PAMiD

SAW대문
1. SAW-모듈
  1. PAMiD - 이 페이지
  2. PAMiF - 이 페이지
    1. - 비공개
2. 참조
용어
1. PAMiD = Power Amplifier Module integrated Duplexer
2. PAMiF = Power Amplifier Module integrated Filter(IPD, SAW, ...)
  1. 이 문서에서는 SAW 듀플렉서가 아닌 SAW RF필터 단품만 사용되어도 이곳에 정리한다.
3. 2022년 기술
  1. Low Band용 PAMiD라면 DPX가 약 4개 들어간다.
  2. Skyworks, Broadcomm, Qualcomm, Qorvo 등 4개 업체가 과점
PAMiF
1. 2021.01 출시 삼성 갤럭시 A12, SM-A125F 스마트폰
  1. WiPAM WIPS33232 LTE Band 7,40,41 MultiMode MultiBand(MMMB) PAMiF
    1. 전체
    2. SAW-핸드폰RF
      - 청소전
      - 청소후, PCB 인덕터를 연결하는 접지가 많다.
      - DG93HGS MP4, CMH JJH, KRF LIFT OFF L11, IND G4
      - 해상도 챠트, 최소 0.26um(?)
    3. 앰프 다이
    4. 앰프 다이, MCL9W 마킹, 뭔가 WiPAM이 만든 다이는 아닌듯
PAMiD
1. Fujitsu 5030 마킹품
  1. (두번째 분석품) 2007.12 출시 LG-LB3300 슬라이드 피처폰
    1. 전체
      - 5030 마킹, 단단하지 않는 액상 EMC
    2. EMC를 전기인두기 긁어 파내어, 내부 관찰
      - 와이어본딩 PA
      - 두 SAW 부품을 뜯어낸 후
    3. HC 마킹, 2.0x1.6mm Tx(1765MHz) SAW-핸드폰RF
      - R454 1-05, 진한색 영역은 보호막이다. 모든 반사기 패턴을 연결하였다.
      - IDT에 탭(tap)이 없는 공진기가 있다.
    4. YA 마킹, 3.0x2.5mm DPX
      1. 전체
      2. IPD
      3. Rx
        
        주기 2.11um 1855MHz이므로 v=3914m/sec
      4. Tx
        
        S7641-09 마킹
        
        주기 2.215um 1765MHz이므로 v=3909m/sec
  2. (첫번째 분석품) 2008.06 출시 LG-LH2600 핸드폰
    1. Fujitsu Media Device 회사 제품 모듈 형태 및 내부
      - PAMiD 외형
      - PAMiD 내부
    2. 기판, PA
      - Power Amplifier 다이
    3. SAW 듀플렉서 내부
      - IPD를 사용했다.
    4. IPD
      - P042-05, 왼쪽 L은 시계방향 및 오른쪽 L은 반시계방향으로 형성됨.
      - C 구조
    5. DPX - Tx SAW 필터 다이
      - S7641-09
      - 주기 2.24um 전극폭 0.56um
    6. DPX - Rx SAW 필터 다이
      - 주기 2.10um 전극폭 0.526um
    7. Tx SAW 필터 완제품
      - R454 1-07
      - 주기 2.24um 전극폭 0.56um
2. 3G통신모듈
  1. EpiValley SEC-8380, 3G통신모듈
    1. PA가 TRITIUM II라는 기술이 적용. gallium arsenide (GaAs)
      1. TriQuint TQM613029 , PA-Duplexer Module CDMA Cellular Band(824~848MHz, 26dBm)
    2. 외관
    3. 내부
      - PA ? PA 매칭?
    4. Tx 필터 836MHz, 1.5x1.2mm
      - V10PLU6B 314306 JB
    5. Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
      - Tx필터 813077C AC
      - Rx필터 813256
      - 정전기 방지용, 저항 쇼트 패턴
3. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
  1. Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata QE // Avago A7900
    1. 외관
    2. 몰딩 수지를 위에서부터 벗겨내
    3. 모듈을 모두 뜯어내, 메인보드에서 납땜면을 관찰함
  2. Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual PAMiD)?
    - 1.8x1.4mm Taiyo Yuden CSP DPX, Murata WLP DPX
    - Murata WLP roof1을 아래에서 위로 쳐다볼 때. 노랑색이 RDL 전극이다.
    - roof1을 뜯으면
    - 구리판이다.
  3. Avago A790720, Dual PAMiD
    1. 메인보드에서
      - Epcos 2016 도금타입 CSP
      - 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
    2. CSP SAW 듀플렉서 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
    3. Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP SAW 듀플렉서
      - 위에서 볼 때
      - 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.
      - AISGC 또는 AI56C
    4. FBAR DPX에서 - RX(로 추정)
    5. FBAR DPX에서 - TX(로 추정)
  4. TriQuint TQM6M6224, Dual PAMiD
    1. 사진
      - 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.
    2. 유리 지붕
      - 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.
    3. 와이어본딩 타입 SMR 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용
      - 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실
      - 벽
      - 와이어본딩 높이를 낮추기 위한
      - 마스크 자표 X21 Y26