중에서
        1. Taiyo Yuden, 마킹 701 -> LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
          1. 주파수 파형

            • 2535MHz

          2. Tx필터 FBAR 온도 특성 실험-1
            1. 치구 준비

              • 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함

              • 주파수 특성 그래프

            2. 가열 냄비 준비
              • redmi note4x 189 002.jpg
              • redmi note4x 189 003.jpg
            3. 과불소화 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.

              • Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.

              • 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,

              • redmi note4x 189 006.jpg

              • 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림

            4. 실험 방법

              • 별도의 K타입 열전쌍으로 온도 측정 문제점을 체크함

              • 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림

            5. Agilent E5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 HP 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
            6. 엑셀 데이터

              • 온도프로파일

              • 피크이득

              • -10dB 중심주파수

              • -30ppm 온도계수를 갖는다.

              • 대역폭

          3. Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
            1. 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
              • redmi note4x 189 015.png
            2. 그래프

              • 30~130도씨 온도프로파일

              • 피크이득

              • -10dB 중심주파수

              • -33ppm 온도계수를 갖는다.

              • 대역폭

            3. 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
          4. 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
            1. SAW + BAW 조합이다.
              • redmi note4x 189 021.jpg

              • Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.

            2. F-BAR baw 필터

              • W868-08

              • 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함

            3. 공진기 #1~#6
                1. 1
                1. 2
                1. 3
                1. 4
                1. 5
                1. 6
            4. Rx saw 필터

              • W1895-14

              • 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec

    2. 2020.05 출시 샤오미 Redmi Note 9S에서 발견된, RF 필터 17개
      1. Taiyo Yuden, 1814 사이즈, 마킹 703 f07, Rx 주기 1.53um(1/4=0.382um)
  8. 크기 측정하지 않음
    1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5s 스마트폰
      1. 사진
        • iphone5s01 125.jpg
        • iphone5s01 125 001.jpg
      2. A(아바고)D3R마킹: triple FBAR 필터 뱅크
        1. 두 다이 측면
        2. 두 다이, 솔더링면. via를 통해 내부와 연결된다.

          • MN KV F / M9 NO M

        3. 큰 다이
          • iphone5s01 125 008.jpg
          • iphone5s01 125 009.jpg
        4. 작은 다이

          • 뚜껑 두 변을 뜯으면

          • 완전히 뜯으면. 좁은 Au 띠로 접착

          • 뚜껑 접착면.

      3. Avago A790720, Dual PAMiD
        1. 메인보드에서

          • Epcos 2016 도금타입 CSP

          • 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.

        2. CSP SAW 듀플렉서 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
          • iphone5s01 136 005 002.jpg
        3. FBAR DPX에서 - RX(로 추정)
          • iphone5s01 136 005 009.jpg
          • iphone5s01 136 005 010.jpg
        4. FBAR DPX에서 - TX(로 추정)
          • iphone5s01 136 005 011.jpg
          • iphone5s01 136 005 012.jpg
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