FBAR

FBAR(F-바)

전자부품
1. SAW대문
  1. BAW
    1. FBAR - 이 페이지
      1. 2007년 삼성전기 FBAR
      2. FBAR필터용 유기물기판
    2. SMR
2. 참고
  1. PAMiD, Avago 회사 제품에서 많이 발견된다.
기술
1. thin-Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR or TFBAR), bulk acoustic resonators (BAW)
  1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Thin-film_bulk_acoustic_resonator
쿼드플렉서(Quadplexer)
1. 2018.04 출시 삼성 갤럭시 S8+, SM-G955N 스마트폰
  1. Avago SFI715 FBAR Quadplexer 문서에서 자세히 분석함.
    1. 외관
      - 1-Ant 2-Tx/Rx 솔더 랜드
    2. PCB면부터 갈아내면
      - WLP 뚜껑 웨이퍼를 제거한 후
      - 볼록한 패턴
      - FBAR Quadplexer
    3. 개별 다이 관찰
      - 1사분면
      - 1사분면
      - 2사분면
      - 3사분면
      - 3사분면. 진동판 밑 공간이 단순하지 않다.
      - 4사분면
3.8x3.8mm 2007년 삼성전기 FBAR 문서에서 자세히 분석
- 3.8x3.8mm FBAR 전자부품을 바이알에 보관
3.0x2.5mm
1. 2010.08 출시 팬택 SKY 골드루키, IM-U660K 피처폰
  1. Avago TFIO 2419 3.0x2.5mm
  2. WLP 다이를 Au 볼 와이어본딩으로 연결했다.
  3. 불에 태워 분해
    - 뚜껑 웨이퍼를 녹여 들어낸 후
    - 5각형 MEMS 진동판 8개
    - 뚜껑 웨이퍼를 깨뜨린 후
2.0x1.6mm 에서
1. 2014.07 제조 LG G3 Cat.6, LG-F460S 스마트폰
  1. #3 2.0x1.6mm FBAR 듀플렉서 #1, 웨이퍼본딩,BGA솔더링,EMC몰딩품이다.
    1. 두 장의 실리콘 웨이퍼를 본딩한 제품이다. Broadcom 제품으로 추정
      - 레이저 마킹된 실리콘 웨이퍼면이 FBAR 패턴이 있고, 사진에서 보이는 솔더링된 웨이퍼면은 cap용 접착면이다.
      - 다이를 깨드리면, 분홍색면은 BGA면으로 cap웨이퍼, 파랑은 FBAR 웨이퍼이다.
  2. #9 2.0x1.6mm FBAR 듀플렉서 #1, 웨이퍼본딩,BGA솔더링,EMC몰딩품이다.
    1. BGA로 붙이는 유기물 기판
      - 상당히 두꺼운 6층 PCB. 큰 L이 필요하기 때문에 6층을 사용했다.
    2. 다이 #1, Broadcom 제품으로 추정
    3. 다이 #2 1.0x0.75mm Broadcom 제품으로 추정
      - 패턴
      - 양쪽 접합면
2. 2015.06 출시 LG Band Play, LG-F570S 스마트폰
  1. #3, 듀플렉서(F-BAR + SAW), 마킹 06g1
    1. 외관
      - 2.0x1.6mm, Taiyo-Yuden
    2. 내부
      - 금속 뚜껑을 벗기고
      - 측면 솔더 벽을 떼어내면
    3. FBAR 다이
      - T912-05
1.8x1.4mm
1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
  1. 듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개 중에서
    1. Taiyo Yuden, 마킹 701 -> LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
      1. 주파수 파형
        
        2535MHz
      2. Tx필터 FBAR 온도 특성 실험-1
        
        치구 준비
        
        정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함
        
        주파수 특성 그래프
        
        가열 냄비 준비
        
        과불소화 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
        
        Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.
        
        온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,
        
        온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림
        
        실험 방법
        
        별도의 K타입 열전쌍으로 온도 측정 문제점을 체크함
        
        50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림
        
        Agilent E5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 HP 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
        엑셀 데이터
        
        온도프로파일
        
        피크이득
        
        -10dB 중심주파수
        
        -30ppm 온도계수를 갖는다.
        
        대역폭
      3. Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
        
        30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
        
        그래프
        
        30~130도씨 온도프로파일
        
        피크이득
        
        -10dB 중심주파수
        
        -33ppm 온도계수를 갖는다.
        
        대역폭
        
        사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
      4. 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
        
        SAW + BAW 조합이다.
        
        Tx는 baw 필터(레이저 다이싱)에서 F-bar, Rx는 saw 필터이다.
        
        F-BAR baw 필터
        
        W868-08
        
        진동판에 무늬가 있는 #1~#6 표시함
        
        공진기 #1~#6
        
        1
        
        2
        
        3
        
        4
        
        5
        
        6
        
        Rx saw 필터
        
        W1895-14
        
        주기:1.48um 주파수:2655M 쏘속도:3930m/sec
2. 2020.05 출시 샤오미 Redmi Note 9S에서 발견된, RF 필터 17개
  1. Taiyo Yuden, 1814 사이즈, 마킹 703 f07, Rx 주기 1.53um(1/4=0.382um)
    - 오른쪽 FBAR 다이는 레이저 다이싱으로 잘랐다.
    - FBAR Z813-1G6
크기 측정하지 않음
1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5s 스마트폰
  1. 사진
  2. A(아바고)D3R마킹: triple FBAR 필터 뱅크
    1. 두 다이 측면
      - PCB에 인덕터가 있다.
    2. 두 다이, 솔더링면. via를 통해 내부와 연결된다.
      - MN KV F / M9 NO M
    3. 큰 다이
    4. 작은 다이
      - 뚜껑 두 변을 뜯으면
      - 완전히 뜯으면. 좁은 Au 띠로 접착
      - 뚜껑 접착면.
  3. Avago A790720, Dual PAMiD
    1. 메인보드에서
      - Epcos 2016 도금타입 CSP
      - 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
    2. CSP SAW 듀플렉서 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
    3. FBAR DPX에서 - RX(로 추정)
    4. FBAR DPX에서 - TX(로 추정)