92일, 19시간, 33분 - Togotech

"NV-SRAM"의 두 판 사이의 차이

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<li>Flash 메모리는 쓰기 횟수에 제한이 있다. 그러나 SRAM은 무제한 쓰기가 가능하다.
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image:8960_19_003.jpg | [[1차-CR]]배터리 CR2477
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image:8960_19_004.jpg | Toshiba TC551001CF-85L 1Mbit SRAM, 배터리가 있어 [[NV-SRAM]]으로 활용된다.
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image:hp3245a02_018.jpg | [[NV-SRAM]] DS1230Y-150, 96년 7주차 생산품
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<li>DS1245Y 규격서 - 13p
 
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image:tds540_06_004.jpg | Dallas DS1245Y-120 NonVolatile SRAM
 
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image:tds540_06_004_004.jpg | Dallas DS1210S Nonvolatile Controller Chip, Hitachi HM628128LFP 128Kbyte SRAM, CR1632 +3V
 
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<li> [[HP 54652B RS-232/Parallel Interface Module]]
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image:8960_19_003.jpg | Dallas Semiconductor DS1210S Nonvolatile Controller Chip [[1차-CR]]배터리 CR2477
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image:54645d01_014.jpg | Dallas DS1230Y-120, 256k [[NV-SRAM]]
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image:8960_19_004.jpg | Toshiba TC551001CF-85L 1Mbit SRAM, 배터리가 있어 [[NV-SRAM]]으로 활용된다.
 
 
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<li>STMicroelectronics
 
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<li> [[HP 54602B]] 에서
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<li>어느 인터넷에서, 오실로스코프에서 개조방법 사진
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<li> [[HP 54602B]] 오실로스코프에서, 여기 배터리를 살려야 계측기를 정상적으로 사용할 수 있다.
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<li>1호기
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image:54602b01_009.jpg | 밑면보드
 
image:54602b01_009.jpg | 밑면보드
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image:54602b01_010.jpg | MC68EC000 CPU, STMicroelectronics M48Z18-100PCI 16kbit non-volatile [[SRAM]], M27C4002M27C4002-12F1 4M-bit UV EPROM
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<li>배터리가, 마킹기준으로 오른쪽에 있다는 사실을 알고 파내기 시작
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image:54602b01_034_002.jpg | 케이스는 딱딱하지만 내부는 비교적 파 내기 쉬운 말랑말랑 고무계 수지이다.
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<li>배터리 발견
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image:54602b01_034_004.jpg | -극 용접단자를 세게 들어올려 밑바닥에서 접합이 떨어졌다. 더 파내야 했다.
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image:54602b01_034_005.jpg | 뽑힌 -극 용접단자
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<li>배터리 뽑아내고, 외부 단자를 뽑기 위해 계속 작업
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image:54602b01_034_006.jpg | 접합단자까지 파내려갔다.
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image:54602b01_034_008.jpg | [[1차-BR]] 전지를 뽑아냄. Rayovac BR1225 USA
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<li>외부에서 CR2032를 넣기 위해 전지 홀더를 부착함.
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<li>다음번에 패키지 오른쪽 측면만 파내어 전지 연결선을 찾는 것이 편할 듯
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<li>전원을 켤 때, 오류 메시지 나오지 않고, self calibration 실시 후 정상적인 측정값을 보인다.
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<li>2호기
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image:54602b02_012.jpg | 원래
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image:54602b02_013.jpg | 전지 연결부위까지 수지 몰딩을 깍아냄
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image:54602b02_014.jpg | 전지 소켓을 연결. 가는 전선으로 연결해야 납땜 부위에 힘을 받지 않는다.
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image:54602b02_015.jpg | CR2032 를 끼워넣음
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<li> HP [[54620A]] Logic Analyzer
 
<li> HP [[54620A]] Logic Analyzer
 
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<li> [[HP 54620C 로직분석기]]
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<li>Xicor X2212D, 256x4bit [[NV-SRAM]]
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<li> [[자이코]] Xicor X2212D, 256x4bit [[NV-SRAM]]
 
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<li>데이터시트 , EEPROM과 SRAM을 동시에 만들어 데이터를 교환하여 비휘발성 기능을 발휘.
 
<li>데이터시트 , EEPROM과 SRAM을 동시에 만들어 데이터를 교환하여 비휘발성 기능을 발휘.
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2024년 2월 9일 (금) 21:12 기준 최신판

NV-SRAM

  1. 전자부품
    1. IC
      1. 메모리
        1. RAM
          1. SRAM
            1. NV-SRAM - 이 페이지
    2. 참고
      1. 배터리+SRAM사용 RTC
  2. NonVolatile SRAM 콘트롤러로 구분함.
    1. 기술
      1. HP 계측기(오실로스코프 등)에서, cal 데이터를 저장한다.
    2. 자료
      1. FAQ - 7p
        1. 외부에서 배터리 전압을 측정하지 못한다. 대부분 그렇게 만들었다.
        2. Flash Memory는 쓰기에 오래 걸린다.
          1. Flash 메모리는 쓰기 횟수에 제한이 있다. 그러나 SRAM은 무제한 쓰기가 가능하다.
          2. Flash 메모리는 블록단위로 쓸 수 있다. 반면에 SRAM은 개별 바이트로 읽기 쓰기가 가능하다.
  3. Dallas Semiconductor
    1. DS1210S
      1. 8960 무선 통신 테스트 세트, Host I/O 보드

        • 1차-CR배터리 CR2477

        • Toshiba TC551001CF-85L 1Mbit SRAM, 배터리가 있어 NV-SRAM으로 활용된다.

    2. DS1211
      1. Tektronix TDS460A 오실로스코프에서
        1. SRAM을 nonvolatile memory로 사용하기 위한

          • Nonvolatile Controller x 8 Chip (converting CMOS RAMs into nonvolatile memories)

          • Mitsubishi M5M51008AFP, 1Mbit SRAM

    3. DS1220Y
      1. 3458A DMM에 하나 사용한다.
    4. DS1225Y-200
      1. HP 54645A 오실로스코프에 사용
    5. DS1230Y
      1. 규격서 - 10p
        1. DS1235Y과 같다. 차이점은 DS1235Y에 비해 최소 10년간 데이터 보존(retention)한다.
        2. 34-pin PowerCap Module(PCM) 제품은 표면위에 배터리 연결단자가 있다.
      2. HP 3245A 유니버설 소스에서

        • NV-SRAM DS1230Y-150, 96년 7주차 생산품

    6. DS1235Y
      1. 규격서 - 7p
        1. 최소 5년간 데이터 보존(retention)
        2. 내장 배터리 두 개가 자동으로 스위칭하여 신뢰성을 확보한다.
      2. 3458A DMM에 두 개 사용한다.
    7. DS1245Y
      1. DS1245Y 규격서 - 13p
      2. Tektronix TDS540 오실로스코프에서

        • Dallas DS1245Y-120 NonVolatile SRAM

        • tds540 06 004 001.jpg
        • tds540 06 004 002.jpg
        • tds540 06 004 003.jpg

        • Dallas DS1210S Nonvolatile Controller Chip, Hitachi HM628128LFP 128Kbyte SRAM, CR1632 +3V

      3. HP 54652B RS-232/Parallel Interface Module
  4. STMicroelectronics
    1. M48Z18
      1. 규격서 - 18p

        • 현재로서는 전체 교체 이외에는 방법이 없다.

      2. 어느 인터넷에서, 오실로스코프에서 개조방법 사진
        • nv ram02 001.jpg
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        • nv ram02 009.jpg
        • nv ram02 010.jpg
      3. HP 54602B 오실로스코프에서, 여기 배터리를 살려야 계측기를 정상적으로 사용할 수 있다.
        1. 1호기
          1. 수정전

            • 밑면보드

            • 54602b01 010.jpg
          2. 배터리가, 마킹기준으로 오른쪽에 있다는 사실을 알고 파내기 시작
            • 54602b01 034 001.jpg

            • 케이스는 딱딱하지만 내부는 비교적 파 내기 쉬운 말랑말랑 고무계 수지이다.

          3. 배터리 발견
            • 54602b01 034 003.jpg

            • -극 용접단자를 세게 들어올려 밑바닥에서 접합이 떨어졌다. 더 파내야 했다.

            • 뽑힌 -극 용접단자

          4. 배터리 뽑아내고, 외부 단자를 뽑기 위해 계속 작업

            • 접합단자까지 파내려갔다.

            • 54602b01 034 007.jpg

            • 1차-BR 전지를 뽑아냄. Rayovac BR1225 USA

          5. 외부에서 CR2032를 넣기 위해 전지 홀더를 부착함.
            • 54602b01 034 009.jpg
          6. 다음번에 패키지 오른쪽 측면만 파내어 전지 연결선을 찾는 것이 편할 듯
          7. 전원을 켤 때, 오류 메시지 나오지 않고, self calibration 실시 후 정상적인 측정값을 보인다.
        2. 2호기

          • 원래

          • 전지 연결부위까지 수지 몰딩을 깍아냄

          • 전지 소켓을 연결. 가는 전선으로 연결해야 납땜 부위에 힘을 받지 않는다.

          • CR2032 를 끼워넣음

      4. HP 54620A Logic Analyzer
        • hp65620a01 016.jpg
      5. HP 54620C 로직분석기
        • hp54620c01 002 001.jpg
  5. 자이코 Xicor X2212D, 256x4bit NV-SRAM
    1. 데이터시트 , EEPROM과 SRAM을 동시에 만들어 데이터를 교환하여 비휘발성 기능을 발휘.
    2. Keithley 195A DMM
      • keithley195a 010.jpg
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