267일, 18시간, 25분 - Togotech

"FBAR"의 두 판 사이의 차이
잔글
 
(같은 사용자의 중간 판 2개는 보이지 않습니다)
1번째 줄: 1번째 줄:
−
PAMiD
+
FBAR(F-바)
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>링크
+
<li> [[전자부품]]
 
<ol>
 
<ol>
 
<li> [[SAW대문]]
 
<li> [[SAW대문]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[SAW-모듈]]
+
<li> [[BAW]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[PAMiD]] - 이 페이지
+
<li> [[FBAR]] - 이 페이지
 +
<li> [[SMR]]
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>용어
+
<li>기술
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>PAMid = Power Amplifier Module integrated Duplexer
+
<li>thin-Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR or TFBAR), bulk acoustic resonators (BAW)
 +
<ol>
 +
<li>위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Thin-film_bulk_acoustic_resonator
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>3.8x3.8mm 듀플렉서
 +
<ol>
 +
<li>포장 보관
 +
<gallery>
 +
image:antistatic_box01_001.jpg | ASE KOREA
 +
image:tray_jedec01_001.jpg
 +
image:antistatic_box01_002.jpg
 +
image:fbar_c7150_001.jpg | 2007년 12월 29일 출하품
 +
</gallery>
 +
<li>벌크 외관
 +
<gallery>
 +
image:fbar_c7150_002.jpg
 +
image:fbar_c7150_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[트레이]]에서
 +
<gallery>
 +
image:tray_jedec01_005.jpg
 +
image:tray_jedec01_006.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>제품 1, 불에 태워서
 +
<gallery>
 +
image:fbar_c7150_004.jpg
 +
image:fbar_c7150_005.jpg
 +
image:fbar_c7150_006.jpg
 +
image:fbar_c7150_007.jpg | WLP 단면
 +
image:fbar_c7150_010.jpg
 +
image:fbar_c7150_011.jpg | 캡을 벗겨서
 +
</gallery>
 +
<li>질산에 넣어서
 +
<gallery>
 +
image:fbar_c7150_008.jpg
 +
image:fbar_c7150_009.jpg
 +
image:fbar_c7150_012.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Cap을 벗겨서(인두기로 가열해서 AuSn 실링을 녹인 후, 칼날을 밀어넣어서)
 +
<gallery>
 +
image:fbar_c7150_013.jpg
 +
image:fbar_c7150_014.jpg
 +
image:fbar_c7150_015.jpg | air gap [[에칭]]을 위한 구멍
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>3.0x2.5mm
 +
<ol>
 +
<li>2010.08 출시, 팬택, SKY 골드루키 [[IM-U660K]] 피처폰
 +
<ol>
 +
<li>Avago TFIO 2419 3.0x2.5mm
 +
<gallery>
 +
image:im_u660k_019.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>WLP 다이를 [[Au 볼 와이어본딩]]으로 연결했다.
 +
<gallery>
 +
image:im_u660k_026.jpg
 +
image:im_u660k_027.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>불에 태워 분해
 +
<gallery>
 +
image:im_u660k_028.jpg | 뚜껑 웨이퍼를 녹여 들어낸 후
 +
image:im_u660k_029.jpg | 5각형 MEMS 진동판 8개
 +
image:im_u660k_030.jpg | 뚜껑 웨이퍼를 깨뜨린 후
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>PAM 모듈
+
<li>2.0x1.6mm 에서
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[3G통신모듈]]
+
<li>2014.07 제조 [[LG-F460S]] LG G3 Cat.6 스마트폰
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>EpiValley 제조(?), SEC-8380 V1.0 2009.09.12, CDMA 1x EV-DO USB Modem, 836/881MHz, main chipset: QSC6085
+
<li>#3 2.0x1.6mm [[FBAR]] 듀플렉서 #1, 웨이퍼본딩,BGA솔더링,EMC몰딩품이다.
 +
<ol>
 +
<li>두 장의 실리콘 웨이퍼를 본딩한 제품이다. Broadcom 제품으로 추정
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_002_002.jpg | 레이저 마킹된 실리콘 웨이퍼면이 FBAR 패턴이 있고, 사진에서 보이는 솔더링된 웨이퍼면은 cap용 접착면이다.
 +
image:lg_f460s_015_002_001.jpg | 다이를 깨드리면, 분홍색면은 BGA면으로 cap웨이퍼, 파랑은 FBAR 웨이퍼이다.
 +
image:lg_f460s_015_002_004.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>#9 2.0x1.6mm [[FBAR]] 듀플렉서 #1, 웨이퍼본딩,BGA솔더링,EMC몰딩품이다.
 +
<ol>
 +
<li>BGA로 붙이는 유기물 기판
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_002_003.jpg | 상당히 두꺼운 6층 PCB. 큰 L이 필요하기 때문에 6층을 사용했다.
 +
</gallery>
 +
<li>다이 #1, Broadcom 제품으로 추정
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_006_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이 #2 1.0x0.75mm Broadcom 제품으로 추정
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_006_002.jpg | 패턴
 +
image:lg_f460s_015_006_003.jpg | 양쪽 접합면
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2015.06 출시 [[LG-F570S]] LG Band Play 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>#3, 듀플렉서(F-BAR + SAW), 마킹 06g1
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:3g_module03_003.jpg
+
image:lg_f570s_038.jpg | 2.0x1.6mm, Taiyo-Yuden
−
image:3g_module03_003_017.png
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>내부
 
<li>내부
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:3g_module03_003_001.jpg
+
image:lg_f570s_038_003.jpg | 금속 뚜껑을 벗기고
−
image:3g_module03_003_002.jpg | PA ? PA 매칭?
+
image:lg_f570s_038_004.jpg | 측면 솔더 벽을 떼어내면
 +
</gallery>
 +
<li> [[FBAR]] 다이
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_038_006.jpg | T912-05
 +
image:lg_f570s_038_007.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>Tx 필터 836MHz, 1.5x1.2mm
+
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>1.8x1.4mm
 +
<ol>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서
 +
<ol>
 +
<li>듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개 중에서
 +
<ol>
 +
<li>Taiyo Yuden, 마킹 701 -> LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
 +
<ol>
 +
<li>주파수 파형
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:3g_module03_003_013.jpg
+
image:redmi_note4x_189.png | 2535MHz
−
image:3g_module03_003_003.jpg
 
−
image:3g_module03_003_004.jpg
 
−
image:3g_module03_003_005.jpg
 
−
image:3g_module03_003_006.jpg
 
−
image:3g_module03_003_007.jpg | V10PLU6B 314306 JB
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
+
<li>Tx필터 [[FBAR]] 온도 특성 실험-1
 +
<ol>
 +
<li>치구 준비
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:3g_module03_003_008.jpg
+
image:redmi_note4x_189_001.jpg | 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함
−
image:3g_module03_003_009.jpg
+
image:redmi_note4x_189_001_001.png | 주파수 특성 그래프
−
image:3g_module03_003_010.jpg
+
</gallery>
−
image:3g_module03_003_011.jpg
+
<li>가열 냄비 준비
−
image:3g_module03_003_012.jpg
+
<gallery>
−
image:3g_module03_003_014.jpg | Tx필터 813077C AC
+
image:redmi_note4x_189_002.jpg
−
image:3g_module03_003_015.jpg | Rx필터 813256
+
image:redmi_note4x_189_003.jpg
−
image:3g_module03_003_016.jpg | 정전기 방지용, 저항 쇼트 패턴
+
</gallery>
 +
<li>[[과불소화 액체]]는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_004.jpg | Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.
 +
image:redmi_note4x_189_005.jpg | 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,
 +
image:redmi_note4x_189_006.jpg
 +
image:redmi_note4x_189_007.jpg | 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림
 +
</gallery>
 +
<li>실험 방법
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_008.jpg | 별도의 K타입 [[열전쌍]]으로 온도 측정 문제점을 체크함
 +
image:redmi_note4x_189_009.jpg | 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림
 +
</gallery>
 +
<li> [[Agilent E5071C 네트워크분석기]]에서 주파수 값과 [[HP 3478A DMM]]에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 [[tcf-ibw.txt]]
 +
<li>엑셀 데이터
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_010.png | 온도프로파일
 +
image:redmi_note4x_189_011.png | 피크이득
 +
image:redmi_note4x_189_012.png | -10dB 중심주파수
 +
image:redmi_note4x_189_013.png | -30ppm 온도계수를 갖는다.
 +
image:redmi_note4x_189_014.png | 대역폭
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
 +
<ol>
 +
<li>30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_015.png
 +
</gallery>
 +
<li>그래프
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_016.png | 30~130도씨 온도프로파일
 +
image:redmi_note4x_189_017.png | 피크이득
 +
image:redmi_note4x_189_018.png | -10dB 중심주파수
 +
image:redmi_note4x_189_019.png | -33ppm 온도계수를 갖는다.
 +
image:redmi_note4x_189_020.png | 대역폭
 +
</gallery>
 +
<li>사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
 
</ol>
 
</ol>
−
<li> Apple [[iPhone 5S]]에서
+
<li>다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata QE // Avago A7900
+
<li>SAW + BAW 조합이다.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_021.jpg
 +
image:redmi_note4x_189_022.jpg | Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.
 +
</gallery>
 +
<li>F-BAR baw 필터
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_023.jpg | W868-08
 +
image:redmi_note4x_189_024.jpg | 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함
 +
</gallery>
 +
<li>공진기 #1~#6
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_025.jpg | #1
 +
image:redmi_note4x_189_026.jpg | #2
 +
image:redmi_note4x_189_027.jpg | #3
 +
image:redmi_note4x_189_028.jpg | #4
 +
image:redmi_note4x_189_029.jpg | #5
 +
image:redmi_note4x_189_030.jpg | #6
 +
</gallery>
 +
<li>Rx saw 필터
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_189_031.jpg | W1895-14
 +
image:redmi_note4x_189_032.jpg | 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2020.05 출시 [[샤오미 Redmi Note 9S에서 발견된, RF 필터 17개]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>외관
+
<li>Taiyo Yuden, 1814 사이즈, 마킹 703 f07, Rx 주기 1.53um(1/4=0.382um)
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note9s_010_006_001.jpg
 +
image:redmi_note9s_010_010_001.jpg | 오른쪽 [[FBAR]] 다이는 [[레이저 다이싱]]으로 잘랐다.
 +
image:redmi_note9s_010_010_002.jpg | [[FBAR]] Z813-1G6
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>크기 측정하지 않음
 +
<ol>
 +
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125.jpg
 +
image:iphone5s01_125_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>A(아바고)D3R마킹: triple [[FBAR]] 필터 뱅크
 +
<ol>
 +
<li>두 다이 측면
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:iphone5s01_135.jpg
+
image:iphone5s01_125_004.jpg | PCB에 [[인덕터]]가 있다.
−
image:iphone5s01_136.jpg
+
image:iphone5s01_125_005.jpg
 +
image:iphone5s01_125_006.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>몰딩 수지를 위에서부터 벗겨내
+
<li>두 다이, 솔더링면. via를 통해 내부와 연결된다.
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:iphone5s01_135_001.jpg
+
image:iphone5s01_125_007.jpg | MN KV F / M9 NO M
−
image:iphone5s01_135_002.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>모듈을 모두 뜯어내, 메인보드에서 납땜면을 관찰함
+
<li>큰 다이
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:iphone5s01_135_003.jpg
+
image:iphone5s01_125_008.jpg
 +
image:iphone5s01_125_009.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
</ol>
+
<li>작은 다이
−
<li>Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual [[PAMiD]])?
 
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:iphone5s01_136_001.jpg
+
image:iphone5s01_125_010.jpg | 뚜껑 두 변을 뜯으면
−
image:iphone5s01_136_001_001.jpg
+
image:iphone5s01_125_011.jpg | 완전히 뜯으면. 좁은 Au 띠로 접착
−
image:iphone5s01_136_001_002.jpg | 1.8x1.4mm Taiyo Yuden CSP DPX, Murata WLP DPX
+
image:iphone5s01_125_012.jpg | 뚜껑 접착면.
−
image:iphone5s01_136_001_003.jpg
 
−
image:iphone5s01_136_001_004.jpg | Murata WLP roof1을 아래에서 위로 쳐다볼 때. 노랑색이 RDL 전극이다.
 
−
image:iphone5s01_136_001_005.jpg | roof1을 뜯으면
 
−
image:iphone5s01_136_001_006.jpg | 구리판이다.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]]
 
<li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]]
 
<ol>
 
<ol>
89번째 줄: 274번째 줄:
 
image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
 
image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
+
<li>CSP [[SAW duplexer]] 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_136_005_002.jpg
 
image:iphone5s01_136_005_002.jpg
−
</gallery>
 
−
<li>Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
 
−
<gallery>
 
−
image:iphone5s01_136_005_003.jpg
 
−
image:iphone5s01_136_005_004.jpg | 위에서 볼 때
 
−
image:iphone5s01_136_005_005.jpg
 
−
image:iphone5s01_136_005_006.jpg | 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.
 
−
image:iphone5s01_136_005_007.jpg | AISGC 또는 AI56C
 
−
image:iphone5s01_136_005_008.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>[[FBAR]] DPX에서 - RX(로 추정)
 
<li>[[FBAR]] DPX에서 - RX(로 추정)
111번째 줄: 287번째 줄:
 
image:iphone5s01_136_005_011.jpg
 
image:iphone5s01_136_005_011.jpg
 
image:iphone5s01_136_005_012.jpg
 
image:iphone5s01_136_005_012.jpg
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>TriQuint TQM6M6224, Dual [[PAMiD]]
 
−
<ol>
 
−
<li>사진
 
−
<gallery>
 
−
image:iphone5s01_136_006.jpg
 
−
image:iphone5s01_136_006_001.jpg
 
−
image:iphone5s01_136_006_002.jpg | 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.
 
−
</gallery>
 
−
<li>유리 지붕
 
−
<gallery>
 
−
image:iphone5s01_136_006_003.jpg | 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.
 
−
</gallery>
 
−
<li>와이어본딩 타입 [[SMR]] 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용
 
−
<gallery>
 
−
image:iphone5s01_136_006_004.jpg | 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실
 
−
image:iphone5s01_136_006_005.jpg | 벽
 
−
image:iphone5s01_136_006_006.jpg | 와이어본딩 높이를 낮추기 위한
 
−
image:iphone5s01_136_006_007.jpg | 마스크 자표 X21 Y26
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>

2025년 3월 23일 (일) 21:28 기준 최신판

FBAR(F-바)

  1. 전자부품
    1. SAW대문
      1. BAW
        1. FBAR - 이 페이지
        2. SMR
  2. 기술
    1. thin-Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR or TFBAR), bulk acoustic resonators (BAW)
      1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Thin-film_bulk_acoustic_resonator
  3. 3.8x3.8mm 듀플렉서
    1. 포장 보관

      • ASE KOREA

      • tray jedec01 001.jpg
      • antistatic box01 002.jpg

      • 2007년 12월 29일 출하품

    2. 벌크 외관
      • fbar c7150 002.jpg
      • fbar c7150 003.jpg
    3. 트레이에서
      • tray jedec01 005.jpg
      • tray jedec01 006.jpg
    4. 제품 1, 불에 태워서
      • fbar c7150 004.jpg
      • fbar c7150 005.jpg
      • fbar c7150 006.jpg

      • WLP 단면

      • fbar c7150 010.jpg

      • 캡을 벗겨서

    5. 질산에 넣어서
      • fbar c7150 008.jpg
      • fbar c7150 009.jpg
      • fbar c7150 012.jpg
    6. Cap을 벗겨서(인두기로 가열해서 AuSn 실링을 녹인 후, 칼날을 밀어넣어서)
      • fbar c7150 013.jpg
      • fbar c7150 014.jpg

      • air gap 에칭을 위한 구멍

  4. 3.0x2.5mm
    1. 2010.08 출시, 팬택, SKY 골드루키 IM-U660K 피처폰
      1. Avago TFIO 2419 3.0x2.5mm
        • im u660k 019.jpg
      2. WLP 다이를 Au 볼 와이어본딩으로 연결했다.
        • im u660k 026.jpg
        • im u660k 027.jpg
      3. 불에 태워 분해

        • 뚜껑 웨이퍼를 녹여 들어낸 후

        • 5각형 MEMS 진동판 8개

        • 뚜껑 웨이퍼를 깨뜨린 후

  5. 2.0x1.6mm 에서
    1. 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
      1. #3 2.0x1.6mm FBAR 듀플렉서 #1, 웨이퍼본딩,BGA솔더링,EMC몰딩품이다.
        1. 두 장의 실리콘 웨이퍼를 본딩한 제품이다. Broadcom 제품으로 추정

          • 레이저 마킹된 실리콘 웨이퍼면이 FBAR 패턴이 있고, 사진에서 보이는 솔더링된 웨이퍼면은 cap용 접착면이다.

          • 다이를 깨드리면, 분홍색면은 BGA면으로 cap웨이퍼, 파랑은 FBAR 웨이퍼이다.

          • lg f460s 015 002 004.jpg
      2. #9 2.0x1.6mm FBAR 듀플렉서 #1, 웨이퍼본딩,BGA솔더링,EMC몰딩품이다.
        1. BGA로 붙이는 유기물 기판

          • 상당히 두꺼운 6층 PCB. 큰 L이 필요하기 때문에 6층을 사용했다.

        2. 다이 #1, Broadcom 제품으로 추정
          • lg f460s 015 006 001.jpg
        3. 다이 #2 1.0x0.75mm Broadcom 제품으로 추정

          • 패턴

          • 양쪽 접합면

    2. 2015.06 출시 LG-F570S LG Band Play 스마트폰
      1. #3, 듀플렉서(F-BAR + SAW), 마킹 06g1
        1. 외관

          • 2.0x1.6mm, Taiyo-Yuden

        2. 내부

          • 금속 뚜껑을 벗기고

          • 측면 솔더 벽을 떼어내면

        3. FBAR 다이

          • T912-05

          • lg f570s 038 007.jpg
  6. 1.8x1.4mm
    1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
      1. 듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개 중에서
        1. Taiyo Yuden, 마킹 701 -> LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
          1. 주파수 파형

            • 2535MHz

          2. Tx필터 FBAR 온도 특성 실험-1
            1. 치구 준비

              • 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함

              • 주파수 특성 그래프

            2. 가열 냄비 준비
              • redmi note4x 189 002.jpg
              • redmi note4x 189 003.jpg
            3. 과불소화 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.

              • Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.

              • 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,

              • redmi note4x 189 006.jpg

              • 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림

            4. 실험 방법

              • 별도의 K타입 열전쌍으로 온도 측정 문제점을 체크함

              • 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림

            5. Agilent E5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 HP 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
            6. 엑셀 데이터

              • 온도프로파일

              • 피크이득

              • -10dB 중심주파수

              • -30ppm 온도계수를 갖는다.

              • 대역폭

          3. Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
            1. 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
              • redmi note4x 189 015.png
            2. 그래프

              • 30~130도씨 온도프로파일

              • 피크이득

              • -10dB 중심주파수

              • -33ppm 온도계수를 갖는다.

              • 대역폭

            3. 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
          4. 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
            1. SAW + BAW 조합이다.
              • redmi note4x 189 021.jpg

              • Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.

            2. F-BAR baw 필터

              • W868-08

              • 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함

            3. 공진기 #1~#6
                1. 1
                1. 2
                1. 3
                1. 4
                1. 5
                1. 6
            4. Rx saw 필터

              • W1895-14

              • 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec

    2. 2020.05 출시 샤오미 Redmi Note 9S에서 발견된, RF 필터 17개
      1. Taiyo Yuden, 1814 사이즈, 마킹 703 f07, Rx 주기 1.53um(1/4=0.382um)
  7. 크기 측정하지 않음
    1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
      1. 사진
        • iphone5s01 125.jpg
        • iphone5s01 125 001.jpg
      2. A(아바고)D3R마킹: triple FBAR 필터 뱅크
        1. 두 다이 측면
        2. 두 다이, 솔더링면. via를 통해 내부와 연결된다.

          • MN KV F / M9 NO M

        3. 큰 다이
          • iphone5s01 125 008.jpg
          • iphone5s01 125 009.jpg
        4. 작은 다이

          • 뚜껑 두 변을 뜯으면

          • 완전히 뜯으면. 좁은 Au 띠로 접착

          • 뚜껑 접착면.

      3. Avago A790720, Dual PAMiD
        1. 메인보드에서

          • Epcos 2016 도금타입 CSP

          • 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.

        2. CSP SAW duplexer 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
          • iphone5s01 136 005 002.jpg
        3. FBAR DPX에서 - RX(로 추정)
          • iphone5s01 136 005 009.jpg
          • iphone5s01 136 005 010.jpg
        4. FBAR DPX에서 - TX(로 추정)
          • iphone5s01 136 005 011.jpg
          • iphone5s01 136 005 012.jpg
원본 주소 "http://www.togotech.co.kr/index.php?title=FBAR&oldid=85024"