208일, 19시간, 53분 - Togotech

"다이싱"의 두 판 사이의 차이

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다이싱 dicing
 
다이싱 dicing
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<li>링크
 
 
<ol>
 
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<li> [[전자부품]]
 
<li> [[전자부품]]
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<ol>
 
<ol>
 
<li> [[다이싱]] - 이 페이지
 
<li> [[다이싱]] - 이 페이지
 +
<ol>
 +
<li> [[다이싱된 다이 모양]]
 +
<li> [[하프 커팅후 절단]]
 +
<li> [[레이저 다이싱]]
 +
<li> [[도랑 파기]]
 +
</ol>
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<li>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>참조
 
<li>참조
 
<ol>
 
<ol>
 +
<li> [[다이싱 테이프]]
 +
</ol>
 +
<li>참조
 +
<ol>
 +
<li> [[버]]
 
<li> [[천공]]
 
<li> [[천공]]
 
<li> [[스크라이버]]
 
<li> [[스크라이버]]
−
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<li>기계장치에서
 
<li>기계장치에서
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>스핀들, 회전 밸런스가 무너짐
+
<li>스핀들, [[회전체 밸런싱]]에 문제
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:090130_091028.jpg | 오랫동안 조이니 부러짐
 
image:090130_091028.jpg | 오랫동안 조이니 부러짐
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>절단된 가루가 구배없는 배수관에 쌓이면
+
<li>절단된 가루가 구배없는 [[배관]]에 쌓이면
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:090131_091708.jpg
 
image:090131_091708.jpg
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</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>다이싱 모양
+
<li>절삭속도 추정
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>삼각형
+
<li>K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
−
<ol>
 
−
<li>
 
−
<ol>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>평행사변형을 자른 삼각형
 
−
<ol>
 
−
<li>MSC가 있는, high out-of-band rejection in surface acoustic wave (SAW) filters,
 
 
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<gallery>
−
image:saw_if_etc01_001.jpg
+
image:saw_if_tv_sipd03_012.jpg | 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>매우 긴 직각사각형 - 그냥 직사각형, 정사각형은 가장 널리 사용되므로 첨부 생략
+
<li>기타
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>CIS - 스캐너용 contact image sensor
+
<li>초콜릿 [[과자]]에서, Kiru Kezuru Migaku (절단 연삭 연마)
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:ddi01_001.jpg | X축 IC 18.2x1.35x0.64mm, Y축 IC 11.2x1.35x0.64mm
+
image:151104_173634.jpg | 2015/11/04일, 디스코 Disco에서 받은 선물인데, 투고기술 방문자로부터 받음
−
</gallery>
 
−
<li>DDI - [[능동LCD]]용 Display Driver
 
−
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−
image:cis03_020.jpg | 이런 센서(합성 때 약간 문제로 줄어듬) 15개를 사용한다.
 
 
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</ol>
 
</ol>
−
<li>평행사변형(parallelogram)
+
<li>재질에 따라
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>TV용 IF SAW필터
 
−
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−
image:saw_if_tv02_014.jpg | 112LT Sanyo 마킹
 
−
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−
</ol>
 
−
<li>육각형(hexagon), 직선으로 자를 수 없다. 그러므로 레이저 다이싱 또는 플라즈마 에칭(plasma etching)으로 다이싱해야 한다.
 
−
<ol>
 
−
<li>LED칩
 
−
<gallery>
 
−
image:led_module01_006.jpg
 
−
image:led_module01_007.jpg | 한변 길이가 1.2mm
 
−
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−
<li> [[다이오드]]
 
−
<ol>
 
−
<li> [[산타페 발전기]]에서 발견
 
−
<gallery>
 
−
image:generator01_031_001.jpg
 
−
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−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
 
<li>금속 다이싱
 
<li>금속 다이싱
 
<ol>
 
<ol>
88번째 줄: 64번째 줄:
 
image:csp_plating01_011.jpg
 
image:csp_plating01_011.jpg
 
image:csp_plating01_012.jpg
 
image:csp_plating01_012.jpg
−
image:csp_plating01_013.jpg | 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 burr가 쉽게 발생됨.
+
image:csp_plating01_013.jpg | 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 [[버]]가 쉽게 발생됨.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>리드프레임
 
<li>리드프레임
−
</ol>
 
−
<li>스크라이빙 후 부러뜨림
 
−
<ol>
 
−
<li>쏘필터, 매우 긴 칩 - 러시아?
 
−
<gallery>
 
−
image:saw_if_etc04_001.jpg
 
−
image:saw_if_etc04_002.jpg | 패키지 길이 21.4mm
 
−
image:saw_if_etc04_003.jpg | 스크라이빙 후 부러뜨렸다.
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>half-cut 다이싱 후
 
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<ol>
 
−
<li>Bevel cut
 
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<ol>
 
−
<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]]
 
−
<ol>
 
−
<li> [[SAW-핸드폰DPX]]에서
 
−
<gallery>
 
−
image:shv_e210k_060_010.jpg | V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다.
 
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image:shv_e210k_060_011.jpg
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>step cut: 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.
 
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<ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>half-cut 후 부러뜨렸다.
 
−
<ol>
 
−
<li> [[TR6878]] DMM 정밀저항기에서
 
−
<gallery>
 
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image:tr6878_026_003.jpg | [[다이싱]]은 half-cut
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>LTCC 몰딩품에서
 
−
<ol>
 
−
<li> Motorola [[Z8m]] 휴대폰에서, [[SAW-모듈]]
 
−
<gallery>
 
−
image:z8m01_069_001.jpg
 
−
image:z8m01_069_002.jpg | LTCC는 레이저 [[천공]], 에폭시는 half-cut [[다이싱]] 후 부러뜨린 듯
 
−
</gallery>
 
−
<li> Motorola [[Z8m]] 휴대폰에서, [[SAW-모듈]]
 
−
<gallery>
 
−
image:z8m01_089.jpg
 
−
image:z8m01_090.jpg
 
−
image:z8m01_091.jpg
 
−
image:z8m01_092.jpg
 
−
image:z8m01_093.jpg | LTCC [[다이싱]] 방법
 
−
</gallery>
 
−
<li>2015 [[LG-F570S]] LG Band Play 에서
 
−
<gallery>
 
−
image:lg_f570s_037_001.jpg | 양면 half 다이싱
 
−
image:lg_f570s_037_002.jpg | 잘리지 않은 에폭시층을 부러뜨렸다.
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>실리콘 웨이퍼
 
−
<ol>
 
−
<li>Panasonic [[VP-7750A]] Wow Flutter 미터
 
−
<gallery>
 
−
image:vp_7750a_080.jpg | LM306H, high-speed voltage comparators
 
−
image:vp_7750a_084.jpg | NEC uPC157A, op amp.
 
−
</gallery>
 
−
<li>HP [[8112A]] 50 MHz pulse generator에서, 어떤 [[Tr]]에서
 
−
<gallery>
 
−
image:tr_metal03_004.jpg
 
−
image:tr_metal03_005.jpg
 
−
</gallery>
 
−
<li>인텔 8085 [[MCU]], 1985년 제조품에서. 당시 full dicing은 어려운 기술이었다.(?)
 
−
<gallery>
 
−
image:intel8085_01_001.jpg | 60% 깊이로 블레이드 휠 다이싱 후 부러뜨렸다.
 
−
image:intel8085_01_002.jpg
 
−
image:intel8085_01_003.jpg
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>반도체 웨이퍼 다이싱
 
−
<ol>
 
−
<li>레이저 기술
 
−
<ol>
 
−
<li>용어 stealth dicing, ultrashort pulsed(USP)
 
−
<li>유리(soda lime glass)
 
−
<ol>
 
−
<li> - 10p
 
−
<li>기술
 
−
<ol>
 
−
<li>장점: high speed cutting, no chipping, dust-free, zero-kerf, no chemicals
 
−
<li>스텔스 다이싱 단점: 절단면에 큰 거칠기 존재, 완전히 분리하는 개별화 작업을 위해 기계적인 충격이 필요함.
 
−
<li>완전한 절단(Full ablation cutting) - 작업속도가 느리다. 측벽이 매우 거칠다. 많은 먼지가 발생된다.
 
−
<li>제어된 파괴전파(Controlled fracture propagation) - 시작지점을 기계적으로 긁고, 이후 레이저로 가열하여 균열 발생하는 기법(절단면이 매끄럽다. 곡선이 안된다. 경로가 부정확하다. 열을 받는다.)
 
−
</ol>
 
−
</ol>
 
−
<li>레이저 촛점을 이룬 공간에 웨이퍼 재료가 깨져 개질층(빈공간) 형성해야 한다.
 
−
<ol>
 
−
<li>레이저 촛점은 레이저 진행 방향에 따라 원형, 진행방향 타원, 진행에 수직방향 타원 등을 만들 수 있다.
 
−
<li>개질층이 웨이퍼 두께에 따라 1~5회 형성해야 하므로, 촛점 깊이를 정확히 맞출 수 있어야 한다.
 
−
<li>웨이퍼 표면 높이를 레이저 센서로 미리 측정하여 촛점을 맞춘다.
 
−
<li>레이저가 나오는 렌즈는 NA값이 큰 대구경을 사용하여 촛점 깊이(DOF)를 낮게 형성시킨다.
 
−
<li>빈공간이 작아야 정교하게 개질층이 형성된다. 생산성 때문에 펄스 주파수(Q-rate)가 높아야 한다.
 
−
<li>레이저 빔 직경이 기존대비 1/10이면 Q-Rate는 x10 이어야 절삭속도가 동일해진다.
 
−
</ol>
 
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>실리콘 웨이퍼
 
<li>실리콘 웨이퍼
−
<ol>
 
−
<li>레이저
 
−
<ol>
 
−
<li>CIS #2 - 레이저
 
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image:cis02_006_004.jpg | 센서 경계선
 
−
image:cis02_006_008.jpg | 센서 칩 두께 250um, 레이저 다이싱
 
−
</gallery>
 
−
<li>MEMS 마이크 - 1
 
−
<gallery>
 
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image:knowles01_003.jpg
 
−
image:knowles01_004.jpg
 
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image:knowles01_007.jpg | 레이저 다이싱 5회
 
−
</gallery>
 
−
<li>MEMS 마이크 - 2, 인기 레이저 다이싱 장비를 조사하니, 실리콘에 흡수율이 좋은 IR 파장에 전력은 10W.
 
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<gallery>
 
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image:mems_mic01_008.jpg | 측면 다이싱 관찰
 
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image:mems_mic01_010.jpg | 레이저 4회
 
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image:mems_mic01_011.jpg
 
−
image:mems_mic01_012.jpg
 
−
image:mems_mic01_013.jpg | 천공 간격 약 3um, Q-rate 100kHz 레이저를 사용했다면 300mm/sec 전진 속도. 4회 반복하므로 약 70mm/sec 절삭속도가 나올 것으로 예상.
 
−
</gallery>
 
−
<li>인포콤 RF하이패스, 스위치
 
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image:hipass_rf02_051.jpg | 중심 위: common, 좌우가 sig1,2, 아래 두 개가 각 sig1,2에 대응하는 gnd, 오른쪽 위가 ctrl.
 
−
image:hipass_rf02_052.jpg | 레이저 다이싱
 
−
</gallery>
 
−
</ol>
 
−
<li>회전 블레이드
 
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>CIS #1 - 회전 [[다이아몬드]] 휠로 절단
 
<li>CIS #1 - 회전 [[다이아몬드]] 휠로 절단
249번째 줄: 97번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]] 핸드폰에서
+
<li>2012.06 출시 삼성 [[SHV-E210K]] 갤럭시 S3 스마트폰
 
<ol>
 
<ol>
 
<li> [[핸드폰에서 발견한 대기압 센서]]
 
<li> [[핸드폰에서 발견한 대기압 센서]]
256번째 줄: 104번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰 , [[핸드폰용 이미지센서]]
 +
<ol>
 +
<li>실리콘 센서는 앞면에서 회전 블레이드로 두 번(?) [[다이싱]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_079.jpg
 +
image:iphone5s01_080.jpg
 +
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</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
267번째 줄: 122번째 줄:
 
image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
 
image:saw1411_01_004.jpg | 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>2008년 1월 제조된 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
+
<li>2007.10 출시 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
 
<li>무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
276번째 줄: 131번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
</ol>
+
<li>2020 삼성 갤럭시 A51 [[SM-A516N]] 휴대폰
−
</ol>
 
−
<li>절삭속도 추정
 
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.
+
<li>와이솔
 
<gallery>
 
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−
image:saw_if_tv_sipd03_012.jpg | 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.
+
image:sm_a516n_073_002.jpg | 긴쪽 50um
 +
image:sm_a516n_073_005.jpg | 짧은쪽
 
</gallery>
 
</gallery>
−
</ol>
+
<li>무라타
−
<li>뒷면 그루빙(도랑 파기)
 
−
<ol>
 
−
<li>K3953D에서 - 다이싱(칩두께 500um) 및 뒷면 그루빙(간격 330um, 깊이 110um, 폭 55um)
 
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:saw_if_tv_sipd03_002.jpg | 가장자리 칩핑이 많다.
+
image:sm_a516n_073_003.jpg | 긴쪽 100um (다이싱 속도가 비례하여 빠르다.)
−
image:saw_if_tv_sipd03_004.jpg | 두번 다이싱
+
image:sm_a516n_073_006.jpg | 짧은쪽
−
image:saw_if_tv_sipd03_005.jpg
 
−
image:saw_if_tv_sipd03_009.jpg | 항상 원형으로 깍인다.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
−
<li>벌크파동을 제거하기 위한, 뒷면 grooving 및 Ag 에폭시 다이 접착제
+
<li>엡코스
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:saw_if_tv_sipm01_005.jpg
+
image:sm_a516n_073_004.jpg | 긴쪽 40um
−
image:saw_tech01_001.jpg | [[SAW기술]]에서
+
image:sm_a516n_073_007.jpg | 짧은쪽
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
−
<li>기타
+
</ol>
 +
<li>LED, 사파이어 웨이퍼가 아닐 때
 
<ol>
 
<ol>
−
<li>초콜릿 [[과자]]에서, Kiru Kezuru Migaku (절단 연삭 연마)
+
<li> [[7-segment LED]], [[오토닉스 TZ4ST 온도조절기]]에서
 
<gallery>
 
<gallery>
−
image:151104_173634.jpg | 2015/11/04일, 디스코 Disco에서 받은 선물인데, 투고기술 방문자로부터 받음
+
image:7seg_led03_004.jpg | 다이본딩
 +
image:7seg_led03_007.jpg | 다이싱 절단면
 +
image:7seg_led03_008.jpg | 다른 쪽, 90도 방향 절단면은 부러뜨렸나?
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>

2023년 10월 21일 (토) 21:40 판

다이싱 dicing

  1. 전자부품
    1. 가공
      1. 다이싱 - 이 페이지
        1. 다이싱된 다이 모양
        2. 하프 커팅후 절단
        3. 레이저 다이싱
        4. 도랑 파기
    2. 참조
      1. 다이싱 테이프
    3. 참조
      1. 버
      2. 천공
      3. 스크라이버
  2. 기계장치에서
    1. 스핀들, 회전체 밸런싱에 문제

      • 오랫동안 조이니 부러짐

    2. 절단된 가루가 구배없는 배관에 쌓이면
      • 090131 091708.jpg
      • 090131 093026.jpg
      • 090131 093940.jpg
      • 090131 093822.jpg
      • 090131 093712.jpg
  3. 절삭속도 추정
    1. K3953D에서, 30krpm이라면, 60um 수평간격이면 절삭속도는 30mm/sec.

      • 표면에서 각도는 블레이드 직경을 알 수 있다.

  4. 기타
    1. 초콜릿 과자에서, Kiru Kezuru Migaku (절단 연삭 연마)

      • 2015/11/04일, 디스코 Disco에서 받은 선물인데, 투고기술 방문자로부터 받음

  5. 재질에 따라
    1. 금속 다이싱
      1. 얇은 구리판(PCB용 도금 동박 등)
        1. 도금 CSP 쏘필터
          • csp plating01 011.jpg
          • csp plating01 012.jpg

          • 다이싱 2nd 채널에서, 구리는 버가 쉽게 발생됨.

      2. 리드프레임
    2. 실리콘 웨이퍼
      1. CIS #1 - 회전 다이아몬드 휠로 절단
        • cis03 018.jpg

        • 칩 두께 0.34mm, 두 칩 간격 20um

        • 블레이드 다이싱, 수평간격이 0.1mm이므로 30krpm이면 50mm/sec 절단속도

      2. 만도 RF하이패스, 로스윈 PLL 모듈에 있는 TCXO용 IC
        • hipass rf01 087 007.jpg

        • 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)

        • hipass rf01 087 009.jpg
      3. 인포콤 RF하이패스, PAM용 TR 두 개
        1. first stage amp.
          • hipass rf02 043.jpg

          • 다이싱 때, 90도 돌려 두번째 채널 자를 때 칩이 테이프에서 뜨면서 기울어져 발생한 무늬

        2. second stage amp.

          • 2-stage 앰프에서 뒤쪽에 있는, 더 큰 출력이 필요한 Tr

          • 다이싱 때 1ch 컷

          • 다이싱 때 90도 돌려 자른 ch2 컷

      4. 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰
        1. 핸드폰에서 발견한 대기압 센서

          • 웨이퍼 두께를 얇게하지 않았다. 90도 돌려 두 번째 다이싱을 하면 이런 줄무늬가 나타난다.

      5. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰 , 핸드폰용 이미지센서
        1. 실리콘 센서는 앞면에서 회전 블레이드로 두 번(?) 다이싱
          • iphone5s01 079.jpg
          • iphone5s01 080.jpg
    3. 쏘필터용 웨이퍼
      1. 무라타, 1.4x1.1mm
        • saw1411 01 001.jpg

        • 줄무늬 수평 간격이 절단 속도에 비례한다.

        • 두께 5% 매우 빠르게, 두께 60% 천전히, 그리고 뒤집어서 다시. 총 4번 다이싱한 것처럼 보이지만, 한 번만 다이싱해도 이렇다.(?????)

        • 4번 다이싱 때문에, 뒷면 칩핑이 매우 적음

      2. 2007.10 출시 LG-SH170 슬라이드 피처폰
        1. 무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링

          • 한쪽면

          • 같은 칩에서 그 반대 한쪽면

          • sh170 065.jpg
      3. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰
        1. 와이솔

          • 긴쪽 50um

          • 짧은쪽

        2. 무라타

          • 긴쪽 100um (다이싱 속도가 비례하여 빠르다.)

          • 짧은쪽

        3. 엡코스

          • 긴쪽 40um

          • 짧은쪽

    4. LED, 사파이어 웨이퍼가 아닐 때
      1. 7-segment LED, 오토닉스 TZ4ST 온도조절기에서

        • 다이본딩

        • 다이싱 절단면

        • 다른 쪽, 90도 방향 절단면은 부러뜨렸나?

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