"MEMS마이크"의 두 판 사이의 차이

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<li>참조 부품
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<li> [[압전체]]
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<li>MEMS 마이크
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<li>참조 기술
 
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<li> [[캐비티 유기물기판]]
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<li>기술자료
 
<li>기술자료
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<li>자료
 
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<li>ECM에 비해, 작고 디지털출력이 가능하다. 낮은 출력 임피던스로 잡음에 강하다. 외부 진동에 강하다. 온도안정성 좋다.
 
<li>ECM에 비해, 작고 디지털출력이 가능하다. 낮은 출력 임피던스로 잡음에 강하다. 외부 진동에 강하다. 온도안정성 좋다.
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<li>09/04/21 - 8p, Epcos
 
<li>09/04/21 - 8p, Epcos
 
<li>09/04/21 - 18p, QinetiQ
 
<li>09/04/21 - 18p, QinetiQ
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<li>Application Note
 
<li>Application Note
 
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<li>STMicronics
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<li>Tutorial for MEMS microphones - 20p
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<ol>진동판에도 구멍이 있어 공기가 통하게 해야 한다.
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<li>Gasket design for optimal acoustic performance - 19p
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<ol>마이크를 위한 사출물에서 구멍 형성 방법
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<li>Best practices in the manufacturing process - 18p
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<ol>압력에 의해 진동판이 파괴되는 경우
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<li>바닥에 구멍을 갖는 MEMS 마이크 실링방법
 
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<li>회사
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<li>규격서
 
<ol>
 
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<li>ACC
 
<li>ACC
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<li>07/06/26 - 2p
 
<li>07/06/26 - 2p
 
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<li>STMicroelectronics
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<ol>
 +
<li>16/01/01 MP45DT02 - 15p
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<li> https://vespermems.com/
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<li>VM2020 - 9p
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<li>실장 위치에 따라 3가지 구조가 있다.
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<li>bottom, top, reverse top 타입
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image:redmi_note4x_078_001.jpg | reverse top 형태로 만드는 이유
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<li>샘플
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<li>Partron 샘플 키트에서 5종
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<li>top 타입
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image:partron01_001.jpg
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image:partron01_003.jpg
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<li>bottom 타입
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image:partron01_002.jpg
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image:partron01_005.jpg
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<li>공정도용 - 제조회사 알 수 없음.
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<li>2016/01/18 샘플키트에서
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image:goertek1_001.jpg | PCB
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image:goertek1_002.jpg | 뚜껑
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image:goertek1_003.jpg | IC
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image:goertek1_004.jpg | MEMS
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image:goertek1_005.jpg | IC 다이본딩
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image:goertek1_006.jpg | MEMS 본딩
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image:goertek1_007.jpg | 와이어본딩
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image:goertek1_008.jpg | 솔더도포
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image:goertek1_009.jpg | 리플로우
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image:goertek1_010.jpg | 뒤면 구멍
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image:goertek1_011.jpg | 마킹면
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<li>제조회사 알 수 없음.
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<li>내부 MEMS 칩. 두 plate 사이 거리에 따른 C값 변화로 신호처리한다.
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image:mems_mic01_002.jpg
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image:mems_mic01_003.jpg
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image:mems_mic01_004.jpg | 그물망(back-plate라고 한다. holed rigid and fixed plate)) 뒤에 매우 얇은 진동판(membrane이라고 한다. movable and conductive plate)이 있다.
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<li>형광액 넣은 후
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image:mems_mic01_005.jpg | 그물망과 진동판 사이 공간에 형광액이 존재할 때
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image:mems_mic01_006.jpg | MEMS 구조를 파괴했을 때
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<li>질산에 넣은 후, 내부 구조
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image:mems_mic01_007.jpg | 질산이 진동판을 녹였다. 구멍이 존재한다.
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image:mems_mic01_008.jpg | 측면 다이싱 관찰
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image:mems_mic01_009.jpg | 구멍 관찰
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<li>측면 레이저 다이싱. 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
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image:mems_mic01_010.jpg | 레이저 4회
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image:mems_mic01_011.jpg
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image:mems_mic01_012.jpg
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image:mems_mic01_013.jpg | 천공 간격 약 3um, Q-rate 100kHz 레이저를 사용했다면 300mm/sec 전진 속도. 4회 반복하므로 약 70mm/sec 절삭속도가 나올 것으로 예상.
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<li>질산에 넣은 후 - 진동판은 녹아 없어져 그물망만 남았다. 빛이 통과하는 사진
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image:mems_mic01_014.jpg
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image:mems_mic01_015.jpg
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</ol>
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<li>제조회사 알 수 없음. - 그물망 반대쪽에서 (개기름이 함유한)음파가 들어와도 되는가? 그물망의 역할은 무엇인가?
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<li>구멍뚫은 세라믹 시트 패키지
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image:mems_mic02_001.jpg | 금속 뚜껑 솔더링 접합
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image:mems_mic02_002.jpg | 뚜껑 뜯으면1 - MEMS 칩 밑에서 진동한다.
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image:mems_mic02_003.jpg | 뚜껑 뜯으면2
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image:mems_mic02_004.jpg | MEMS 칩, KFD3002
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<li>다이 접착제
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image:mems_mic02_005.jpg | MEMS 칩 다이본딩을 위한 접착제
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<li>솔더링면 캐비티에 플립본딩된 신호처리 IC
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image:mems_mic02_006.jpg | 사용하려면 메인 PCB에 구멍이 뚫여있어야 한다.
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</ol>
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<li>세트에서
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<li>Knowles
 
<li>Knowles
 
<ol>
 
<ol>
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<li>S926 마킹, 6.4x3.8mm 크기
 +
<ol>
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<li>2007.07 제조품 Motorola [[MS500]] 피처폰에서
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<ol>
 +
<li>S926 6.4x3.8mm
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image:ms500_01_037.jpg
 +
</gallery>
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<li>사진촬영을 위해 비눗물 세척으로 MEMS 다이 표면이 오염됨.
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image:ms500_01_038.jpg | [[MLCC]] 두 개. 내부 캐비티 확보를 위해, 구멍뚤린 PCB 프레임을 붙임.
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image:ms500_01_039.jpg | 프레임 내부에 전극이 발라져(?)있고, 여기와 연결하기 위해 바닥면에 [[도전성 접착제]]가 도포되어 있음.
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image:ms500_01_043.jpg | 마이크 베이스를 이루고 있는 PCB에는 큰 동박이 있다.
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</gallery>
 +
<li>MEMS 마이크 다이 - Knowles S3.15 590E
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image:ms500_01_040.jpg | [[초음파 세척기]]의 물진동 때문에 MEMS 진동판은 깨져, 정사각형 검은 그림자가 보임.
 +
image:ms500_01_041.jpg
 +
image:ms500_01_042.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>S124, S150 마킹
 +
<ol>
 +
<li>SPM0208HE5 규격서 - 10p
 +
<li>2009.03 제조품 Motorola [[Z8m]] 핸드폰에서, 통화용
 +
<ol>
 +
<li>세트에서
 +
<gallery>
 +
image:z8m01_018.jpg | 마이크를 위한 키패드에 있는 통로 구멍
 +
image:z8m01_019.jpg
 +
image:z8m01_020.jpg | Knowles S150, SPM0208HE5, 4.72x3.76mm
 +
</gallery>
 +
<li>내부 캐비티 구조
 +
<gallery>
 +
image:z8m01_021.jpg
 +
image:z8m01_022.jpg | PCB 동박
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image:z8m01_023.jpg | 캐비티 프레임을 붙이기 위한 검정색, 리드 붙이는 검정색 두 층은 도전성 접착수지
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</gallery>
 +
<li>PCB 구조
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image:z8m01_024.jpg | 아랫쪽에도 도전성 가스켓이 있다.
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image:z8m01_024_001.jpg | 검정 도전성 가스켓
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image:z8m01_024_002.jpg | 표면 동박
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image:z8m01_024_003.jpg | 중간 동박
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image:z8m01_024_004.jpg | 하양 유전체 수지 위아래 동박이 있어 embedded capacitor [[PCB C]] (추정 약 50pF)를 형성했다.
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</gallery>
 +
<li>MEMS
 +
<gallery>
 +
image:z8m01_025.jpg
 +
image:z8m01_026.jpg | Knowles S4.10 다이마킹
 +
image:z8m01_027.jpg
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</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2009.03 제조품 Motorola [[Z8m]] 핸드폰에서, 소음제거용으로 폰 위쪽에 있는 [[리시버용 스피커]] 옆에 있다.
 +
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image:z8m01_120.jpg
 +
image:z8m01_121.jpg | Knowles S124
 +
image:z8m01_122.jpg
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image:z8m01_123.jpg | Knowles S4.10 다이마킹
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>S1104 마킹, 크기 4.8x3.8mm
 +
<ol>
 +
<li>2013년 12월 출시 [[노트북]], [[LG 15N53]]에서
 +
<ol>
 +
<li>패키지 마킹 S1104, 크기 4.8x3.8mm
 +
<gallery>
 +
image:lg_15n53_092.jpg
 +
image:lg_15n53_093.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이 ID, Knowles S4.10
 +
<gallery>
 +
image:lg_15n53_094.jpg
 +
image:lg_15n53_095.jpg
 +
image:lg_15n53_096.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>S1259 마킹
 +
<ol>
 +
<li>2014.07 제조 [[LG-F460S]] LG G3 Cat.6 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>핸드폰 위쪽에 2개, 아래쪽에 1개 있다.
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_032_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>디캡핑(decapping)하여 내부관찰
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_032_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>MEMS 다이
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_032_003.jpg | K0612
 +
image:lg_f460s_032_004.jpg
 +
image:lg_f460s_032_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>MEMS 구조체가 두 개인 이유 *** 추측이므로 이유를 파악할 것 ***
 +
<ol>
 +
<li>하나의 구조체에서 진동하는 (구멍이 뚫려 있지 않는) 다이아프램(diaphragm)을 중간층으로하여 (구멍이 뚫려 있는) 위면 및 아랫면으로 backplate 전극면이 있다면
 +
<ol>
 +
<li>밸런스 신호(차동신호가 나온다.)
 +
</ol>
 +
<li>이 구조를 병렬로 두면, 4개로 이루어진 일종의 wheatstone bridge 회로가 되므로, (온도변화에 무관한)순수한 진동 신호만 선형적으로 추출할 수 있다.
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>Galaxy S5 mini, SM-G800F, 방수 microUSB 2.0 어셈블리
 +
<ol>
 +
<li>보드에서, 2.8x1.8mm 크기
 +
<gallery>
 +
image:gs5mini01_004.jpg
 +
image:knowles03_001.jpg
 +
image:knowles03_002.jpg
 +
image:knowles03_003.jpg | E1119 (E: engineering sample인 듯???)
 +
</gallery>
 +
<li>장착 방법
 +
<gallery>
 +
image:knowles03_004.jpg | 솔더링면에 구멍
 +
image:knowles03_005.jpg | 칩 뒤면에서 공기가 진동
 +
</gallery>
 +
<li>본딩
 +
<gallery>
 +
image:knowles03_006.jpg
 +
image:knowles03_007.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>신호처리 IC
 +
<gallery>
 +
image:knowles03_011.jpg | 19201 B02
 +
image:knowles03_012.jpg | 이 패턴 위로는 도전성 금속막이 없어야 하는 듯
 +
</gallery>
 +
<li>MEMS 칩
 +
<gallery>
 +
image:knowles03_010.jpg | K0416
 +
image:knowles03_008.jpg
 +
image:knowles03_009.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>09/03/25 - 10p
 
<li>09/03/25 - 10p
<li>GT-B7722 2010년 7월 출시, MEMS는 두 제품 모두 동일
+
<li>2010.07 출시 삼성 [[GT-B7722]] 피처폰
 
<ol>
 
<ol>
<li>음성 입력용 마이크 S182 5573
+
<li>마킹은 다르지만, 내부 MEMS 칩은 동일하다.
 +
<li>핸드폰 아래쪽에 위치한, 음성 입력용, 마킹 S182
 
<gallery>
 
<gallery>
image:gt_b7722_025.jpg | 마이크 쪽
+
image:gt_b7722_025.jpg
image:knowles02_001.jpg
+
image:knowles02_002.jpg | 구멍뚫린 고무마개을 뽑아내면
image:knowles02_002.jpg
+
image:knowles02_001.jpg | 그물망이 붙어 있다.
image:knowles02_003.jpg
+
image:knowles02_003.jpg | 그물망을 뜯으면 마킹 S182
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>리시버 잡음 제거용 S190 9243
+
<li>핸드폰 위에 위치하고 있는 리시버 옆에 있는, 잡음 제거용, 마킹 S190
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>센서
 
<li>센서
 +
<ol>
 +
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:gt_b7722_006.jpg
 
image:gt_b7722_006.jpg
image:knowles01_001.jpg | 3.76x2.95x1.1mm
+
image:knowles01_001.jpg | 3.76x2.95x1.1mm, MEMS 위에 구멍을 뚫지 않는다. (반대편에 위치한다.)
 +
</gallery>
 +
<li>PCB 동박에 납땜으로 붙이는 금속뚜껑을 벗기면
 +
<gallery>
 
image:knowles01_002.jpg
 
image:knowles01_002.jpg
image:knowles01_003.jpg
+
image:knowles01_003.jpg | 뾰족한 바늘 형상은 아마 [[다이본딩]] 기준위치 표시일 듯
image:knowles01_004.jpg
+
</gallery>
 +
<li>멤스 마이크 다이
 +
<gallery>
 +
image:knowles01_004.jpg | KNOWLES S4.10 590 E
 
image:knowles01_008.jpg
 
image:knowles01_008.jpg
 
image:knowles01_009.jpg
 
image:knowles01_009.jpg
image:knowles01_005.jpg | 형광액침투
+
image:knowles01_005.jpg | [[형광체]] 침투로 뚫린 빈공간 확인
image:knowles01_006.jpg | 뒷면
+
</gallery>
image:knowles01_007.jpg | 레이저 다이싱 5회
+
<li> [[다이본딩]]된 다이 뜯어서,
 +
<gallery>
 +
image:knowles01_006.jpg | 뒷쪽 빈공간 확인
 +
image:knowles01_007.jpg | 측면을 보니, [[레이저]]로 [[다이싱]] 5회 하였다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>PCB 기판
 
<li>PCB 기판
 +
<ol>
 +
<li> [[Au 볼 와이어본딩]] 방법
 
<gallery>
 
<gallery>
image:knowles01_010.jpg | PCB에 범핑 그리고 스티치
+
image:knowles01_010.jpg | PCB에 [[Au 볼 와이어본딩]]을 할 때는 Ball Stitch On Ball(BSOB) 방식
image:knowles01_011.jpg
 
image:knowles01_012.jpg
 
image:knowles01_013.jpg
 
image:knowles01_014.jpg
 
image:knowles01_015.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
<li> [[PCB C]]
 +
<gallery>
 +
image:knowles01_011.jpg | 동박은 4층, 그러므로 유전체는 3층, 가운데 유전체는 C값을 키우기 위해 유전율이 크고 매우 얇다.
 +
image:knowles01_012.jpg | 1층: 납땜면
 +
image:knowles01_013.jpg | 2층: C 형성
 +
image:knowles01_014.jpg | 3층: C 형성
 +
image:knowles01_015.jpg | 4층: 본딩면
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>GT-i5500, S180
+
<li>2010.10 출시 삼성 [[GT-i5500]] 갤럭시 5 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>음성 마이크용, Knowles S180
 +
<gallery>
 +
image:gt_i5500_006.jpg | 캔에 구멍이 없다.
 +
image:gt_i5500_007.jpg | PCB 납땜면에 구멍이 있다.
 +
</gallery>
 +
<li>납땜면을 뜯으면
 
<gallery>
 
<gallery>
image:gt_i5500_001.jpg
 
image:gt_i5500_006.jpg
 
image:gt_i5500_007.jpg
 
 
image:gt_i5500_008.jpg
 
image:gt_i5500_008.jpg
image:gt_i5500_009.jpg | 마이크
+
image:gt_i5500_009.jpg
image:gt_i5500_009_001.jpg
+
</gallery>
image:gt_i5500_009_002.jpg
+
<li>[[발연질산]]에 넣어
 +
<gallery>
 +
image:gt_i5500_009_001.jpg | MEMS 다이
 +
image:gt_i5500_009_002.jpg | 신호처리 IC. [[와이어본딩 패드]]면에 엠보싱처리
 +
</gallery>
 +
<li>잡음 제거용, 리시버 쪽에 위치. Knowles S180
 +
<gallery>
 
image:gt_i5500_010.jpg
 
image:gt_i5500_010.jpg
image:gt_i5500_011.jpg | 리시버쪽
+
image:gt_i5500_011.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>Partron
+
</ol>
 +
<li>Omron
 
<ol>
 
<ol>
<li>샘플 키트에서 5종
+
<li> 삼성 갤럭시 폴더2 [[SM-G160N]]에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:partron01_001.jpg
+
image:sm_g160n_021.jpg | A6201 S1111 15, 3.0x2.5mm, 뚜껑에 구멍이 있는 top 타입
image:partron01_002.jpg
+
image:sm_g160n_022.jpg
image:partron01_003.jpg
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image:sm_g160n_023.jpg | Ha1 Omron
image:partron01_004.jpg
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image:partron01_005.jpg
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</ol>
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<li>제조회사 알 수 없음
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<ol>
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<li> Apple [[iPhone 5S]]
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<ol>
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<li>3개를 사용해서, 다양한 각도에서 오는 음향을 잘 받아들이기 위해
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<ol>
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<li>외부 소음 제거-2개면 된다.
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<li>스피커 폰으로 통화할 때 더 확실한 소리를 받아들이기 위해
 +
<li>스피커로 노래를 들을 때, 음향 분석하여 더 풍부한 음을 내기 위해서(?)
 +
</ol>
 +
<li>아래 측면, 주 통화용 [[MEMS마이크]], bottom 타입
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<gallery>
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image:iphone5s01_038.jpg
 +
image:iphone5s01_039.jpg | HP SR613 4227 M3, 3.4x2.5mm
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image:iphone5s01_040.jpg | E2140C 03272
 +
image:iphone5s01_041.jpg
 +
image:iphone5s01_042.jpg
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</gallery>
 +
<li>위 뒷면, 잡음 제거용 [[MEMS마이크]], bottom 타입
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_053.jpg | 구멍이 뚫린 이유
 +
image:iphone5s01_055.jpg
 +
image:iphone5s01_057.jpg | C1281 6616 M1 284
 +
image:iphone5s01_057_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>위 앞면, 리시버 바로 옆에 있는, 보조 통화용(?) 세번째 [[MEMS마이크]], bottom 타입
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_192.jpg | 리시버  sound outlet port hole과 마이크용 sound inlet 구멍
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image:iphone5s01_193.jpg
 +
image:iphone5s01_194.jpg | sound inlet
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image:iphone5s01_195.jpg | M1663 2472 M2 106
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
 +
<ol>
 +
<li>메인 마이크
 +
<ol>
 +
<li>메인 마이크와 맨 아래 버튼 스위치용 백라이트 LED 연결
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_046.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>메인 [[MEMS마이크]], XN7A7 7722 3014
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_047.jpg | bottom 타입이다.
 +
image:redmi_note4x_048.jpg | 납땜으로 금속 뚜껑을 붙임
 +
image:redmi_note4x_049.jpg | E2140C 11581
 +
image:redmi_note4x_050.jpg
 +
image:redmi_note4x_051.jpg
 +
image:redmi_note4x_052.jpg | 실리콘 MEMS 마이크 뒷면
 +
</gallery>
 +
<li>C embedded PCB 분석, [[PCB C]]
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_053.jpg | PCB top(1층) 동박
 +
image:redmi_note4x_054.jpg | top(1층) 동박
 +
image:redmi_note4x_055.jpg | 1층과 2층 동박사이에 있는 FR4 유전체
 +
image:redmi_note4x_056.jpg | 2층 동박
 +
image:redmi_note4x_057.jpg | 2층 동박을 벗기면, 하양 유전체가 보인다. 이 유전체 두께로 C값을 좌우한다.
 +
image:redmi_note4x_058.jpg | 하양 유전체 두께는 매우 얇다. 유전율을 높일수 없어서 두께를 얇게해서 C값을 높인다.
 +
image:redmi_note4x_059.jpg | 3층 동박. 두 개의 C가 형성되어 있다.
 +
image:redmi_note4x_060.jpg | 납땜을 위한 bottom면(4층) 동박
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>귀쪽에 위치한, 소음 제거용 [[MEMS마이크]]
 +
<ol>
 +
<li>외형
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_076.jpg
 +
image:redmi_note4x_077.jpg | MN7A7 7719 3021
 +
</gallery>
 +
<li>패키지 분해
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_078.jpg | PCB 3개를 붙여서 만들었다.
 +
image:redmi_note4x_078_001.jpg | reverse top 형태로 만드는 이유
 +
image:redmi_note4x_079.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>프레임 구조
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_080.jpg
 +
image:redmi_note4x_081.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[PCB C]]
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_082.jpg
 +
image:redmi_note4x_083.jpg | C embedded PCB를 사용했다.
 +
</gallery>
 +
<li>MEMS 진동판 - 메인 마이크에 사용된 MEMS 진동판과 같다.
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_084.jpg | E2140C 03322
 +
image:redmi_note4x_085.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>GoerTek
+
</ol>
 +
<li>[[Lenovo ideapad 700-15isk]] 노트북에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>2016/01/18 샘플키트
+
<li>전체
 
<gallery>
 
<gallery>
image:goertek1_001.jpg | PCB
+
image:lenovo_ideapad_156.jpg | L마이크,카메라,LED표시,R마이크
image:goertek1_002.jpg | 뚜껑
+
image:lenovo_ideapad_157.jpg
image:goertek1_003.jpg | IC
+
image:lenovo_ideapad_158.jpg
image:goertek1_004.jpg | MEMS
+
</gallery>
image:goertek1_005.jpg | IC 다이본딩
+
<li>외관
image:goertek1_006.jpg | MEMS 본딩
+
<gallery>
image:goertek1_007.jpg | 와이어본딩
+
image:lenovo_ideapad_160.jpg
image:goertek1_008.jpg | 솔더도포
+
image:lenovo_ideapad_159.jpg
image:goertek1_009.jpg | 리플로우
+
image:lenovo_ideapad_161.jpg | AE04 5W47 완충 고무
image:goertek1_010.jpg | 뒤면 구멍
+
</gallery>
image:goertek1_011.jpg | 마킹면
+
<li>납땜
 +
<gallery>
 +
image:lenovo_ideapad_162.jpg
 +
image:lenovo_ideapad_163.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>내부
 +
<gallery>
 +
image:lenovo_ideapad_164.jpg
 +
image:lenovo_ideapad_165.jpg
 +
image:lenovo_ideapad_166.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>MEMS 표면
 +
<gallery>
 +
image:lenovo_ideapad_167.jpg | KFD3002
 +
image:lenovo_ideapad_168.jpg
 +
image:lenovo_ideapad_169.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>
 +
<gallery>
 +
image:if_s1100_030.jpg | S2292
 +
image:if_s1100_031.jpg
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2022년 11월 28일 (월) 10:35 기준 최신판

MEMS마이크

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 마이크
        1. MEMS마이크 - 이 페이지
      2. 참조 부품
        1. 압전체
        2. 캐퍼시터
      3. 참조 기술
        1. 캐비티 유기물기판
  2. 기술자료
    1. 자료
      1. ECM에 비해, 작고 디지털출력이 가능하다. 낮은 출력 임피던스로 잡음에 강하다. 외부 진동에 강하다. 온도안정성 좋다.
          ECM은 먼지와 습도가 강하다. 커서 전선,핀,스프링 등 장착에 유연하다. 공간성,지향성에 유연하다. 작동전압범위가 넓다.
      2. 10/10/00 - 10p, ETRI
      3. 09/10/19 - 8p, Justin Lee
      4. 09/04/21 - 8p, Epcos
      5. 09/04/21 - 18p, QinetiQ
    2. Application Note
      1. STMicronics
        1. Tutorial for MEMS microphones - 20p
            진동판에도 구멍이 있어 공기가 통하게 해야 한다.
        2. Gasket design for optimal acoustic performance - 19p
            마이크를 위한 사출물에서 구멍 형성 방법
        3. Best practices in the manufacturing process - 18p
            압력에 의해 진동판이 파괴되는 경우
      2. 바닥에 구멍을 갖는 MEMS 마이크 실링방법
    3. 규격서
      1. ACC
        1. 승인원 규격서
          1. 11/04/13 - 74p, PCB에 구멍
          2. 11/03/07 - 74p, 메탈캡에 구멍
            1. 위 두 모델모두, E2002B MEMS + Amp. chip: M1727A16, Infineon 0.25um tech. 이용
      2. Infineon
        1. 07/06/26 - 2p
      3. STMicroelectronics
        1. 16/01/01 MP45DT02 - 15p
      4. https://vespermems.com/
        1. VM2020 - 9p
  3. 실장 위치에 따라 3가지 구조가 있다.
    1. bottom, top, reverse top 타입
  4. 샘플
    1. Partron 샘플 키트에서 5종
      1. top 타입
      2. bottom 타입
    2. 공정도용 - 제조회사 알 수 없음.
      1. 2016/01/18 샘플키트에서
    3. 제조회사 알 수 없음.
      1. 내부 MEMS 칩. 두 plate 사이 거리에 따른 C값 변화로 신호처리한다.
      2. 형광액 넣은 후
      3. 질산에 넣은 후, 내부 구조
      4. 측면 레이저 다이싱. 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
      5. 질산에 넣은 후 - 진동판은 녹아 없어져 그물망만 남았다. 빛이 통과하는 사진
    4. 제조회사 알 수 없음. - 그물망 반대쪽에서 (개기름이 함유한)음파가 들어와도 되는가? 그물망의 역할은 무엇인가?
      1. 구멍뚫은 세라믹 시트 패키지
      2. 다이 접착제
      3. 솔더링면 캐비티에 플립본딩된 신호처리 IC
  5. 세트에서
    1. Knowles
      1. S926 마킹, 6.4x3.8mm 크기
        1. 2007.07 제조품 Motorola MS500 피처폰에서
          1. S926 6.4x3.8mm
          2. 사진촬영을 위해 비눗물 세척으로 MEMS 다이 표면이 오염됨.
          3. MEMS 마이크 다이 - Knowles S3.15 590E
      2. S124, S150 마킹
        1. SPM0208HE5 규격서 - 10p
        2. 2009.03 제조품 Motorola Z8m 핸드폰에서, 통화용
          1. 세트에서
          2. 내부 캐비티 구조
          3. PCB 구조
          4. MEMS
        3. 2009.03 제조품 Motorola Z8m 핸드폰에서, 소음제거용으로 폰 위쪽에 있는 리시버용 스피커 옆에 있다.
      3. S1104 마킹, 크기 4.8x3.8mm
        1. 2013년 12월 출시 노트북, LG 15N53에서
          1. 패키지 마킹 S1104, 크기 4.8x3.8mm
          2. 다이 ID, Knowles S4.10
      4. S1259 마킹
        1. 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
          1. 핸드폰 위쪽에 2개, 아래쪽에 1개 있다.
          2. 디캡핑(decapping)하여 내부관찰
          3. MEMS 다이
          4. MEMS 구조체가 두 개인 이유 *** 추측이므로 이유를 파악할 것 ***
            1. 하나의 구조체에서 진동하는 (구멍이 뚫려 있지 않는) 다이아프램(diaphragm)을 중간층으로하여 (구멍이 뚫려 있는) 위면 및 아랫면으로 backplate 전극면이 있다면
              1. 밸런스 신호(차동신호가 나온다.)
            2. 이 구조를 병렬로 두면, 4개로 이루어진 일종의 wheatstone bridge 회로가 되므로, (온도변화에 무관한)순수한 진동 신호만 선형적으로 추출할 수 있다.
      5. Galaxy S5 mini, SM-G800F, 방수 microUSB 2.0 어셈블리
        1. 보드에서, 2.8x1.8mm 크기
        2. 장착 방법
        3. 본딩
        4. 신호처리 IC
        5. MEMS 칩
      6. 09/03/25 - 10p
      7. 2010.07 출시 삼성 GT-B7722 피처폰
        1. 마킹은 다르지만, 내부 MEMS 칩은 동일하다.
        2. 핸드폰 아래쪽에 위치한, 음성 입력용, 마킹 S182
        3. 핸드폰 위에 위치하고 있는 리시버 옆에 있는, 잡음 제거용, 마킹 S190
          1. 센서
            1. 외관
            2. PCB 동박에 납땜으로 붙이는 금속뚜껑을 벗기면
            3. 멤스 마이크 다이
            4. 다이본딩된 다이 뜯어서,
            5. PCB 기판
              1. Au 볼 와이어본딩 방법
              2. PCB C
      8. 2010.10 출시 삼성 GT-i5500 갤럭시 5 스마트폰
        1. 음성 마이크용, Knowles S180
        2. 납땜면을 뜯으면
        3. 발연질산에 넣어
        4. 잡음 제거용, 리시버 쪽에 위치. Knowles S180
    2. Omron
      1. 삼성 갤럭시 폴더2 SM-G160N에서
    3. 제조회사 알 수 없음
      1. Apple iPhone 5S
        1. 3개를 사용해서, 다양한 각도에서 오는 음향을 잘 받아들이기 위해
          1. 외부 소음 제거-2개면 된다.
          2. 스피커 폰으로 통화할 때 더 확실한 소리를 받아들이기 위해
          3. 스피커로 노래를 들을 때, 음향 분석하여 더 풍부한 음을 내기 위해서(?)
        2. 아래 측면, 주 통화용 MEMS마이크, bottom 타입
        3. 위 뒷면, 잡음 제거용 MEMS마이크, bottom 타입
        4. 위 앞면, 리시버 바로 옆에 있는, 보조 통화용(?) 세번째 MEMS마이크, bottom 타입
      2. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰에서
        1. 메인 마이크
          1. 메인 마이크와 맨 아래 버튼 스위치용 백라이트 LED 연결
          2. 메인 MEMS마이크, XN7A7 7722 3014
          3. C embedded PCB 분석, PCB C
        2. 귀쪽에 위치한, 소음 제거용 MEMS마이크
          1. 외형
          2. 패키지 분해
          3. 프레임 구조
          4. PCB C
          5. MEMS 진동판 - 메인 마이크에 사용된 MEMS 진동판과 같다.
      3. Lenovo ideapad 700-15isk 노트북에서
        1. 전체
        2. 외관
        3. 납땜
        4. 내부
        5. MEMS 표면