"JCH-PC41510, 링킨 150W PD 충전기"의 두 판 사이의 차이
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image:linkyn01_002.jpg | USB C-1,2,3, USB-A | image:linkyn01_002.jpg | USB C-1,2,3, USB-A | ||
image:linkyn01_003.jpg | 제조일자: 2023.08 | image:linkyn01_003.jpg | 제조일자: 2023.08 | ||
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image:linkyn01_005.jpg | 전원플러그 쪽 케이스를 [[초음파 플라스틱 용접]]하여 붙였다. | image:linkyn01_005.jpg | 전원플러그 쪽 케이스를 [[초음파 플라스틱 용접]]하여 붙였다. | ||
image:linkyn01_006.jpg | DC 출력 단자쪽에서 본, [[방열]]을 위한 [[열전도성 접착제]]를 발라 케이스에 넣었다. | image:linkyn01_006.jpg | DC 출력 단자쪽에서 본, [[방열]]을 위한 [[열전도성 접착제]]를 발라 케이스에 넣었다. | ||
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<li>2차측(출력) 포트 4개를 뜯어내면 | <li>2차측(출력) 포트 4개를 뜯어내면 | ||
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| − | <li>DC 통합 | + | <li>DC 통합 출력에는 FET로 [[능동 정류기]]를 사용하고 있다. |
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image:linkyn01_018.jpg | VergigaSemiconductor, VSP003N06MS N-CH MOSFET로 150W 전력을 (다이오드 대신에) 정류한다. | image:linkyn01_018.jpg | VergigaSemiconductor, VSP003N06MS N-CH MOSFET로 150W 전력을 (다이오드 대신에) 정류한다. | ||
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| − | <li>메인보드 2차측 납땜면에서, 4포트 출력 전반을 조정하는 ARM Cortex 32-bit MCU | + | <li>메인보드 2차측 납땜면에서, 4포트 출력 전반을 조정하는 ARM Cortex 32-bit [[MCU]] |
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image:linkyn01_020.jpg | CHIPSEA회사 CS32L010 | image:linkyn01_020.jpg | CHIPSEA회사 CS32L010 | ||
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| − | <li>USB- | + | <li>3개 있는 USB-C용 충전 모듈 |
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| − | image:linkyn01_015.jpg | SW3516P USB-C 충전 콘트롤러 및 SWT40N45 '''GaN(?)''' FET | + | image:linkyn01_015.jpg | SW3516P USB-C 충전 콘트롤러 및 SWT40N45 '''GaN(?)''' FET 3개로 [[능동 정류기]]를 구현함. |
| + | image:linkyn01_015_001.jpg | SWT40N45 | ||
| + | image:linkyn01_015_002.jpg | [[Cu 볼 와이어본딩]] 15개 발견 | ||
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| − | <li>USB- | + | <li>1개 있는 USB-A용 충전 모듈 |
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image:linkyn01_016.jpg | SW3526, 1칩 PD 충전 콘트롤러 하나로 해결함 | image:linkyn01_016.jpg | SW3526, 1칩 PD 충전 콘트롤러 하나로 해결함 | ||
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| − | <li>FET | + | <li> [[FET]], Oriental Semiconductor, 'OSG65R200J' Vds=700V Rds=0.2ΩN-CH FET |
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| − | image:linkyn01_010.jpg | | + | image:linkyn01_010.jpg | 두 개 병렬로 사용하고 있다. 'KS06065D' SiC [[쇼트키 정류기]] |
| + | image:linkyn01_010_001.jpg | OSG65R200J | ||
| + | image:linkyn01_010_002.jpg | OSG65R200J, 18개 [[Cu 볼 와이어본딩]] | ||
image:linkyn01_012.jpg | Navitas Semiconductor, 'NV6115' GaN gate drive | image:linkyn01_012.jpg | Navitas Semiconductor, 'NV6115' GaN gate drive | ||
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<li>수동부품 | <li>수동부품 | ||
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| − | <li>SMD | + | <li> [[SMD 고압 커패시터]] |
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| + | <li>1,2차측 분리 라인에 PCB 위 아래 두 개가 있다. 하나는 SMPS용 1,2차측을 연결하는 [[광커플러]]와 같이 사용되고 있다. | ||
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| + | image:linkyn01_019.jpg | 파트번호 TMY1471M, 파트시리즈 TRX-SMD-Y1.CAP 7854 | ||
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| + | image:linkyn01_019_002.jpg | 표면이 오목하다. | ||
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| + | <li>의견 | ||
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| + | <li>전류가 많이 흐르는 2차측 정류기를 통과하는 저항을 줄여야 한다. | ||
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| + | <li>[[쇼트키 정류기]] 대신에 FET를 사용하는 [[능동 정류기]]를 사용한다. | ||
| + | <li>FET 중에서도 Rds(통과 내부저항)가 작은 GaN 소자를 사용하고 있다. | ||
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| + | <li>USB-C 타입의 3가지 전압을 위해서 GaN FET도 3개를 사용하는 듯.(?) | ||
| + | <li>내부 발열 부품을 방열시키기 위해 | ||
| + | <ol> | ||
| + | <li>단열층 공기를 모두 제거해야 하므로, 케이스속에 [[열전도성 접착제]]를 붓고 [[진공용기]]에 넣어 진공으로 탈포(공기방울을 제거)하였다. | ||
| + | <li>[[열전도성 접착제]]가 되도록 넓게 케이스 최외각 표면과 붙어, 골고루 방열을 한다. | ||
| + | </ol> | ||
| + | <li>허용 전력은 두 가지로 결정된다. | ||
| + | <ol> | ||
| + | <li>정류기가 발열로 소모하는 전력을 낮출 것. 저항이 낮은 GaN FET를 사용한다. | ||
| + | <li>공기중으로 방열시키는 능력. 무조건 넓은 면적이 필요하다. 이는 제품 체적으로만 결정된다. | ||
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2025년 10월 28일 (화) 11:25 기준 최신판
JCH-PC41510, 링킨 150W PD 충전기
- 전자부품
- Linkyn, 링킨, 150W GaN
- 정보
- 2025/10/18 의왕 주민으로부터 기증받음.
- 꼽자마자 펑 소리와 함께 동작하지 않는다.
- 새 제품으로 교환한 후, 새 제품도 꼽자마자 동일한 불량 현상을 보였다.
- 이 두 번째 불량품을 분석함.
- 2025/10/18 의왕 주민으로부터 기증받음.
- 외관
접지가 있는 대한민국 표준 플러그 CEE 7/4 규격이다.
- 포장 상자에서 규격
- 분해하니
전원플러그 쪽 케이스를 초음파 플라스틱 용접하여 붙였다.
접지선에 연결된 토로이달L 초크인덕터
- 접지가 있는 대한민국 표준 플러그 CEE 7/4 분해
- 쉽게 뜯어지는 열전도성 접착제
- 보드 윗면
- 전체
- 병렬 브리지다이오드
SMD 브리지다이오드
- 2차측(출력) 포트 4개를 뜯어내면
- DC 통합 출력에는 FET로 능동 정류기를 사용하고 있다.
- 메인보드 2차측 납땜면에서, 4포트 출력 전반을 조정하는 ARM Cortex 32-bit MCU
- 3개 있는 USB-C용 충전 모듈
SW3516P USB-C 충전 콘트롤러 및 SWT40N45 GaN(?) FET 3개로 능동 정류기를 구현함.
Cu 볼 와이어본딩 15개 발견
- 1개 있는 USB-A용 충전 모듈
- 전체
- 보드 아랫면(관심 부품은 모두 1차측 스위칭용)
- 전체
- 고장난 IC
- FET, Oriental Semiconductor, 'OSG65R200J' Vds=700V Rds=0.2ΩN-CH FET
두 개 병렬로 사용하고 있다. 'KS06065D' SiC 쇼트키 정류기
OSG65R200J, 18개 Cu 볼 와이어본딩
- 전체
- 수동부품
- SMD 고압 커패시터
- 1,2차측 분리 라인에 PCB 위 아래 두 개가 있다. 하나는 SMPS용 1,2차측을 연결하는 광커플러와 같이 사용되고 있다.
- 분해
- 1,2차측 분리 라인에 PCB 위 아래 두 개가 있다. 하나는 SMPS용 1,2차측을 연결하는 광커플러와 같이 사용되고 있다.
- SMD 고압 커패시터
- 의견
- 전류가 많이 흐르는 2차측 정류기를 통과하는 저항을 줄여야 한다.
- USB-C 타입의 3가지 전압을 위해서 GaN FET도 3개를 사용하는 듯.(?)
- 내부 발열 부품을 방열시키기 위해
- 허용 전력은 두 가지로 결정된다.
- 정류기가 발열로 소모하는 전력을 낮출 것. 저항이 낮은 GaN FET를 사용한다.
- 공기중으로 방열시키는 능력. 무조건 넓은 면적이 필요하다. 이는 제품 체적으로만 결정된다.