3년, 60일, 10시간, 54분 - Togotech

"FBAR"의 두 판 사이의 차이
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FBAR(F-바)
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PAMiD
 
<ol>
 
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<li>링크
 
<li>링크
 
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<li> [[전자부품]]
+
<li> [[SAW대문]]
 
<ol>
 
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−
<li> [[SAW대문]]
+
<li> [[SAW-모듈]]
 
<ol>
 
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<li> [[FBAR]] - 이 페이지
+
<li> [[PAMiD]] - 이 페이지
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<li> [[SMR]]
+
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</ol>
 
</ol>
 +
<li>용어
 +
<ol>
 +
<li>PAMid = Power Amplifier Module integrated Duplexer
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>3.8x3.8mm 듀플렉서,
+
<li>PAM 모듈
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>포장 보관
+
<li> [[3G통신모듈]]
 +
<ol>
 +
<li>EpiValley 제조(?), SEC-8380 V1.0 2009.09.12, CDMA 1x EV-DO USB Modem, 836/881MHz, main chipset: QSC6085
 +
<ol>
 +
<li>외관
 
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image:antistatic_box01_001.jpg | ASE KOREA
+
image:3g_module03_003.jpg
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image:tray_jedec01_001.jpg
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image:3g_module03_003_017.png
−
image:antistatic_box01_002.jpg
 
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image:fbar_c7150_001.jpg | 2007년 12월 29일 출하품
 
 
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−
<li>벌크 외관
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<li>내부
 
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image:fbar_c7150_002.jpg
+
image:3g_module03_003_001.jpg
−
image:fbar_c7150_003.jpg
+
image:3g_module03_003_002.jpg | PA ? PA 매칭?
 
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−
<li>[[트레이]]에서
+
<li>Tx 필터 836MHz, 1.5x1.2mm
 
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image:tray_jedec01_005.jpg
+
image:3g_module03_003_013.jpg
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image:tray_jedec01_006.jpg
+
image:3g_module03_003_003.jpg
 +
image:3g_module03_003_004.jpg
 +
image:3g_module03_003_005.jpg
 +
image:3g_module03_003_006.jpg
 +
image:3g_module03_003_007.jpg | V10PLU6B 314306 JB
 
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−
<li>제품 1, 불에 태워서
+
<li>Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
 
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image:fbar_c7150_004.jpg
+
image:3g_module03_003_008.jpg
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image:fbar_c7150_005.jpg
+
image:3g_module03_003_009.jpg
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image:fbar_c7150_006.jpg
+
image:3g_module03_003_010.jpg
−
image:fbar_c7150_007.jpg | WLP 단면
+
image:3g_module03_003_011.jpg
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image:fbar_c7150_010.jpg
+
image:3g_module03_003_012.jpg
−
image:fbar_c7150_011.jpg | 캡을 벗겨서
+
image:3g_module03_003_014.jpg | Tx필터 813077C AC
−
</gallery>
+
image:3g_module03_003_015.jpg | Rx필터 813256
−
<li>질산에 넣어서
+
image:3g_module03_003_016.jpg | 정전기 방지용, 저항 쇼트 패턴
−
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image:fbar_c7150_008.jpg
 
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image:fbar_c7150_009.jpg
 
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image:fbar_c7150_012.jpg
 
−
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−
<li>Cap을 벗겨서(인두기로 가열해서 AuSn 실링을 녹인 후, 칼날을 밀어넣어서)
 
−
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−
image:fbar_c7150_013.jpg
 
−
image:fbar_c7150_014.jpg
 
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image:fbar_c7150_015.jpg | air gap 에칭을 위한 구멍
 
 
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</ol>
 
</ol>
−
<li>1.8x1.4mm
+
</ol>
 +
<li> Apple [[iPhone 5S]]에서
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
+
<li>Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata QE // Avago A7900
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개 중에서
+
<li>외관
−
<ol>
+
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−
<li>Taiyo Yuden, 마킹 701 -> LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
+
image:iphone5s01_135.jpg
−
<ol>
+
image:iphone5s01_136.jpg
−
<li>주파수 파형
+
</gallery>
 +
<li>몰딩 수지를 위에서부터 벗겨내
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_189.png | 2535MHz
+
image:iphone5s01_135_001.jpg
 +
image:iphone5s01_135_002.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>Tx필터 [[FBAR]] 온도 특성 실험-1
+
<li>모듈을 모두 뜯어내, 메인보드에서 납땜면을 관찰함
−
<ol>
 
−
<li>치구 준비
 
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_189_001.jpg | 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함
+
image:iphone5s01_135_003.jpg
−
image:redmi_note4x_189_001_001.png | 주파수 특성 그래프
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>가열 냄비 준비
+
</ol>
 +
<li>Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual [[PAMiD]])?
 
<gallery>
 
<gallery>
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image:redmi_note4x_189_002.jpg
+
image:iphone5s01_136_001.jpg
−
image:redmi_note4x_189_003.jpg
+
image:iphone5s01_136_001_001.jpg
 +
image:iphone5s01_136_001_002.jpg | 1.8x1.4mm Taiyo Yuden CSP DPX, Murata WLP DPX
 +
image:iphone5s01_136_001_003.jpg
 +
image:iphone5s01_136_001_004.jpg | Murata WLP roof1을 아래에서 위로 쳐다볼 때. 노랑색이 RDL 전극이다.
 +
image:iphone5s01_136_001_005.jpg | roof1을 뜯으면
 +
image:iphone5s01_136_001_006.jpg | 구리판이다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>Fluorinert 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
+
<li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]]
 +
<ol>
 +
<li>메인보드에서
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_189_004.jpg | Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.
+
image:iphone5s01_136_005.jpg | Epcos 2016 도금타입 CSP
−
image:redmi_note4x_189_005.jpg | 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,
+
image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
−
image:redmi_note4x_189_006.jpg
 
−
image:redmi_note4x_189_007.jpg | 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>실험 방법
+
<li>CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_189_008.jpg | 별도의 K타입 열전대로 온도 측정 문제점을 체크함
+
image:iphone5s01_136_005_002.jpg
−
image:redmi_note4x_189_009.jpg | 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 [[tcf-ibw.txt]]
+
<li>Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
−
<li>엑셀 데이터
 
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_189_010.png | 온도프로파일
+
image:iphone5s01_136_005_003.jpg
−
image:redmi_note4x_189_011.png | 피크이득
+
image:iphone5s01_136_005_004.jpg | 위에서 볼 때
−
image:redmi_note4x_189_012.png | -10dB 중심주파수
+
image:iphone5s01_136_005_005.jpg
−
image:redmi_note4x_189_013.png | -30ppm 온도계수를 갖는다.
+
image:iphone5s01_136_005_006.jpg | 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.
−
image:redmi_note4x_189_014.png | 대역폭
+
image:iphone5s01_136_005_007.jpg | AISGC 또는 AI56C
 +
image:iphone5s01_136_005_008.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
</ol>
+
<li>[[FBAR]] DPX에서 - RX(로 추정)
−
<li>Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
 
−
<ol>
 
−
<li>30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
 
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_189_015.png
+
image:iphone5s01_136_005_009.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_010.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>그래프
+
<li>[[FBAR]] DPX에서 - TX(로 추정)
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_189_016.png | 30~130도씨 온도프로파일
+
image:iphone5s01_136_005_011.jpg
−
image:redmi_note4x_189_017.png | 피크이득
+
image:iphone5s01_136_005_012.jpg
−
image:redmi_note4x_189_018.png | -10dB 중심주파수
 
−
image:redmi_note4x_189_019.png | -33ppm 온도계수를 갖는다.
 
−
image:redmi_note4x_189_020.png | 대역폭
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
 
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
+
<li>TriQuint TQM6M6224, Dual [[PAMiD]]
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>SAW + BAW 조합이다.
+
<li>사진
 
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image:redmi_note4x_189_021.jpg
+
image:iphone5s01_136_006.jpg
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image:redmi_note4x_189_022.jpg | Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.
+
image:iphone5s01_136_006_001.jpg
 +
image:iphone5s01_136_006_002.jpg | 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>F-BAR baw 필터
+
<li>유리 지붕
 
<gallery>
 
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image:redmi_note4x_189_023.jpg | W868-08
+
image:iphone5s01_136_006_003.jpg | 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.
−
image:redmi_note4x_189_024.jpg | 진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>공진기 #1~#6
+
<li>와이어본딩 타입 [[SMR]] 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용
 
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image:redmi_note4x_189_025.jpg | #1
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image:iphone5s01_136_006_004.jpg | 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실
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image:redmi_note4x_189_026.jpg | #2
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image:iphone5s01_136_006_005.jpg | 벽
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image:redmi_note4x_189_027.jpg | #3
+
image:iphone5s01_136_006_006.jpg | 와이어본딩 높이를 낮추기 위한
−
image:redmi_note4x_189_028.jpg | #4
+
image:iphone5s01_136_006_007.jpg | 마스크 자표 X21 Y26
−
image:redmi_note4x_189_029.jpg | #5
 
−
image:redmi_note4x_189_030.jpg | #6
 
 
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</gallery>
−
<li>Rx saw 필터
 
−
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image:redmi_note4x_189_031.jpg | W1895-14
 
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image:redmi_note4x_189_032.jpg | 주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec
 
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2020년 8월 17일 (월) 18:16 판

PAMiD

  1. 링크
    1. SAW대문
      1. SAW-모듈
        1. PAMiD - 이 페이지
  2. 용어
    1. PAMid = Power Amplifier Module integrated Duplexer
  3. PAM 모듈
    1. 3G통신모듈
      1. EpiValley 제조(?), SEC-8380 V1.0 2009.09.12, CDMA 1x EV-DO USB Modem, 836/881MHz, main chipset: QSC6085
        1. 외관
          • 3g module03 003.jpg
          • 3g module03 003 017.png
        2. 내부
          • 3g module03 003 001.jpg

          • PA ? PA 매칭?

        3. Tx 필터 836MHz, 1.5x1.2mm
          • 3g module03 003 013.jpg
          • 3g module03 003 003.jpg
          • 3g module03 003 004.jpg
          • 3g module03 003 005.jpg
          • 3g module03 003 006.jpg

          • V10PLU6B 314306 JB

        4. Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
          • 3g module03 003 008.jpg
          • 3g module03 003 009.jpg
          • 3g module03 003 010.jpg
          • 3g module03 003 011.jpg
          • 3g module03 003 012.jpg

          • Tx필터 813077C AC

          • Rx필터 813256

          • 정전기 방지용, 저항 쇼트 패턴

    2. Apple iPhone 5S에서
      1. Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata QE // Avago A7900
        1. 외관
          • iphone5s01 135.jpg
          • iphone5s01 136.jpg
        2. 몰딩 수지를 위에서부터 벗겨내
          • iphone5s01 135 001.jpg
          • iphone5s01 135 002.jpg
        3. 모듈을 모두 뜯어내, 메인보드에서 납땜면을 관찰함
          • iphone5s01 135 003.jpg
      2. Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual PAMiD)?
        • iphone5s01 136 001.jpg
        • iphone5s01 136 001 001.jpg

        • 1.8x1.4mm Taiyo Yuden CSP DPX, Murata WLP DPX

        • iphone5s01 136 001 003.jpg

        • Murata WLP roof1을 아래에서 위로 쳐다볼 때. 노랑색이 RDL 전극이다.

        • roof1을 뜯으면

        • 구리판이다.

      3. Avago A790720, Dual PAMiD
        1. 메인보드에서

          • Epcos 2016 도금타입 CSP

          • 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.

        2. CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
          • iphone5s01 136 005 002.jpg
        3. Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP SAW-핸드폰DPX
          • iphone5s01 136 005 003.jpg

          • 위에서 볼 때

          • iphone5s01 136 005 005.jpg

          • 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.

          • AISGC 또는 AI56C

          • iphone5s01 136 005 008.jpg
        4. FBAR DPX에서 - RX(로 추정)
          • iphone5s01 136 005 009.jpg
          • iphone5s01 136 005 010.jpg
        5. FBAR DPX에서 - TX(로 추정)
          • iphone5s01 136 005 011.jpg
          • iphone5s01 136 005 012.jpg
      4. TriQuint TQM6M6224, Dual PAMiD
        1. 사진
          • iphone5s01 136 006.jpg
          • iphone5s01 136 006 001.jpg

          • 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.

        2. 유리 지붕

          • 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.

        3. 와이어본딩 타입 SMR 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용

          • 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실

          • 벽

          • 와이어본딩 높이를 낮추기 위한

          • 마스크 자표 X21 Y26

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