"SHV-E210K"의 두 판 사이의 차이

2022년 11월 20일 (일) 21:54 기준 최신판

삼성 갤럭시 S3, SHV-E210K

링크
1. 전자부품
  1. 핸드폰
    1. 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰 - 이 페이지
기술자료
1. 외부 링크
  1. 삼성전자 홈 페이지 https://www.samsung.com/sec/support/model/SHV-E210KMB1KC/
  2. 나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20S%20III
2. 분해제품 모델: SHV-E210K, 제조연월일 2013년 6월 18일
  1. 사용주파수
    1. LTE Band3 1800MHz
    2. 3G UMTS(WCDMA) B2:1900, B1:2100
    3. 2G GSM GSM900 DCS1800 PCS1900
  2. 뒷면 메인카메라: 800만화소, 전면 보조카메라: 190만화소
뒤 뚜껑을 열면
- SHV-E210K (갤럭시 S3 LTE) 16GB, 제조년월 2013년 6월 18일
NFC 안테나가 붙어 있는 배터리
1. 외형
  - 엔피텍 3.8V 7.98Wh, Near Field Communication
  - EB-L1H2LLK 2100mAh, 제조년월 2013.03
2. 라벨 테이프 벗기면, NFC 안테나가 보인다.
  - GRF-C Project Ver 2.2
3. NFC 안테나와 접촉 단자 연결
  - 금속각형 2차-리튬배터리 SAMSUNG TSDI(TianJin), ICP565156A
4. NFC 안테나 측정 - 이렇게 측정하는 것은 거의 의미가 없다.
  1. 측정 사진
  2. 네트워크분석기 측정 데이터
    - 통과 이득특성, 위상
    - 배터리 금속을 접지시키면(inter-winding C가 없어지므로 공진주파수가 높아진다.)
후면에 있는 메인용 핸드폰용 이미지센서
1. 외관, (AF 기능만 있다. OIS 기능은 없다.)
  - GT-i9300(Galaxy S3에서 International 모델)
  - 자기실드 외부 철판을 분리하면, 세라믹 볼이 보인다.
2. 볼 가이드 VCM AF
  - 외부 철판이 렌즈바렐에 붙어 있는 영구자석을 당긴다.
  - 구조적으로 볼을 눌러야 한다.
  - 영구자석이 코일뒤에 있는 철판에 달라붙으려고 하기 때문에 그 사이에 있는 세라믹 볼 4개가 유격없이 눌러진다.
3. 거리 정보에 따라 AF용 전류를 결정하기 위한 (미리 프로그래밍된) 드라이버(?)
4. 렌즈바렐 위치를 알기 위한 홀소자
  - 홀 소자
5. 실험하기 위해 코일 연결
  1. 실험 사진
  2. 엑셀파일 - 무슨 의미가 있는지 아직 모르겠음.
    - 500Hz 부근에 공진점
    - 측정주파수를 높이면서, 낮추면서 - 큰 의미는 없는 듯
    - DC bias current에 따른 임피던스 - 볼 4개에서 하나가 없어진 상태에서 측정함(마찰이 커져 의도대로 동작하지 않음)
6. 이미지 센서
  - 다이 크기 6260x5930um, 센서 크기 4660x3540um, 44%차지
  - 서브픽셀 사이즈 1.44x1.44um, 10개 픽셀마다 긴 막대기를 표시함
후면
1. T-DMB용 채찍 안테나
  - T-DMB 안테나
  - 완쪽이 T-DMB 안테나 접점
2. 안테나 4개 접점 위치
3. 상단
  1. 마이크로 스피커 모듈. 면적이 넓어 보통 안테나를 같이 붙인다.
    - 스피커 모듈 = 스피커 + 이어폰 단자 + 안테나
    - 3.5mm 이어폰 커넥터 소켓을 고무로 흔들림 충격을 완충함
  2. 상단 PIFA 안테나 - Diversity Cellular, GPS
    - 표면에 안테나 패턴이 보인다.
4. 하단
  1. 관심
    - USB 소켓에 완충고무
  2. 하단 PIFA 안테나 - WiFi, Main Cellular
    - 표면에 안테나 전극 패턴이 보임
메인 보드
1. 모양
  - 아래쪽에 있는 두 안테나와 연결되어야 하므로 길게 평면 전송라인을 형성했다.
  - CML0801 카메라용 이미지처리 IC
2. 기판 층수
  - AP가 납땜되는 곳 주기판을 사선으로 잘라
  - 마더보드 기판 층수는 10층
3. 디지털 회로면에 있는 모바일AP, Exynos 4 Quad 4412 칩
  1. 전체
  2. AP를 뜯으면
  3. AP 위에 붙어있는 DRAM를 뜯으면. PoP 패키징이라고 한다.
  4. AP용 기판을 3층까지만 확인 - 유기물기판 6층 인듯.
    - 1층
    - 1-2층사이 비아
    - 2층
    - 3층, MLCC 4개 넣을 수 있는 자리가 있는데 넣지 않았다. 그러므로 임베디드PCB가 아니다.
4. RF 회로면
  1. 보드에서
    - FCI FC7860, 2G/3G RF-IC // TriQuint 7M5005 PAM
  2. RF용L
    - 알루미나 기판 표면에 유기물 적층 방식
WiFi 모듈(핸드폰)
1. 외관, KM3305012 VM 무라타
  - 숫돌로 표면을 갈아낸 흔적이 보인다.
2. 윗면 액체 에폭시 몰딩품을 벗기면
  1. WiFi IC
    - Broadcom BCM4334XKWBG, 208 bump, 5GHz WiFi, 2.4GHz WiFi/BT, FM radio
  2. LTCC 기판이 보일 때까지 수지를 계속 제거하면서 분석
    - 초록색 LTCC 기판을 두고 위아래 에폭시 몰딩
    - IC 접합면
    - LTCC
3. 아랫면
  1. 외관
    - 윗면과 달리 딱딱한 트랜스퍼 몰딩
  2. 수지를 제거하면서 분석
    - 수동부품들이 탑재됨
    - 구리 기둥을 SMT한 후 몰딩한 듯
  3. LTCC 기판
FEMiD
1. 화살표가 가리키는 부품
  - 숫돌로 표면을 갈아낸 흔적이 보인다.
2. 액체 에폭시 몰딩품을 벗기면
  - 분홍 LTCC 기판 위에 (사용하지 않는?)듀플렉서가 5개 보인다.
3. 칩 10개를 뜯어내기 위해
  - 망실되지 않게 테이프를 붙이고, 칼로 밀어 넣었으나...
4. LTCC 기판 및 칩
5. DPX 1 - Rx 다이 없음.
  - IDT C 패턴
6. DPX 2
  - Tx 다이, CF58-A1
  - Rx 다이, CF60-A1
7. DPX 3
  - Tx 다이
  - Rx 다이, BC27-A1
8. DPX 4
  - Tx 다이, BC79-A1
  - Rx 다이
9. DPX 5
  - Tx 다이
  - Rx 다이, BD36-A1(?), 예외적으로 X축 방향이 길다.
SAW-핸드폰RF
1. 1~9번까지 RF필터 9개 SAW 다이가 위치한 곳
2. 칩 1,2, GPS 모듈에서
  1. SAW-GPS, 1.4x1.1mm
    - ANT - 1st SAW + LNA + 2nd SAW - IC(Broadcom BCM47511)
    - 1 필터에서 칩크랙이 보임
  2. #1, 마킹 hDUZ
    - 와이솔 DG89AQ MP-2 HBC
  3. #2, 마킹 eE D1
    - 무라타 AT31-A2
3. 칩 3,4, 2G GSM GSM900 DCS1800+PCS1900,
  1. 외관
    - 9PUY 1.4x1.1 single, ZE SL 1.5x1.1 dual
    - 수지 몰딩을 벗기면
  2. GSM900, 942.5MHz, 1.4x1.1mm, 싱글, 와이솔 마킹 9PUY
    - H942PQ1-11 PHJ
  3. DCS1800(Rx 1842.5MHz)+PCS1900(Rx 1960MHz), 1.5x1.1mm, 듀얼, 무라다 마킹 ZE SL
    - ?86-A1
    - 주기 1.99um 1960MHz라면 3900m/sec
    - 주기 2.10um 1842.5MHz라면 3870m/sec
4. 칩 5, Rx 1830MHz(근처의 밴드), 1.4x1.1mm, 무라타 마킹 ???
  - K182-A1
  - 프루빙 바늘 자국
  - 주기 2.13um 3900m/sec라면 1830MHz
5. 칩 6,7, 1.4x1.1mm 싱글, 무라타 마킹 LB a5 와 AB LT
  1. 외관
  2. 왼쪽 쏘필터
    - K157-A1
    - 주기 2.16um 3900m/sec라면 1805MHz
  3. 오른쪽 쏘필터
    - P955-B2
    - 주기 2.03um 3900m/sec라면 1920MHz
    - 프루빙 바늘 자국
6. 칩 8, 1.4x1.1mm, 무라타 마킹 FF S9
  - W161-A1
  - 주기 2.22um 3900m/sec라면 1757MHz
SAW-핸드폰DPX
1. 칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
  1. 외관
    - 레이저 마킹 판독성을 높이깅 위해 검정 니켈 도금
  2. LTCC 기판
    - SAW 다이가 있을 때. 접지 비아가 무척 많다.
    - SAW 다이를 제거한 후
  3. 다이 패턴
    - 솔더볼
    - 정전기로 파괴된 3군데 확대 영역
  4. ESD 손상 영역1
    - 주기 2.33um, 3900m/s라면 약 1675MHz
  5. ESD 손상 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
  6. ESD 손상 영역3
  7. 다이싱, V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.)
핸드폰에서 발견한 대기압 센서
1. 외관
  - 화살표가 가리키는 부품
  - 표면에 구멍이 있다.
2. 윗 뚜껑을 벗기면 캐비티 유기물기판을 사용했음을 알 수 있다.
  - 캐비티 PCB를 사용
3. chip-on-chp 으로 패키징된 두 IC
  1. 전체
    - chip-on-chp
    - 두 IC 합성사진
  2. 압력센서
    - STMicroelectronics 2010 CSP37A
  3. 신호처리 IC
    - V720A
4. chip-on-chip 을 서로 연결하기 위한 Au 볼 와이어본딩
  - 1st ball bond
  - Ball Stitch On Ball(BSOB)
5. 발연질산 처리 후, 신호처리 IC의 와이어본딩 패드 관찰
  - 1st ball bond 이 잘되었는지를 접합흔적으로 파악할 수 있다.
6. (절대값인) 대기압을 측정하므로, (아래 빈공간은 밀봉되어야 한다.) 허공에 떠 있는 멤브레인
  1. 멤브레인에 크랙을 가한 후 - 초음파세척을 하니
  2. 멤브레인을 제거한 후 - 초음파세척을 계속하니
    - 멤브레인이 떨어져 없어졌다.
7. 다이싱
  - 웨이퍼 두께를 얇게하지 않았다. 90도 돌려 두 번째 다이싱을 하면 이런 줄무늬가 나타난다.
기타
1. 핸드폰용 근접센서
2. 리시버용 스피커

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 <li> [[핸드폰]]
 <ol>
-<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]] - 이 페이지
+<li>2012.06 출시 삼성 [[SHV-E210K]] 갤럭시 S3 스마트폰 - 이 페이지
 </ol>
 </ol>
@@ 17번째 줄: / 17번째 줄: @@
 <li>삼성전자 홈 페이지 https://www.samsung.com/sec/support/model/SHV-E210KMB1KC/
 <li>나무위키 https://namu.wiki/w/%EA%B0%A4%EB%9F%AD%EC%8B%9C%20S%20III
-<li>2012년 출시
 </ol>
 <li>분해제품 모델: SHV-E210K, 제조연월일 2013년 6월 18일
@@ 68번째 줄: / 67번째 줄: @@
 <li>후면에 있는 메인용 [[핸드폰용 이미지센서]]
 <ol>
-<li>외관
+<li>외관, (AF 기능만 있다. OIS 기능은 없다.)
 <gallery>
 image:shv_e210k_011.jpg | GT-i9300(Galaxy S3에서 International 모델)
@@ 74번째 줄: / 73번째 줄: @@
 image:shv_e210k_013.jpg | 자기실드 외부 철판을 분리하면, 세라믹 볼이 보인다.
 </gallery>
-<li>ball bushing bearing 및 voice coil을 사용한 [[카메라 액추에이터]]
+<li> [[볼 가이드 VCM AF]]
 <gallery>
 image:shv_e210k_016.jpg | 외부 철판이 렌즈바렐에 붙어 있는 영구자석을 당긴다.
@@ 112번째 줄: / 111번째 줄: @@
 <li>후면
 <ol>
-<li>T-DMB용 [[채찍 안테나]] = [[whip]] 안테나
+<li>T-DMB용 [[채찍 안테나]]
 <gallery>
 image:shv_e210k_027.jpg | T-DMB 안테나
@@ 125번째 줄: / 124번째 줄: @@
 <li>상단
 <ol>
-<li>관심
+<li> [[마이크로 스피커]] 모듈. 면적이 넓어 보통 안테나를 같이 붙인다.
 <gallery>
 image:shv_e210k_032.jpg
 image:shv_e210k_034.jpg | 스피커 모듈 = 스피커 + 이어폰 단자 + 안테나
-image:shv_e210k_035.jpg | 3.5mm 이어폰 소켓을 고무로 흔들림 충격을 완충함
+image:shv_e210k_035.jpg | [[3.5mm 이어폰 커넥터]] 소켓을 고무로 흔들림 충격을 완충함
 </gallery>
 <li>상단 [[PIFA]] 안테나 - Diversity Cellular, GPS
@@ 152번째 줄: / 151번째 줄: @@
 </ol>
 <li>메인 보드
+<ol>
+<li>모양
 <gallery>
-image:shv_e210k_042.jpg
+image:shv_e210k_042.jpg | 아래쪽에 있는 두 안테나와 연결되어야 하므로 길게 [[평면 전송라인]]을 형성했다.
 image:shv_e210k_044.jpg | CML0801 카메라용 이미지처리 IC
 </gallery>
-<li>메인보드, AP 관련 부품면
+<li> [[기판 층수]]
+<gallery>
+image:shv_e210k_051_001.jpg | AP가 납땜되는 곳 주기판을 사선으로 잘라
+image:shv_e210k_051_002.jpg | 마더보드 [[기판 층수]]는 10층
+</gallery>
+<li>디지털 회로면에 있는 [[모바일AP]], Exynos 4 Quad 4412 칩
 <ol>
 <li>전체
@@ 162번째 줄: / 168번째 줄: @@
 image:shv_e210k_051.jpg
 </gallery>
-<li> [[모바일AP]], Exynos 4 Quad 4412 칩을 뜯으면
+<li>AP를 뜯으면
 <gallery>
 image:shv_e210k_051_001.jpg
-image:shv_e210k_051_002.jpg | 마더보드 [[유기물기판]] 10층
 </gallery>
-<li>위에 있는 DRAM를 뜯으면, PoP
+<li>AP 위에 붙어있는 DRAM를 뜯으면. PoP 패키징이라고 한다.
 <gallery>
 image:shv_e210k_051_003.jpg
@@ 180번째 줄: / 185번째 줄: @@
 </gallery>
 </ol>
-<li>메인보드, RF 관련 부품면
+<li>RF 회로면
+<ol>
+<li>보드에서
 <gallery>
 image:shv_e210k_050.jpg
@@ 187번째 줄: / 194번째 줄: @@
 image:shv_e210k_054.jpg
 </gallery>
+<li> [[RF용L]]
+<gallery>
+image:shv_e210k_083.jpg | 알루미나 기판 표면에 유기물 적층 방식
+image:shv_e210k_084.jpg
+</gallery>
+</ol>
+</ol>
 <li> [[WiFi 모듈(핸드폰)]]
 <ol>
@@ 372번째 줄: / 386번째 줄: @@
 image:shv_e210k_060_002.jpg | 정전기로 파괴된 3군데 확대 영역
 </gallery>
-<li>[[정전기]] 파괴 영역1
+<li> [[ESD 손상]] 영역1
 <gallery>
 image:shv_e210k_060_003.jpg
@@ 379번째 줄: / 393번째 줄: @@
 image:shv_e210k_060_006.jpg | 주기 2.33um, 3900m/s라면 약 1675MHz
 </gallery>
-<li>[[정전기]] 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
+<li> [[ESD 손상]] 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
 <gallery>
 image:shv_e210k_060_007.jpg
 image:shv_e210k_060_008.jpg
 </gallery>
-<li>[[정전기]] 파괴 영역3
+<li> [[ESD 손상]] 영역3
 <gallery>
 image:shv_e210k_060_009.jpg
@@ 395번째 줄: / 409번째 줄: @@
 </ol>
 </ol>
-<li> [[RF용L]]
-<gallery>
-image:shv_e210k_083.jpg | 알루미나 기판 표면에 유기물 적층 방식
-image:shv_e210k_084.jpg
-</gallery>
 <li> [[핸드폰에서 발견한 대기압 센서]]
 <ol>
@@ 410번째 줄: / 419번째 줄: @@
 <gallery>
 image:shv_e210k_067.jpg | 캐비티 PCB를 사용
+</gallery>
+<li>chip-on-chp 으로 패키징된 두 IC
+<ol>
+<li>전체
+<gallery>
 image:shv_e210k_068.jpg | chip-on-chp
+image:shv_e210k_075.jpg | 두 IC 합성사진
 </gallery>
 <li>압력센서
@@ 422번째 줄: / 437번째 줄: @@
 image:shv_e210k_072.jpg | V720A
 </gallery>
-<li>두 IC 합성사진
+</ol>
-<gallery>
+<li>chip-on-chip 을 서로 연결하기 위한 [[Au 볼 와이어본딩]]
-image:shv_e210k_075.jpg
-</gallery>
-<li>chip-on-chip 을 서로 연결하기 위한 [[와이어본딩]]
 <gallery>
 image:shv_e210k_073.jpg | 1st ball bond
 image:shv_e210k_074.jpg | Ball Stitch On Ball(BSOB)
 </gallery>
-<li>질산 처리 후, 신호처리 IC의 [[와이어본딩]] 패드
+<li> [[발연질산]] 처리 후, 신호처리 IC의 [[와이어본딩 패드]] 관찰
 <gallery>
 image:shv_e210k_076.jpg | 1st ball bond 이 잘되었는지를 접합흔적으로 파악할 수 있다.
 image:shv_e210k_077.jpg
 </gallery>
+<li>(절대값인) 대기압을 측정하므로, (아래 빈공간은 밀봉되어야 한다.) 허공에 떠 있는 멤브레인
+<ol>
 <li>멤브레인에 크랙을 가한 후 - 초음파세척을 하니
 <gallery>
@@ 444번째 줄: / 458번째 줄: @@
 <gallery>
 image:shv_e210k_081.jpg
-image:shv_e210k_082.jpg
+image:shv_e210k_082.jpg | 멤브레인이 떨어져 없어졌다.
 </gallery>
+</ol>
 <li> [[다이싱]]
 <gallery>
@@ 455번째 줄: / 470번째 줄: @@
 <li> [[핸드폰용 근접센서]]
 <gallery>
-image:shv_e210k_025.jpg | 적외선 근접센서
+image:shv_e210k_025.jpg
 image:shv_e210k_026.jpg
 </gallery>
 <li> [[리시버용 스피커]]
 <gallery>
-image:shv_e210k_041.jpg | 2단자 리시버
+image:shv_e210k_041.jpg
 </gallery>
 </ol>
 </ol>