260일, 7시간, 49분 - Togotech

"RF스위치IC"의 두 판 사이의 차이
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<li>참고
 
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<li> [[RF스위치]]
 
<li> [[RF스위치]]
 
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<li>참고
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<li> [[Rx 스위치+SAW 모듈]]
 
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<li>기술
 
<li>기술
 
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 +
<li>FET 스위치
 
<li>사용 웨이퍼
 
<li>사용 웨이퍼
 
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<li>silicon -insulator-silicon substrate를 사용한다.
 
<li>silicon -insulator-silicon substrate를 사용한다.
 
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<li>SoS
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<li>SoS, 실리콘 온 [[사파이어]]
 
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<li>위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_on_sapphire
 
<li>위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_on_sapphire
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<li>현재 핸드폰용 스위치 IC는 SoS가 비싸기 때문에 SoI로 대부분 만든다.
 
<li>현재 핸드폰용 스위치 IC는 SoS가 비싸기 때문에 SoI로 대부분 만든다.
 
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<li>(단품이 아닌) 스위칭 회로 패턴
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<li>5,8GHz DSRC용 SONY G1132A [[FEM]] - (앰프,스위치,믹서 등이 포함되었을 것으로 추정함.)
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<ol>
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<li>[[RF스위치IC]]에 적용되는 [[트랜지스터]] 회로 - 빗살무늬 전극은 drain 및 source 용 전극이고, 가운데 지나가는 가는 전극은 gate. 두 줄이므로 dual gate 소자.
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image:hipass_rf01_065_002.jpg
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image:hipass_rf01_065_003.jpg
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image:hipass_rf01_065_004.jpg
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<li>(RF용도가 아닌) 아날로그 스위치
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<ol>
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<li> [[National VP-7722A 오디오분석기]]
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<li>HI1-201-5, Quad SPST CMOS Analog Switches, Harris Semiconductor
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image:vp7722a_024.jpg
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image:vp7722a_024_001.jpg | frit 프리트 실링
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image:vp7722a_024_002.jpg | 다이
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image:vp7722a_024_003.jpg
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</ol>
 
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<li>[[핸드폰]]에서
 
<li>[[핸드폰]]에서
 
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<ol>
−
<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서
+
<li>2007.10 출시 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>TDD용 PAM과 W-CDMA PAM을 따로 스위칭하기 위해서(?)
+
<li> [[Rx 스위치+SAW 모듈]], MA543 Murata
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 +
image:sh170_033.jpg
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</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2009.12 출시 삼성 [[SPH-M8400]] 옴니아2 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li> [[FEM]], 4.5x3.2mm,
 +
<gallery>
 +
image:sph_m8400_023.jpg | 1.4x1.11mm SAW 2개
 +
image:sph_m8400_023_001.jpg | 우측 아래에 Peregrine 글자 및 마크가 뒷면으로 보인다.
 +
image:sph_m8400_023_002.jpg | C9869_2 B02, SoS(실리콘 온 사파이어) 웨이퍼
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2010.07 출시 삼성 [[GT-B7722]] 피처폰
 +
<ol>
 +
<li>EPCOS D5027 [[Rx 스위치+SAW 모듈]] FEM
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>외관
+
<li> [[LTCC 기판]] 위에 듀얼쏘필터2개, L2개, 스위치IC 하나.
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_131.jpg | 회사 마크가 RFMD
+
image:gt_b7722_013_012.jpg
−
image:redmi_note4x_094_006.jpg
+
image:gt_b7722_013_018.jpg | 2G 밴드 GSM 850 / 900 / 1800 / 1900
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>다이 분석
+
<li>안테나-Tx/Rx(각각 2G GSM 4채널) 그래서 8개 RF ntype-FET 스위치가 존재. 큰패턴이 series, 작은 것이 shunt 스위치.
 +
<li>패턴 사진
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:redmi_note4x_131_001.jpg
+
image:gt_b7722_013_006.jpg
−
image:redmi_note4x_131_002.jpg | M1D1643A01 RFMD 2013
+
image:gt_b7722_013_007.jpg
−
image:redmi_note4x_131_003.jpg
+
image:gt_b7722_013_008.jpg
−
image:redmi_note4x_131_004.jpg
+
image:gt_b7722_013_009.jpg
 +
image:gt_b7722_013_010.jpg | 구경 및 피치 측정. 15개 직렬 FET 스위치-내전압, 병렬-이득
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li> Apple [[iPhone 5S]]에서
+
<li>2011.02 출시 삼성 와이즈 [[SHW-A240S]] 폴더 피처폰
 +
<ol>
 +
<li> [[Rx 스위치+SAW 모듈]]
 +
<gallery>
 +
image:shw_a240s_014.jpg | [[언더필]]되어 있는 투명다이는 SoS 웨이퍼로 만든 [[RF스위치IC]]이다.
 +
image:shw_a240s_014_003_001.jpg
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image:shw_a240s_014_003_002.jpg
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image:shw_a240s_014_003_003.jpg | 본딩면을 볼 때. 의외로 [[거울]]상으로 제조회사 [[IC 표식]]을 하고 있음.
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 +
</ol>
 +
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰에서
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>SG마킹: [[RF스위치IC]]
 
<li>SG마킹: [[RF스위치IC]]
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image:iphone5s01_138_005.jpg
 
image:iphone5s01_138_005.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>[[RF스위치IC]] 두개
+
<li> [[RF스위치IC]] 두 개
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>전체
 
<li>전체
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:iphone5s01_137.jpg
+
image:iphone5s01_137.jpg | 오른쪽에 검정다이 두 개
 
image:iphone5s01_137_001.jpg
 
image:iphone5s01_137_001.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
94번째 줄: 153번째 줄:
 
image:iphone5s01_137_005.jpg
 
image:iphone5s01_137_005.jpg
 
image:iphone5s01_137_006.jpg
 
image:iphone5s01_137_006.jpg
−
image:iphone5s01_137_007.jpg
+
image:iphone5s01_137_007.jpg | [[더미 필 패턴]]
 
image:iphone5s01_137_008.jpg | Skyworks PK5011
 
image:iphone5s01_137_008.jpg | Skyworks PK5011
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>다이버시티 [[SAW-모듈]] 무라타 제조
+
<li>다이버시티 [[Rx 스위치+SAW 모듈]] 무라타 제조
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:iphone5s01_126.jpg
+
image:iphone5s01_126.jpg | 몰딩 후 그라인더로 표면을 평탄화하였다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>표면부터 긁어 관찰
 
<li>표면부터 긁어 관찰
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:iphone5s01_126_001.jpg | 스위치 3개(?) 다이
+
image:iphone5s01_126_001.jpg | [[RF스위치IC]] 3개 다이
 
image:iphone5s01_126_002.jpg | SAW 6다이(듀얼4, 싱글2) = 총 10밴드
 
image:iphone5s01_126_002.jpg | SAW 6다이(듀얼4, 싱글2) = 총 10밴드
−
image:iphone5s01_126_003.jpg | 스위치 2개 다이는 투명하다.
+
image:iphone5s01_126_003.jpg | [[RF스위치IC]] 다이 2개는 투명하다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li> [[RF스위치IC]]
 
<li> [[RF스위치IC]]
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image:iphone5s01_126_016.jpg | M4793
 
image:iphone5s01_126_016.jpg | M4793
 
image:iphone5s01_126_017.jpg
 
image:iphone5s01_126_017.jpg
−
image:iphone5s01_126_018.jpg | FET
+
image:iphone5s01_126_018.jpg | [[FET]] 스위치 패턴
−
image:iphone5s01_126_019.jpg | [[IDT C]]
+
image:iphone5s01_126_019.jpg | [[IDT 커패시터]]
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
 
<li>Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
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image:iphone5s01_126_025.jpg | 폴리싱 전
 
image:iphone5s01_126_025.jpg | 폴리싱 전
 
image:iphone5s01_126_026.jpg | 폴리싱 후
 
image:iphone5s01_126_026.jpg | 폴리싱 후
−
image:iphone5s01_126_027.jpg | FET
+
image:iphone5s01_126_027.jpg | [[FET]] 스위치 패턴
 
image:iphone5s01_126_028.jpg
 
image:iphone5s01_126_028.jpg
−
image:iphone5s01_126_029.jpg | Peregrine 송골매
+
image:iphone5s01_126_029.jpg | [[IC 표식]] Peregrine 송골매
 
image:iphone5s01_126_030.jpg | [[사파이어]] 두께 약 125um
 
image:iphone5s01_126_030.jpg | [[사파이어]] 두께 약 125um
−
image:iphone5s01_126_031.jpg
+
image:iphone5s01_126_031.jpg | 레이저 [[다이싱]]
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>2015.06 출시 [[LG-F570S]] LG Band Play 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>G93, 2.5x2.5mm LTCC 스위치 모듈
 +
<ol>
 +
<li> [[LTCC 기판]]을 사용한, 동일한 제품 두 개를 사용하고 있다.
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_037.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[RF스위치IC]]
 +
<gallery>
 +
image:lg_f570s_037_003.jpg | S067U HK9 스위치 IC
 +
image:lg_f570s_037_004.jpg
 +
image:lg_f570s_037_005.jpg | K9
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2016.01 출시 삼성 [[SM-A710S]] 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li> [[Rx 스위치+SAW 모듈]]
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_078_007_001.jpg
 +
image:a710s01_078_007_002.jpg | YF19 T01 3P12T 라고 적혀있다.
 +
image:a710s01_078_007_003.jpg | 허용전력은 스위치가 OFF 상태에서 걸리는 Tx 최대 전압 vs breakdown 전압으로 결정되지, ON시 통과하는 전력을 고려하는 것은 아니다.
 +
image:a710s01_078_007_004.jpg | 스위치 회로. 선폭이 FET 갯수를 결정함. 선폭이 좁으면 FET가 많이 설치됨. 저항이 낮아진다. 대신 C값이 커진다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서
 +
<ol>
 +
<li>TDD용 PAM과 W-CDMA PAM을 따로 스위칭하기 위해서(?)
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_131.jpg | 회사 마크가 RFMD
 +
image:redmi_note4x_094_006.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이 분석
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note4x_131_001.jpg
 +
image:redmi_note4x_131_002.jpg | M1D1643A01 RFMD 2013
 +
image:redmi_note4x_131_003.jpg
 +
image:redmi_note4x_131_004.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2019년 03월 출시 [[Teclast P80X 안드로이드 태블릿]]
 +
<ol>
 +
<li>Maxscend, MXD8680, SP8T 안테나 [[RF스위치IC]]
 +
<gallery>
 +
image:teclast_p80x_008.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>2020.05 출시 [[삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰]]
 +
<ol>
 +
<li>Murata K21 JrCVB
 +
<ol>
 +
<li>스위치-1, Peregrine
 +
<gallery>
 +
image:sm_a516n_063_001_052.jpg
 +
image:sm_a516n_063_001_053.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>스위치-2, Peregrine
 +
<gallery>
 +
image:sm_a516n_063_001_054.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>스위치-3, Peregrine
 +
<gallery>
 +
image:sm_a516n_063_001_055.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>스위치-4, Peregrine
 +
<gallery>
 +
image:sm_a516n_063_001_056.jpg
 +
image:sm_a516n_063_001_057.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2021.01 출시 [[삼성 갤럭시 A12, SM-A125F 스마트폰]]
 +
<gallery>
 +
image:sm_a125_013_001.jpg | Maxscend MXD8680 SP8T, Maxscend MXD83E4W [[RF스위치IC]]
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>Alpha(이후 Skyworks)
 
<li>Alpha(이후 Skyworks)
158번째 줄: 296번째 줄:
 
<li>AC-438 SPDT
 
<li>AC-438 SPDT
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> [[8960]], 감쇄기 보드에서
+
<li> [[Agilent 8960 무선통신 테스트 세트]]에서
 +
<ol>
 +
<li>감쇠기 보드에서
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:8960_12_008.jpg
 
image:8960_12_008.jpg
166번째 줄: 306번째 줄:
 
image:8960_12_008_004.jpg
 
image:8960_12_008_004.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li> [[8960]], Demodulation Downconverter 보드에서
+
<li>Demodulation Downconverter 보드에서
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:8960_26_007.jpg
 
image:8960_26_007.jpg
 
image:8960_26_007_001.jpg
 
image:8960_26_007_001.jpg
 
image:8960_26_007_002.jpg | 389-2
 
image:8960_26_007_002.jpg | 389-2
 +
</gallery>
 +
<li>RF 프론트엔드 제어보드에서
 +
<gallery>
 +
image:8960_11_028.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>인포콤 RF하이패스에서, 5.8GHz Tx/Rx용 SPDT 스위치
+
</ol>
 +
<li>Renesas
 +
<ol>
 +
<li>uPG2163T5N, GaAs MMIC SPDT, Dual-Band Wireless LAN
 +
<ol>
 +
<li>데이터시트 - 10p
 +
<li> [[한국인포콤 RSE200 하이패스 노변장치]]에서
 +
<ol>
 +
<li>3채널 [[RF 분배기]]에서
 +
<gallery>
 +
image:dsrc_rse01_041.jpg | 3개 포트 중 가운데 포트가 내장 안테나와 연결된다.
 +
image:dsrc_rse01_042.jpg | G4X uPG2163T5N GaAs MMIC SPDT [[RF스위치IC]]
 +
image:dsrc_rse01_044.jpg | Wilkins [[RF 분배기]]
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[인포콤 LHP-1103 RF하이패스 단말기]] , 5.8GHz Tx/Rx용 SPDT 스위치
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:hipass_rf02_050.jpg
 
image:hipass_rf02_050.jpg
 
image:hipass_rf02_051.jpg | 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.
 
image:hipass_rf02_051.jpg | 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.
−
image:hipass_rf02_052.jpg | 레이저 다이싱
+
image:hipass_rf02_052.jpg | [[레이저 다이싱]]
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>MACOM
 +
<ol>
 +
<li>MACOM SW-338 GaAs SPDT terminated Switch DC-2.5GHz
 +
<ol>
 +
<li>MA-COM SW-338 규격서
 +
<li> [[Agilent 8960 무선통신 테스트 세트]]에서
 +
<gallery>
 +
image:8960_11_017.jpg | 50오옴 [[평면 전송라인]]선폭과 IC간의 선폭 연결방법
 +
</gallery>
 +
<li> [[HP 4380A]] 8-Port Test Set
 +
<ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:hp4380a_04_010.jpg | MACOM SW-927
 +
image:hp4380a_04_007.jpg | MACOM SW-338, SW-927
 +
image:hp4380a_04_008.jpg | MACOM SW-338 GaAs SPDT terminated Switch DC-2.5GHz
 +
</gallery>
 +
<li>측정 회로
 +
<gallery>
 +
image:hp4380a_01_005.jpg
 +
image:hp4380a_01_005_005.jpg
 +
image:hp4380a_01_005_006.jpg
 +
image:hp4380a_01_005_007.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>SW-338 회로도에 근거한, 주파수 특성
 +
<ol>
 +
<li>스위치 CTRL-1 ON 일 때a
 +
<gallery>
 +
image:hp4380a_01_005_001.png | 통과특성(IN->Port A)
 +
image:hp4380a_01_005_002.png | 반사특성
 +
</gallery>
 +
<li>스위치 CTRL-2 ON
 +
<gallery>
 +
image:hp4380a_01_005_003.png | 통과특성(IN->Port B)
 +
image:hp4380a_01_005_004.png | 반사특성
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>MACOM SW-927(1-out1 2-gnd 3-out2 4-ctrl 5-ctrl 6-in 7,8-gnd)은 SW-338(1-ctrl 2-in 3-ctrl 4-gnd 5-out 6,7-gnd 8-out)과 핀 맵만 다른 듯.
 +
<gallery>
 +
image:hp4380a_04_007.jpg | MACOM SW-338, SW-927
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>TV에서
 
<li>TV에서
 
<ol>
 
<ol>
−
<li> 삼성전자 TV [[LN32N71BD]]에서
+
<li> [[삼성전자 LN32N71BD LCD TV]]에서
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>유지컴 Ugcom Co., Ltd., UMX-NT-059, RF-switch (좌측 두 개의 입력에서 하나를 선택하여 오른쪽 내부 튜너로 보낸다.)
 
<li>유지컴 Ugcom Co., Ltd., UMX-NT-059, RF-switch (좌측 두 개의 입력에서 하나를 선택하여 오른쪽 내부 튜너로 보낸다.)
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<li>HP, Agilent, Keysight 계측기용 모듈에서
 
<li>HP, Agilent, Keysight 계측기용 모듈에서
 
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<li> [[HP 5086-7539]] SPDT RF 스위치
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image:5086_7539_01_009.jpg | HP TC727 FET [[RF스위치IC]]
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<li>TC732 8GHz SPDT (사용안하면 Terminated) -1.1dB
 
<li>TC732 8GHz SPDT (사용안하면 Terminated) -1.1dB
 
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<li> [[Agilent N4431]] 4port E-Cal
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<li> [[Agilent 85093]] 2port E-Cal
 
<li> [[Agilent 85093]] 2port E-Cal
 
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image:85093a_017.jpg | SPDT 스위치, TC742, 97년 6월 hp
 
image:85093a_017.jpg | SPDT 스위치, TC742, 97년 6월 hp
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<li> [[Agilent U9397A]] SPDT RF 스위치, 3개 포트에 각각 사용
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image:u9397a_02_014.jpg | TC742, 로트번호 HFAD, JUN 97, Agilent M C [[Copyright]]
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<li> [[HP 5087-7067]] SPDT RF 스위치에서, 50오옴으로 연결되지 않는 고장
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image:5087_7067_01_005.jpg | 아래 왼쪽이 50오옴과 연결되는 포트이다.
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image:5087_7067_01_006.jpg
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image:5087_7067_01_007.jpg | thru되는 쪽 패턴에  [[정전기]] 파괴 흔적이 관찰된다.(항상 ON되는 듯)
 
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<li>TC752(1GG7-8157) - DC-20GHz, -1.4dB, SPDT GaAs MMIC, non-terminated
 
<li>TC752(1GG7-8157) - DC-20GHz, -1.4dB, SPDT GaAs MMIC, non-terminated
 
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<li> [[Agilent N4431]] 4port E-Cal
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<li> [[Agilent N4431B]] 4port E-Cal
 
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2025년 3월 23일 (일) 21:22 기준 최신판

RF스위치IC

  1. 전자부품
    1. RF-IC
      1. RF스위치IC - 이 페이지
      2. 참고
        1. ASM
        2. RF스위치
    2. 참고
      1. Rx 스위치+SAW 모듈
  2. 기술
    1. FET 스위치
    2. 사용 웨이퍼
      1. SoI
        1. 위키페디아 https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_on_insulator
          1. silicon -insulator-silicon substrate를 사용한다.
        2. SoS, 실리콘 온 사파이어
          1. 위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_on_sapphire
          2. 사파이어 웨이퍼에 실리콘을 약 0.6um hetero-epitaxial로 키워 사용한다.
          3. 페러그린 특허를 바탕으로 이 회사는 스위치 IC를 대량생산하였다.
        3. 현재 핸드폰용 스위치 IC는 SoS가 비싸기 때문에 SoI로 대부분 만든다.
  3. (단품이 아닌) 스위칭 회로 패턴
    1. 5,8GHz DSRC용 SONY G1132A FEM - (앰프,스위치,믹서 등이 포함되었을 것으로 추정함.)
      1. RF스위치IC에 적용되는 트랜지스터 회로 - 빗살무늬 전극은 drain 및 source 용 전극이고, 가운데 지나가는 가는 전극은 gate. 두 줄이므로 dual gate 소자.
        • hipass rf01 065 002.jpg
        • hipass rf01 065 003.jpg
        • hipass rf01 065 004.jpg
  4. (RF용도가 아닌) 아날로그 스위치
    1. National VP-7722A 오디오분석기
      1. HI1-201-5, Quad SPST CMOS Analog Switches, Harris Semiconductor
        • vp7722a 024.jpg

        • frit 프리트 실링

        • 다이

        • vp7722a 024 003.jpg
  5. 핸드폰에서
    1. 2007.10 출시 LG-SH170 슬라이드 피처폰
      1. Rx 스위치+SAW 모듈, MA543 Murata
        • sh170 033.jpg
    2. 2009.12 출시 삼성 SPH-M8400 옴니아2 스마트폰
      1. FEM, 4.5x3.2mm,

        • 1.4x1.11mm SAW 2개

        • 우측 아래에 Peregrine 글자 및 마크가 뒷면으로 보인다.

        • C9869_2 B02, SoS(실리콘 온 사파이어) 웨이퍼

    3. 2010.07 출시 삼성 GT-B7722 피처폰
      1. EPCOS D5027 Rx 스위치+SAW 모듈 FEM
        1. LTCC 기판 위에 듀얼쏘필터2개, L2개, 스위치IC 하나.
          • gt b7722 013 012.jpg

          • 2G 밴드 GSM 850 / 900 / 1800 / 1900

        2. 안테나-Tx/Rx(각각 2G GSM 4채널) 그래서 8개 RF ntype-FET 스위치가 존재. 큰패턴이 series, 작은 것이 shunt 스위치.
        3. 패턴 사진
          • gt b7722 013 006.jpg
          • gt b7722 013 007.jpg
          • gt b7722 013 008.jpg
          • gt b7722 013 009.jpg

          • 구경 및 피치 측정. 15개 직렬 FET 스위치-내전압, 병렬-이득

    4. 2011.02 출시 삼성 와이즈 SHW-A240S 폴더 피처폰
      1. Rx 스위치+SAW 모듈
    5. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰에서
      1. SG마킹: RF스위치IC
        • iphone5s01 121.jpg
        • iphone5s01 121 001.jpg

        • Infineon Technologies, M4798A1

        • iphone5s01 121 003.jpg
        • iphone5s01 121 004.jpg
        • iphone5s01 121 005.jpg
      2. Murata QE, SAW-모듈, 스위치+SAW 모듈에서
        1. RF스위치IC, SoS, Peregrine C9958_1 802 SP4T
          • iphone5s01 136 002 005.jpg
          • iphone5s01 136 002 006.jpg
      3. RFMD 1495 - ASM(antenna switch module) FEM에서
      4. RF스위치IC 두 개
        1. 전체

          • 오른쪽에 검정다이 두 개

          • iphone5s01 137 001.jpg
        2. 마킹 A02 RF스위치IC
          • iphone5s01 137 002.jpg

          • SONY A4403P

          • iphone5s01 137 004.jpg
        3. 마킹 SKY477 RF스위치IC
      5. 다이버시티 Rx 스위치+SAW 모듈 무라타 제조
        1. 외관

          • 몰딩 후 그라인더로 표면을 평탄화하였다.

        2. 표면부터 긁어 관찰
        3. RF스위치IC
          1. K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
          2. Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
          3. Peregrine C9957_1 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
    6. 2015.06 출시 LG-F570S LG Band Play 스마트폰
      1. G93, 2.5x2.5mm LTCC 스위치 모듈
        1. LTCC 기판을 사용한, 동일한 제품 두 개를 사용하고 있다.
          • lg f570s 037.jpg
        2. RF스위치IC

          • S067U HK9 스위치 IC

          • lg f570s 037 004.jpg

          • K9

    7. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
      1. Rx 스위치+SAW 모듈
        • a710s01 078 007 001.jpg

        • YF19 T01 3P12T 라고 적혀있다.

        • 허용전력은 스위치가 OFF 상태에서 걸리는 Tx 최대 전압 vs breakdown 전압으로 결정되지, ON시 통과하는 전력을 고려하는 것은 아니다.

        • 스위치 회로. 선폭이 FET 갯수를 결정함. 선폭이 좁으면 FET가 많이 설치됨. 저항이 낮아진다. 대신 C값이 커진다.

    8. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
      1. TDD용 PAM과 W-CDMA PAM을 따로 스위칭하기 위해서(?)
        1. 외관

          • 회사 마크가 RFMD

          • redmi note4x 094 006.jpg
        2. 다이 분석
          • redmi note4x 131 001.jpg

          • M1D1643A01 RFMD 2013

          • redmi note4x 131 003.jpg
          • redmi note4x 131 004.jpg
    9. 2019년 03월 출시 Teclast P80X 안드로이드 태블릿
      1. Maxscend, MXD8680, SP8T 안테나 RF스위치IC
        • teclast p80x 008.jpg
    10. 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰
      1. Murata K21 JrCVB
        1. 스위치-1, Peregrine
          • sm a516n 063 001 052.jpg
          • sm a516n 063 001 053.jpg
        2. 스위치-2, Peregrine
          • sm a516n 063 001 054.jpg
        3. 스위치-3, Peregrine
          • sm a516n 063 001 055.jpg
        4. 스위치-4, Peregrine
          • sm a516n 063 001 056.jpg
          • sm a516n 063 001 057.jpg
    11. 2021.01 출시 삼성 갤럭시 A12, SM-A125F 스마트폰
  6. Alpha(이후 Skyworks)
    1. AS006M2-10, GaAs SPDT Switch, DC-6GHz - 2p
      1. 8960, 감쇠기 보드에서
        • 8960 12 010.jpg
        • 8960 12 010 001.jpg

        • 리드를 벗기면

        • 8960 12 010 003.jpg

        • 389-2, AC-438속 다이와 같다.

        • 8960 12 010 005.jpg

        • 와이어본딩중에서 리본 웨지 본딩(flat ribbon wedge bonding)

    2. AC-438 SPDT
      1. Agilent 8960 무선통신 테스트 세트에서
        1. 감쇠기 보드에서
          • 8960 12 008.jpg

          • 바닥 재료는 PCB와 납땜되는 금속판이다.

          • 8960 12 008 002.jpg

          • 비아홀이 없기 때문에 리드 접지를 위해서 와이어본딩 했다.

          • 8960 12 008 004.jpg
        2. Demodulation Downconverter 보드에서
          • 8960 26 007.jpg
          • 8960 26 007 001.jpg

          • 389-2

        3. RF 프론트엔드 제어보드에서
          • 8960 11 028.jpg
  7. Renesas
    1. uPG2163T5N, GaAs MMIC SPDT, Dual-Band Wireless LAN
      1. 데이터시트 - 10p
      2. 한국인포콤 RSE200 하이패스 노변장치에서
        1. 3채널 RF 분배기에서

          • 3개 포트 중 가운데 포트가 내장 안테나와 연결된다.

          • G4X uPG2163T5N GaAs MMIC SPDT RF스위치IC

          • Wilkins RF 분배기

      3. 인포콤 LHP-1103 RF하이패스 단말기 , 5.8GHz Tx/Rx용 SPDT 스위치
        • hipass rf02 050.jpg

        • 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.

  8. MACOM
    1. MACOM SW-338 GaAs SPDT terminated Switch DC-2.5GHz
      1. MA-COM SW-338 규격서
      2. Agilent 8960 무선통신 테스트 세트에서
      3. HP 4380A 8-Port Test Set
        1. 사진

          • MACOM SW-927

          • MACOM SW-338, SW-927

          • MACOM SW-338 GaAs SPDT terminated Switch DC-2.5GHz

        2. 측정 회로
          • hp4380a 01 005.jpg
          • hp4380a 01 005 005.jpg
          • hp4380a 01 005 006.jpg
          • hp4380a 01 005 007.jpg
        3. SW-338 회로도에 근거한, 주파수 특성
          1. 스위치 CTRL-1 ON 일 때a

            • 통과특성(IN->Port A)

            • 반사특성

          2. 스위치 CTRL-2 ON

            • 통과특성(IN->Port B)

            • 반사특성

    2. MACOM SW-927(1-out1 2-gnd 3-out2 4-ctrl 5-ctrl 6-in 7,8-gnd)은 SW-338(1-ctrl 2-in 3-ctrl 4-gnd 5-out 6,7-gnd 8-out)과 핀 맵만 다른 듯.

      • MACOM SW-338, SW-927

  9. TV에서
    1. 삼성전자 LN32N71BD LCD TV에서
      1. 유지컴 Ugcom Co., Ltd., UMX-NT-059, RF-switch (좌측 두 개의 입력에서 하나를 선택하여 오른쪽 내부 튜너로 보낸다.)
        • lcdtv01 06 001.jpg
        • lcdtv01 06 002.jpg

        • peregrine PE4280, 75ohm SPDT, 5MHz~2.2GHz

  10. HP, Agilent, Keysight 계측기용 모듈에서
    1. TC727
      1. HP 5086-7539 SPDT RF 스위치
    2. TC732 8GHz SPDT (사용안하면 Terminated) -1.1dB
      1. Agilent N4431B 4port E-Cal
        • n4431 022.jpg
        • n4431 031.jpg
    3. TC735
      1. 8960, Measurement Downconverter(MDC)에서

        • Agilent 1GM14214

        • 8960 08 023 001.jpg
        • 8960 08 023 002.jpg

        • HP TC739, HP TC736, HP TC735

    4. TC736
      1. 8960, Measurement Downconverter(MDC)에서

        • Agilent 1GM14214

        • 8960 08 023 001.jpg
        • 8960 08 023 002.jpg

        • HP TC739, HP TC736, HP TC735

    5. TC739
      1. 8960, Measurement Downconverter(MDC)에서

        • Agilent 1GM14214

        • 8960 08 023 001.jpg
        • 8960 08 023 002.jpg

        • HP TC739, HP TC736, HP TC735

    6. TC742
      1. Agilent 85093 2port E-Cal

        • 추정 회로도

        • 85093a 012.jpg
        • 85093a 013.jpg
        • 85093a 016.jpg

        • SPDT 스위치, TC742, 97년 6월 hp

      2. Agilent U9397A SPDT RF 스위치, 3개 포트에 각각 사용
        • u9397a 02 013.jpg
        • u9397a 02 010.jpg

        • TC742, 로트번호 HFAD, JUN 97, Agilent M C Copyright

      3. HP 5087-7067 SPDT RF 스위치에서, 50오옴으로 연결되지 않는 고장

        • 아래 왼쪽이 50오옴과 연결되는 포트이다.

        • 5087 7067 01 006.jpg

        • thru되는 쪽 패턴에 정전기 파괴 흔적이 관찰된다.(항상 ON되는 듯)

    7. TC752(1GG7-8157) - DC-20GHz, -1.4dB, SPDT GaAs MMIC, non-terminated
      1. Agilent N4431B 4port E-Cal
        • n4431 027.jpg
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