Tr

전자부품
1. 반도체
  1. 디스크리트
    1. Tr - 이 페이지
      1. 기술
        
        Tr 측정
      2. 패키지
        
        TO-3 다이아몬드형 금속패키지
        TO-5 원형 금속패키지
        TO-220 플라스틱 패키지
        TO-92 플라스틱 패키지
트랜지스터
1. 의미있는 사진들
  1. 홍콩 마킹
    - HP 3455A DMM에서
    - 4446xA에서
  2. 삼성
    - 103 전압소스에서. 삼성 KSC1520 npn Tr, 1970년대말에 제조한 것으로 추정
    - 삼성 Tr(?)
  3. EBC 전극 표시
    1. HP5328B 카운터에서
      - 2N3906 Tr에 적힌 EBC
    2. 마킹이 잘보이게 페인트칠
      - Guildline 9540 백금온도계에서
      - 7060 DMM에서, LED 제어용 Motorola 2N4403, PNP Tr
    3. 금형으로
      1. YHP LCR-4260A Universal Bridge에서
        
        4-071 Motorola136 EBC Tr
  4. 페라이트슬리브가 꼽히고, EBC 전극 표시
  5. 리드가 보이지 않게 짧게 잘라 납땜함
    1. SR606H 라벨 프린터에서
      - Tr에서 리드를 매우 짧게 잘라 납땜한, 2SB1269 pnp, 2SD1805 npn
사용 기술
1. 디지털 트랜지스터 - 내부 저항 2개 들어간 트랜지시터
  1. 기술정보
    1. 링크 http://www.rohm.com/web/in/faq_search/-/faq_search/FaqId/234
      1. 저항1: 베이스에 직렬저항을 넣으면 입력 전압을 전류로 변환하여 동작을 안정화시킨다. 그래서 꼭 넣는다.
      2. 저항2: 베이스와 이미터 사이에 저항을 넣는다. 베이스에 걸리는 노이즈에 의한 누설전류를 접지로 보내 오동작을 방지한다.
2. Complementary Transistors
  1. NPN, PNP 두 차이점
    1. 전자 이동도가 전공 이동도에 비해 빠르다. NPN이 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있고, 스위칭 속도가 빠르다.
  2. STA341M - 3p
    1. 외형 및 내부 구조
      - STA341M Complementary Transistors 디스크리트가 3개 있음
      - 칩 하나는 PNP, 하나는 NPN
    2. 칩
      - 본딩 와이어 굵기가 다른 것처럼 보인다.
      - 실제 그렇지 않다.
      - 왼쪽은 EMC속에서 열을 받아, 높은 압력 때문에 금이 퍼진 듯
3. Pair
  1. 2N3810A, dual silicon PNP transistors, monolithic NPN transistor pairs, 6-lead TO-5 metal can package
    - - UTHE 10H Ultrasonic Generator에서
  2. Motorola 3-075
    1. 외관 및 방열세라믹기판
      - 6-pin
    2. 왼쪽 칩
    3. 오른쪽 칩
패키징 방법에 따라
1. 플라스틱
  1. 1W 이상 사용되는 TO-220 플라스틱 패키지
  2. 1W 미만으로 방열필요없는
    1. Silk Hat 타입
      1. DC voltage standard, model 103, Kisusui에서
        
        Silk Hat 타입
    2. TO-92 플라스틱 패키지
  3. 리드 지지 방법
    1. 니콘 넥시브, XYZ 모터 드라이브에서
2. 금속 캔
  1. 방열 방법
  2. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
  3. TO-5 원형 금속패키지
3. 하이브리드IC에서
  1. 오디오앰프IC
    1. 전체
    2. 하나인 어떤 Tr 다이
    3. 4개인 주 Tr 다이
    4. 단순한 전극 모양의 두 개인 Tr 다이
4. 마이크로-X