"핸드폰에서 발견한 대기압 센서"의 두 판 사이의 차이
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| + | <li>2012.06 출시 삼성 [[SHV-E210K]] 갤럭시 S3 스마트폰 | ||
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image:shv_e210k_067.jpg | 캐비티 PCB를 사용 | image:shv_e210k_067.jpg | 캐비티 PCB를 사용 | ||
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| + | <li>chip-on-chp 으로 패키징된 두 IC | ||
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image:shv_e210k_068.jpg | chip-on-chp | image:shv_e210k_068.jpg | chip-on-chp | ||
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image:shv_e210k_072.jpg | V720A | image:shv_e210k_072.jpg | V720A | ||
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| − | + | <li>chip-on-chip 을 서로 연결하기 위한 [[Au 볼 와이어본딩]] | |
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image:shv_e210k_073.jpg | 1st ball bond | image:shv_e210k_073.jpg | 1st ball bond | ||
image:shv_e210k_074.jpg | Ball Stitch On Ball(BSOB) | image:shv_e210k_074.jpg | Ball Stitch On Ball(BSOB) | ||
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| − | <li> | + | <li> [[발연질산]] 처리 후, 신호처리 IC의 [[와이어본딩 패드]] 관찰 |
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image:shv_e210k_076.jpg | 1st ball bond 이 잘되었는지를 접합흔적으로 파악할 수 있다. | image:shv_e210k_076.jpg | 1st ball bond 이 잘되었는지를 접합흔적으로 파악할 수 있다. | ||
image:shv_e210k_077.jpg | image:shv_e210k_077.jpg | ||
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| + | <li>(절대값인) 대기압을 측정하므로, (아래 빈공간은 밀봉되어야 한다.) 허공에 떠 있는 멤브레인 | ||
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<li>멤브레인에 크랙을 가한 후 - 초음파세척을 하니 | <li>멤브레인에 크랙을 가한 후 - 초음파세척을 하니 | ||
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image:shv_e210k_081.jpg | image:shv_e210k_081.jpg | ||
| − | image:shv_e210k_082.jpg | + | image:shv_e210k_082.jpg | 멤브레인이 떨어져 없어졌다. |
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<li> [[다이싱]] | <li> [[다이싱]] | ||
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image:shv_e210k_080.jpg | 웨이퍼 두께를 얇게하지 않았다. 90도 돌려 두 번째 다이싱을 하면 이런 줄무늬가 나타난다. | image:shv_e210k_080.jpg | 웨이퍼 두께를 얇게하지 않았다. 90도 돌려 두 번째 다이싱을 하면 이런 줄무늬가 나타난다. | ||
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| + | <li>2012.09 출시 [[삼성 갤럭시 노트2, SHV-E250S 스마트폰]] | ||
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| + | <li>'''제조회사 모름''' 274 U245 086, 3.8x3.6mm | ||
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| + | image:shv_e250s01_030.jpg | ||
| + | image:shv_e250s01_030_001.jpg | 실버 에폭시 계열 [[도전성 접착제]]로 금속캔을 붙였다. 유기물기판에 가해지는 응력을 낮추기 위해(?) | ||
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| + | <li>내부 | ||
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| + | image:shv_e250s01_030_002.jpg | [[유기물기판]]에서 센서 다이 영역은 분리되어 있다. | ||
| + | image:shv_e250s01_030_003.jpg | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>대기압 센서 다이. (판독IC와 다이 두께가 동일하고, 멤브레인 밑 빈 공간 높이가 매우 낮기 때문에 접합웨이퍼가 아니다.) | ||
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| + | image:shv_e250s01_030_004.jpg | CMD 173 | ||
| + | image:shv_e250s01_030_005.jpg | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>판독IC | ||
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| + | image:shv_e250s01_030_006.jpg | 다이 패턴 | ||
| + | image:shv_e250s01_030_007.jpg | circled UB symbol | ||
| + | image:shv_e250s01_030_008.jpg | 7170 M T [[Copyright]] 심볼 | ||
| + | image:shv_e250s01_030_009.jpg | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>압력센서 다이를 불에 빨갛게 달군 후 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:shv_e250s01_030_010.jpg | ||
| + | image:shv_e250s01_030_011.jpg | 멤브레인을 깨뜨린 후 촬영 | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li> [[다이본딩]] 접착제는 말랑말랑한 (실리콘 계열) 재료 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:shv_e250s01_030_012.jpg | 말랑말랑 접착제 | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li> [[홈을 판 PCB]] 구조 | ||
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| + | image:shv_e250s01_030_013.jpg | 동박으로 밀봉 | ||
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| + | </ol> | ||
| + | <li>2014.07 제조 [[LG G3 Cat.6, LG-F460S 스마트폰]] | ||
| + | <ol> | ||
| + | <li>외관 | ||
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| + | image:lg_f460s_016.jpg | ||
| + | image:lg_f460s_017.jpg | 3.5x3.5mm | ||
| + | image:lg_f460s_018.jpg | 금속뚜껑(리드)에 구멍이 뚫여있다. | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>패키징 | ||
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| + | image:lg_f460s_019.jpg | ||
| + | image:lg_f460s_020.jpg | 압력센서 가운데가 약간 꺼져 있다. (내부가 진공이므로) | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>다이 | ||
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| + | image:lg_f460s_021.jpg | 위: 앰프, 아래: 센서 | ||
| + | image:lg_f460s_022.jpg | 센서 088062 | ||
| + | image:lg_f460s_023.jpg | 앰프 다이는 ZMDI 제조 | ||
| + | image:lg_f460s_024.jpg | 앰프 다이 CM018-1723C2 | ||
| + | </gallery> | ||
| + | </ol> | ||
| + | <li>2015.01 출시한 구글 [[핏빗 charge HR 스마트밴드]] | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:fitbit_charge_hr_008.jpg | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>2018.04 출시 [[애플 iPhone 8 Plus PRODUCT red 스마트폰]] | ||
| + | <ol> | ||
| + | <li>외관 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:i8ppr_027.jpg | 2.5x2.0mm | ||
| + | image:i8ppr_027_002.jpg | 마킹 T3J LP | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>금속 캡을 뜯어내 내부 관찰 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:i8ppr_027_003.jpg | ||
| + | image:i8ppr_027_005.jpg | 실버 에폭시 [[도전성 접착제]]로 금속캔을 붙였다. 캔을 납땜으로 붙일 수 없기 때문에(?) | ||
| + | image:i8ppr_027_004.jpg | 다이본딩 및 [[Au 볼 와이어본딩]] 방법 | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>다이 표면 관찰 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:i8ppr_027_006.jpg | CMP460M | ||
| + | image:i8ppr_027_008.jpg | 빨강 화살표 지점은 어떤 [[IC 표식]] (?) | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li> [[Au 볼 와이어본딩]] 기법중에 Ball Stitch On Ball(BSOB) | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:i8ppr_027_007.jpg | 균일하고 넓게 누르기 위해서, 직경이 큰 [[본딩 캐필러리]]를 사용함. | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>발연질산에 담궈 뜯어내면. 열팽창에 따른 기계적 스트레스를 해소하는 특별한 기술은 보이지 않는다. | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:i8ppr_027_009.jpg | ||
| + | image:i8ppr_027_010.jpg | 신호처리 IC | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>신호처리 IC | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:i8ppr_027_012.jpg | ||
| + | image:i8ppr_027_013.jpg | RDL | ||
| + | image:i8ppr_027_014.jpg | C M T UG [[Copyright]] | ||
| + | </gallery> | ||
| + | <li>센서를 불에 태워보면 | ||
| + | <gallery> | ||
| + | image:i8ppr_027_011.jpg | 높이 차이가 약 1um | ||
| + | </gallery> | ||
| + | </ol> | ||
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2026년 3월 19일 (목) 16:10 기준 최신판
핸드폰에서 발견한 대기압 센서
- 전자부품
- 압력센서
- 핸드폰에서 발견한 대기압 센서 - 이 페이지
- 압력센서
- 용어
- Barometric Pressure Sensor, barometer
- 정보
- 발견
- 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰
- 외관
- 윗 뚜껑을 벗기면 캐비티 유기물기판을 사용했음을 알 수 있다.
- chip-on-chp 으로 패키징된 두 IC
- 전체
- 압력센서
- 신호처리 IC
- 전체
- chip-on-chip 을 서로 연결하기 위한 Au 볼 와이어본딩
- 발연질산 처리 후, 신호처리 IC의 와이어본딩 패드 관찰
- (절대값인) 대기압을 측정하므로, (아래 빈공간은 밀봉되어야 한다.) 허공에 떠 있는 멤브레인
- 멤브레인에 크랙을 가한 후 - 초음파세척을 하니
- 멤브레인을 제거한 후 - 초음파세척을 계속하니
- 멤브레인에 크랙을 가한 후 - 초음파세척을 하니
- 다이싱
- 외관
- 2012.09 출시 삼성 갤럭시 노트2, SHV-E250S 스마트폰
- 2014.07 제조 LG G3 Cat.6, LG-F460S 스마트폰
- 외관
- 패키징
- 다이
- 외관
- 2015.01 출시한 구글 핏빗 charge HR 스마트밴드
- 2018.04 출시 애플 iPhone 8 Plus PRODUCT red 스마트폰
- 외관
- 금속 캡을 뜯어내 내부 관찰
실버 에폭시 도전성 접착제로 금속캔을 붙였다. 캔을 납땜으로 붙일 수 없기 때문에(?)
다이본딩 및 Au 볼 와이어본딩 방법
- 다이 표면 관찰
빨강 화살표 지점은 어떤 IC 표식 (?)
- Au 볼 와이어본딩 기법중에 Ball Stitch On Ball(BSOB)
균일하고 넓게 누르기 위해서, 직경이 큰 본딩 캐필러리를 사용함.
- 발연질산에 담궈 뜯어내면. 열팽창에 따른 기계적 스트레스를 해소하는 특별한 기술은 보이지 않는다.
- 신호처리 IC
C M T UG Copyright
- 센서를 불에 태워보면
- 외관
- 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰