PAM

PAM(Power Amplifier Module)

전자부품
1. RF-IC
  1. PAM - 이 페이지
데모보드
1. Wavics WS1102, CDMA/AMPS용(824-849MHz), 3x3mm, 2005년 4월 21일 제작 보드
  1. 데이터시트
  2. 2022/02/10 발견
연도별
1. 1998년
  1. 1998 Motorola StarTAC AMPS 휴대폰 보드에서
    - Motorola PIM08K41 PAM에서 나온 Tx신호가 SAW-핸드폰DPX로 들어가기 전에, 평행한 두 선이 커플러이다.
2. 2004년
  1. Motorola MS500 휴대폰에서
    - Qualcomm RFR6120 ZIF downconverter, RFT6120 upconvertor, 77162 Skyworks PAM CDMA/AMPS(824-849 MHz)
3. 2006년
  1. 팬택 & 큐리텔 PT-L2200 피처폰에서
    1. FCI FC7214 PAM for KPCS CDMA
      1. FCI; Future Communications Integrated circuit Inc. (=Future Communications IC, Inc.)
      2. 1998년 설립
      3. 2007년 4월 19일 Silicon Motion Technology가 인수하여 사라짐.
    2. 사진
      - World's First Zero-IF Chipset, Qualcomm RFT6100 Tx IC, Qualcomm RFR 6000 Rx IC, FCI 7214 PAM
  2. mini PCIe WiFi 카드, Intel PRO/Wireless 3945ABG (모델명: WM3945AG)
    1. Power Amplifier Module(PAM)-1, Anadigics
      - Anadigics, AWL6950, dualband, 4x4x1.3mm
      - 써멀 비아를 위한 기판 홀 가공
    2. Power Amplifier Module(PAM)-2, TriQuint
      - TriQuint, TQM3M7001, dualband, 3x3x0.9mm
      - 왼쪽 다이 및 몰딩, 오른쪽 기판
      - 도금 기둥
      - L형성
4. 2008년
  1. 2008.04 제조 삼성 SPH-W4700 슬라이드 피처폰
    1. ANADIGICS, AWT6279R, InGaP HBT(hetero-junction bipolar transistor) MMIC, Linear Power Amplifier Module, - 8p
      - 가열하여 강제로 뜯어냄. solder splash 가 보임. 발연질산에 PA칩이 모두 녹아 없어짐.
  2. LG-SH170 에서
    1. SKY77318-12 800~1900M Amplifier
      1. 외관
      2. 질산에 넣어서, 유일하게 관찰되는 전체 면적의 5% 미만인 IC. 나머지는 모두 수동부품을 납땜함
        
        SKYWORKS
        
        2003 31500
    2. WS2512G Avago 2100 Amplifier? (잃어버려 더 이상 분석못함)
  3. Motorola Z8m 휴대폰에서
    - Qualcomm MSM6280 3G chip, Toshiba TYB000BC00AFHP flash, Qualcomm RTR6275 WCDMA Tx, GSM/GPRS/EDGE tranceiver IC, TriQuint 676001 2GHz PAM, Cypress CY7C680 USB IC
    - Qualcomm PM6650 PMIC, Qualcomm RFR6275 WCDMA receiver IC, Triquint 7M5008 Quad-band GSM PAM
5. 2010.07 출시 삼성 GT-B7722 피처폰
  1. SKY77346
    1. 마스터 RF영역에서
      - 납땜된 상태로 메인 PCB를 가위로 잘라서 발연질산에 넣어두면
      - 방열을 위한 비아 8개가 보인다.
      - glass fiber가 있다.
    2. 슬레이브 RF영역에서
      1. 핸드폰 메인보드에서 솔더링 패드 동박 설계
      2. PAM에서 PCB 솔더링 패드 동박 설계
      3. 내부
6. 2013년
  1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
    1. Murata;무라타 WiFi모듈에서
      1. 표면을 깍아보면
        
        Broadcom BCM43342, WIFI/BT/NFC/FM
      2. RF IC #2 - PAM(?) - 발연질산에 오래 넣어두니 다이가 모두 녹아 없어졌다. 그러므로 GaAs 웨이퍼인듯
        
        두 다이 두께가 다르다.
    2. Avago A7900, dual PAM
      - 우측
    3. Skyworks 77355, dual PAM
7. 2014
  1. 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
    1. PAM, Avago ACPM-7700, Multiband Multimode, Quad-Band GSM/EDGE and Multi Mode B1/B2/B3(B4)/B5/B8
      - 와이어본딩된 다이 4개
    2. #7 PAM
      - 솔더댐
8. 2016년
  1. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
    - Murata;무라타 회사에서 제조
    - 솔더링 패턴 동박 설계
    - 다이 4개 사용
9. 2017년
  1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
    1. Skyworks 77645-11, multimode multiband(MMMB) PAM, TDD용 전용. 7개 듀플렉서를 사용하는 W-CDMA용 PAM은 따로 존재한다.
    2. Skyworks 77912-51, W-CDMA용 PAM (LTE B7,38,41,40,AXGP 등 2300~2690MHz)
  2. 2017.06 출시 삼성 갤럭시 폴더2 SM-G160N 스마트폰
    1. Skyworks 77649-11 PAM
10. 2018년
  1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
    1. 뒷면에 PAM, Qorvo QM56020
    2. PAM, Qorvo RF5212A
      - RF5212A
      - BGA IC 3개, MLCC 1개, 앰프Tr 패턴에는 방열을 위해 솔더볼이 집중된다.
11. 2020년
  1. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰에서
    1. Qorvo QPA4580 PAM, 실드코팅으로 차폐시켰다.
      1. 외관
      2. 측면 관찰하면
        
        처마처럼 튀어나왔다.
        
        노랑 화살표에 잘린 PCB 동박이 보인다.
      3. 측면 금속 코팅을 칼로 긁어보니
      4. 타이바. 타이바가 반드시 있어야 하므로, 이왕이면 전기도금을 하면 좋을 것이다.
        
        절단된 PCB에서 구리 타이바가 노출되어 있다.
      5. 꼭지점을 칼로 절단한 후
        
        윗쪽과 아래쪽의 금속코팅 두께에 큰 차이가 없다.
      6. 내부
        
        내부, 와이어본딩 된 PA 다이가 2개 있다.
    2. Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, PAM
      1. 3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
      2. PA용 Indium gallium phosphide(InGaP) 다이
        
        PK5226 01 SKYWORKS C M 2016
      3. MIPI 콘트롤러 silicon 다이
        
        PK1136 01 SKYWORKS C M 2016