SMD타입 전류검출용R

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    1. 전류검출용R
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구입품
1. LRMAP3920C-R001FT ,R002FT, 1m,2m오옴 1% 4,5W, 3.9x2.0mm
  1. 주문 2020/03/28일
  2. 촬영 2020/09/22일 네스벨에서 모터전류 측정을 위해 개봉. 1m오옴
    - 1m, 5개, 2m, 10개 구입
발견
1. 전류 위상 검출용
  1. E5060A Test Head
    - 40개 10오옴 = 0.25오옴
2. KOA - NPR 시리즈, teal(청녹색) 마킹
  1. 데이터시트 - 2p
  2. Hitachi DMS-7A 압력계에서
    - 배터리 충방전 회로에서
3. HMR 회사 , Copper-nickel(구리 60% + 니켈 40% 합금을 콘스탄탄 Constantan 이라한다.) 합금 또는 Fe-Cr 합금 재료라고 함.
  1. LS 산전 인버터에서
    1. LS산전, SV022iG5A-4
    2. LS산전, SV008iC5-2, in 200-230V 6.6A 3상 50/60Hz, out 0~input 5A 3상, 0.01~400Hz, 1HP 0.75kW(D), 16/02/14 사진
  2. 측정-1, HP 34970A DMM 100.0000오옴이 최소저항 측정범위이므로, 0.010 저저항 측정에 문제가 된듯???????
    1. 실험 사진
      - 전체 사진
    2. 온도특성 측정 엑셀
      - 예상치 못한 이상한 특성이 나옴.
  3. 측정-2, HP 3458A DMM (10오옴 범위에서 10mA 전류가 흐른다. 그러므로 0.01A x 0.01ohm=0.1mV를 측정한다.)
    1. 실험 사진
    2. 온도특성 측정 엑셀
      - 온도 하강은 히터를 끄고 팬만 가동.
      - 그래도 이상하다. 주변 잡음이 들어오는 듯.
  4. 측정-3, 6612C 전원공급기로 1A 전류 흘리면서 HP 3458A로 V 측정 (1A x 0.01ohm=10mV를 측정한다. 측정 2보다 100배 측정 전압이 높다.)
    - 온도프로파일 - 천천히
    - 온도-저항
    - 온도계수 = +140ppm/'C (니크롬?)
4. 충전 거치대
  1. LG BL-53QH 배터리용으로 선린전자가 만든 BC-3500
    - 전류 측정용 1.00오옴 저항 4개 병렬
5. 배터리 팩에서
  1. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰
    - U자홈으로 갈아내면서 트리밍했다.
    - 2.05mΩ
  2. 2010년 출시된 iPad A1337, 태블릿 컴퓨터에서
    - R010
    - 실측 0.01002Ω
  3. PCB에 Metal strip을 붙여서
    1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰 배터리팩에서
      1. 외관 (아마 대만 Cyntec 회사 제품으로 추정)
      2. 저항온도계수 TCR 측정 엑셀 데이터
        
        끼워 연결했다. ~0.025오옴 저항
        
        온도프로파일. 70도 도달한 후 오븐을 OFF해서 자연냉각을 함
        
        측정 저항
        
        온도계수 + 0.00123 인 금속(참고 98Cu2Ni 0.0014, 니크롬80 0.00011, 구리 0.00393, 은 0.0038)
      3. 구조 - PCB에 금속판을 붙였다. 위쪽 더미 금속은 열팽창 때문에 휘는 것을 막기 위해(?)
      4. 레이저 트리밍
  4. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
    1. 배터리 보호 회로
      - FET 스위치, 뒷면은 비교적 두꺼운 금속 코팅 및 딱딱한 투명 수지로 도포함.(열방출 및 강도향상)
      - 전류감지용 저저항, FET 스위치, P-PTC 퓨즈
    2. 분해
      - 그라인딩으로 저항값 트리밍
  5. Metal strip 저항체 구조, IBM ThinkPad용 배터리 팩에서
    1. 08K8198, 10.8V 6.6AH
      1. 17/07/18 온도 특성 측정 엑셀 데이터 +100ppm/'C 라면 80Ni,20Cr으로 추측
        
        DMM 측정
        
        샘플이 오븐벽에 닿아서
        
        열처리전
        
        열처리후
      2. 사진
        
        0.010 나온다.
        
        트리밍
    2. 08K8193, 10.8V 4.4AH (표준)
      - 전류 측정 저항
  6. Metal strip 저항체 구조, Fusitsu 노트북 E8410 배터리 팩에서, product no:FPCBP176 14.4V 5200mAh(74Wh) P/N CP335284-01
    - 5mohm
    - 와이어커팅
    - 프레싱
  7. 아무런 트리밍을 하지 않는 것처럼 보임 - 프레스금형으로 저항값을 맞추고, 일부표면,측면에서 미세하게 트리밍할 것으로 추측
    1. Lenovo ideapad 700-15isk 노트북, 산요 배터리팩에서
      - 페인트를 벗기면
      - 아래, 전극사이 연녹회색 절연체도 페인트
      - 측면 표면만 살짝 갈아내어
      - 9.7m오옴
      - 어떻게 트리밍할까? 트리밍한 흔적이 없다.
      - 질산에 넣은 후, 갈아내지 않는 측면 - 프레스로 자른 흔적
6. 노트북에서
  1. 2003년 05월 제조 노트북, LG IBM T40
    1. CPU 전원 콘트롤러, ADP3205 Multiphase Power Core Controller
      - R467: 2.01m R114: 2.00m
      - 트리밍을 잡아당겨서 하나?
    2. 2.0x1.6mm
      1. DC 전압에서. ADP3806 - Analog Devices, High Frequency Switch Mode Li-Ion Battery Charger
        
        12.0mohm = 32.4//32.4//46.4mohm (1% 편차에 있는 값임. 120는 118 121 사이에 있음) 아마 33/33/33일것임
        
        2,3번핀이 시스템DC용 10mohm 전류 센싱, 17,18은 배터리용 40mohm 전류센싱
      2. 전류검출용 저항 3개병렬은 두 군데 더 있음.
        
        33//33//33mohm 뜯어서 측정하면
        
        12.0mohm
        
        33//33//33mohm 뜯어서 측정하면
        
        11.0mohm
        
        상하 대칭 - 패턴이 동일하게 형성
      3. 위 제품이 타 세트에서 사용되어 여기에 정리함.
        
        삼성 3.5" HDD, SP0802N, 80GB
        
        V-I 커브 측정 데이터 - 6612 파워서플라이와 DMM 전압계로 측정
        
        1. 전류가 충분해야 전압이 잘 측정된다. 2. 전류가 너무 많이 흐르면 발열되어 저항값이 증가한다.
        
        사진
        
        60m오옴
        
        앞 뒷면 모두 패턴이 형성되어 있음.
    3. 칩저항기 4개를 사용함. 220/220/220/220 = 55m(측정하니)
  2. 2006년 07월 출시 노트북, Compaq nx6320
    1. 메인보드에는 저항 하나만 쉽게 보임.
      - bq24703, battery charge controller and selector
    2. 배터리 팩에서, 전류측정용 저저항 0.01오옴 6.4x3.2mm(2512size;1W)
      - 기판으로부터 떠 있다.
  3. 2007년 07월 출시 노트북, Fujitsu E8410
    1. IC 2개에서 사용, 배터리 충전기, 전력 제어기
      - Maxim 1533AE(5출력 파워 제어기) 8724(배터리 충전기)
    2. 10m오옴
    3. 27m오옴
    4. 5m오옴 - ODD 옆에서
    5. 1m오옴
  4. 2013년 12월 출시 노트북, LG 15N53에서
    1. 메인보드에서
      - 전류 측정용 저저항 10m오옴
    2. 배터리 팩
      1. 2512size(=6.4x3.2mm) 1W, 5m오옴
        
        전압측정을 위한 전극인출지점
      2. 전압검출을 위한 PCB 배선 및 부품
        
        배선
        
        잡음제거 RC회로
      3. 내부 구조
        
        EMC가 떨어지지 않고 단단히 부착되기 위한 구멍 두 개인 듯 (물론 구멍 위치에 따라 저항값이 달라질 수 있다.)
        
        프레스 흔적. 정밀한 프레스 방법으로 저항값을 맞춘다.
  5. 2015년 12월 제조 노트북, Lenovo ideapad 700-15isk
    1. 배터리를 충전, 방전용 제어 IC 주변
      1. BQ24780, 1 to 4-Cell Hybrid Power Boost Mode Battery Charge Controller
        
        전류측정용 저저항에서 전압을 측정하기 위한 배선
        
        전압이 낮아, 잡음 제거를 위한 입력 LP 필터 series-10오옴 저항, parallel 0.1uF(추정) C 3개
        
        0.010오옴, 폭이 매우 긴
      2. 전류측정용 저저항, 4.0x3.2mm
        
        외관
        
        전류인가하면서 burden voltage 측정
        
        전류 20A에서 - 추정 230도씨(솔더가 녹지 않음)
        
        전류에 따른 저항 측정, 엑셀 데이터
        
        20A까지 인가
        
        뜨거워져도 저항값이 상승하지 않는다.
        
        4W 소모해 약 230도씨까지 상승해도 저항값이 변하지 않아, manganin 저항으로 추정
        
        뜯어내어 분해
        
        실리카 함량이 높은 EMC 재질
        
        내전력은 저항면적이 결정하지 않고, 패키지 크기가 결정한다.
        
        와이어 커팅한 흔적으로 추정
        
        외부를 Cu 판으로 눌러서 붙임.(cladding)
  6. 2020년 05월 출시 노트북, MS Surface Book 3에서
    1. R010 R001로 마킹된 두 개
    2. R010. 검정색 수지는 발연질산에 빠르게 녹지 않아, 불에 태운 후 깨뜨려 제거했다.
      - 프레스 윗면
      - 프레스 아랫면. 트리밍 흔적이 없기 때문에 어떻게 저항값을 맞추지?
    3. R001
      - 마킹면. PCB 구조. 상층은 방열용 구리판인듯
      - 밑면. 동박(?) 레이저 트리밍
7. omniBER 계측기에서, Metal strip 저항체 구조, 페인트 코팅
  1. 저항 0.16오옴
  2. 저항 0.012오옴
8. HDD - spindle motor and VCM(voice coil motor) controller에서
  1. 삼성 3.5", SP0802N, 80GB. 왼쪽은 수지보호막, 오른쪽은 유리보호막
    - 전류 감지를 위한 3병렬 칩저항 3.2x1.6mm 1.0오옴, 2.0저항(모터용, 액츄에이터용)
  2. Seagate, ST31000528AS, Barracuda 7200.12, 1TB
    1. 사진
      - 저저항 측정
    2. 1오옴 5개 병렬인 0.2오옴을, 6612C로 전류인가, DMM 두 대로 전류,전압측정
      - 2A까지 상승 실험 시간
      - 가한 전류에서 측정된 전압(burden voltage)
      - 전류에 따른 저항
      - 전류에 따른 저항값 확대 (1A에서 불균일은 계측기 range 변경 때문??)
      - 발열전력에 따른 저항값 상승
  3. Western Digital Caviar SE, WD2500JS, 250GB, SATA2, 모두 3.2x1.6mm (일반 저항값은 1/4W, 저저항은?)
    - ST SMOOTH L6283
    - R270 = 0.270 0.96A
    - 1R00 = 1.00 0.5A
    - R120 = 0.120 1.4A
    - R050 = 0.050 2.2A
9. 핸드폰에서
  1. 2017.06 출시 삼성 갤럭시 폴더2 SM-G160N 스마트폰 메인보드에서, 2.0x1.6mm
    - 일반 칩저항과 동일한 외부전극
    - SMT 아래면이 저항패턴
    - 균일한 전류흐름을 위해서 양쪽에서 single plunge cut을 실시한 레이저 트리밍
  2. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
    1. 외관
      - 위치
      - 마킹 재료는 수지 잉크
    2. 수지 벗기고
      - 긁어낸 보호막 재료는 검정 수지
      - 레이저 트리밍
    3. 천공
      - laser perforation pitch = 10um