"Redmi Note 4X"의 두 판 사이의 차이

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image:redmi_note4x_189.png | 2535MHz
 
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<li>온도특성 측정,
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<li>준비
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image:redmi_note4x_189_001.jpg | 정확한 주파수 특성 그래프를 위해서 접지 납땜을 추가함
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image:redmi_note4x_189_002.jpg
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image:redmi_note4x_189_003.jpg
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<li>Fluorinert 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
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image:redmi_note4x_189_004.jpg | Fluorinert 액체를 부어도 파형에는 큰 변화가 없다.
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image:redmi_note4x_189_005.jpg | 온도센서를 설치하고 Fluorinert를 부은 후,
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image:redmi_note4x_189_006.jpg
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image:redmi_note4x_189_007.jpg | 온도센서는 DMM저항값으로 읽어드림
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<li>실험 방법
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image:redmi_note4x_189_008.jpg | 별도의 K타입 열전대로 온도 측정 문제점을 체크함
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image:redmi_note4x_189_009.jpg | 50도 미만에서 선풍기로 온도를 더 빨리 내림
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<li>5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 [[tcf-ibw.txt]]
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<li>엑셀 데이터
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image:redmi_note4x_189_010.png | 온도프로파일
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image:redmi_note4x_189_011.png | 피크이득
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image:redmi_note4x_189_012.png | -10dB 중심주파수
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image:redmi_note4x_189_013.png | -30ppm 온도계수를 갖는다.
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image:redmi_note4x_189_014.png | 대역폭
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</ol>
 
<li>다이 내부
 
<li>다이 내부
 
<ol>
 
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2020년 7월 11일 (토) 12:49 판

Xiaomi, Redmi Note 4X

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 핸드폰
        1. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰 - 이 페이지
  2. 기술자료
    1. 출시년도: 2017년 2월
    2. 사용 네트워크
      1. 2G GSM 850/900/1800/1900, CDMA800 & TD-SCDMA
      2. 3G HSDPA 850/900/1900/2100
      3. 4G 1, 3, 5, 7, 8, 38, 39, 40, 41 - Mediatek model, 아래 밴드에서 폰 기준으로 Tx, Rx
        1. B1: 2100, 1920~1980(1950), 2110~2170(2140)
        2. B2: 1900, 1850~1910(1880), 1930~1990(1960) - 이 밴드 듀플렉서가 있다.
        3. B3: 1800, 1710~1785(1747.5), 1805~1880(1842.5)
        4. B5: 850, 824~849(836.5), 869~894(881.5)
        5. B7: 2600, 2500~2570(2535), 2620~2690(2655)
        6. B8: 900, 880~915(897.5), 925~960(942.5)
        7. B38: 2600, TDD 2570~2620(2595) TY SAW 필터 발견
        8. B39: 1900, TDD 1880~1920(1900)
        9. B40: 2300, TDD 2300~2400(2350) Triquint BAW 필터 발견
        10. B41: 2500, TDD 2496~2690(2593)
  3. 외관
  4. finger ring stand용 조이개
  5. 분해시작
  6. 안테나
    1. 다이버시티 안테나인지, 아니면 하단은 저주파 1GHz, 상단은 2GHz 전용인지 정확하지 않음.
    2. 상단
    3. 하단
    4. 하단 안테나 매칭
    5. LDS(Laser Direct Structuring)에 사용된 플라스틱 도금 기술
    6. 메탈 케이스를 피해서 설치된, 위 아래 안테나 위치
  7. 지문 센서
    1. 위치
    2. PCB
    3. 표면에 열풍을 가하면
    4. 다이
    5. 동작원리
  8. 안테나 접지면 기준이 되는 후면 메탈 커버
  9. 마이크로 스피커
    1. 위치하는 곳(휴대폰 밑이다.) 및 외형
    2. 스피커 박스를 뜯으면
    3. 백볼륨 속의 스폰지
  10. 메인 마이크
    1. 메인 마이크와 맨 아래 버튼 스위치용 백라이트 LED 연결
    2. 메인 MEMS마이크, XN7A7 7722 3014
    3. C embedded PCB 분석, PCB C
  11. 귀쪽에 위치한, 소음 제거용 MEMS마이크
    1. 외형
    2. 패키지 분해
    3. 프레임 구조
    4. PCB C
    5. MEMS 진동판 - 메인 마이크에 사용된 MEMS 진동판과 같다.
  12. 메인보드 방열 및 차폐
  13. 카메라
    1. 후면 메인 카메라용 Dual-tone LED flash
      1. 기술
        1. 기존 단일 LED 플래시로 사진을 찍으면 부자연스럽고 차가운 톤으로 사진이 찍힌다.
        2. 서로 다른 색온도를 갖는 두 LED를 사용해서 색상 균형을 쉽게 맞출 수 있다.
        3. 2013년 9월 iPhone 5S에서 처음으로 등장. 흰색white과 호박색amber 사용함.
        4. 주변광의 화이트밸런스를 판단하여 플래시 색상을 조정한다.(맞나?)
      2. Dual-tone LED-SMD
      3. 형광체를 뜯어내면
      4. 켜보면
      5. LED 다이를 뜯으면
    2. 후면 메인 카메라 - 핸드폰용 이미지센서
      1. 위치
      2. 카메라 뒷면 방열판
      3. 외관
      4. VCM 분해
      5. IR컷 필터 분해
      6. 이미지 센서
      7. red dot pitch 약 2.2um, 파랑 점에 결점이 있다. phase detect auto focus(PDAF)를 위한 센서 픽셀. 한 축으로만 배열되어 예를 들면 수평 자동초점을 맞춘다. 센서 전영역에 걸쳐 형성되어 있으면 전영역에 자동초점을 맞출 수 있다.
      8. S5K3L8 삼성전자제조, 4208x3120(13M), 1.12um, 1/3.1", pixel type:ISOCELL, PDAF auto focus
    3. 전면 보조 카메라
  14. 적외선 근접센서(IR proximity sensors) 및 조도센서(Ambient Light Sensor)
    1. 사진
    2. 외관
    3. 분해
    4. 인터포저(interposer)
  15. 메인 PCB에서 방열
  16. 하단 안테나에서 온 동축케이블과 연결된, 안테나 RF스위치IC. TDD용 PAM과 W-CDMA PAM을 따로 스위칭하기 위해서(?)
    1. 외관
    2. 다이 분석
  17. Skyworks 77645-11, multimode multiband(MMMB) PAM, TDD용 전용. 7개 듀플렉서를 사용하는 W-CDMA용 PAM은 따로 존재한다.
    1. 부근 부품
    2. Triquint SMR-[BAW]] 필터, 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
    3. Taiyo-Yuden(다이요유덴;태양유전) SAW-핸드폰RF 필터, LAFy 마킹, LTE Band 38(2595MHz, TDD)용이다.
      1. 외관, 1.4x1.1mm 로 추정
      2. 특성 그래프
      3. 내부
  18. Skyworks 77912-51, W-CDMA용 PAM (LTE B7,38,41,40,AXGP 등 2300~2690MHz)
  19. Mediatek MT6631N, WiFi abgn+ac, BT4.1, GPS, FM 칩
    1. 사진
    2. 세라믹필터 기술로 만든 triplexer 측정
    3. 무라타 GPS용 쏘필터는 분석하지 않음.
    4. 83C 227 마킹, Triquint WiFi/BT용 SMR-[BAW]] 필터. 1.5x1.3mm 실측크기
      1. 주파수 특성
      2. 패키징
  20. TCXO
  21. 메인 보드 뒷면
  22. AP + RAM PoP(Package On Package)
  23. 전원용 노이즈필터, 4개 직렬로 연결
  24. SanDisk SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded flash drive, 14nm
  25. RF transceiver IC 구역
    1. Mediatek MT6176V transceiver RF IC
    2. Rx 다이버시티
      1. Rx 다이버시티용 스위치
      2. 쏘필터 8개 1.1x0.9mm
      3. 노랑점선: 안테나, 쏘필터 그리고 이들 사이 매칭영역, 주황점선: 모듈과 트랜시버IC 사이의 매칭영역
      4. 필터 8개 주파수특성 측정을 위해 간이 연결
      5. 필터 8개 주파수특성 엑셀 데이터
      6. 필터 8개 주파수특성 그래프
      7. #7번 필터, 2017년 8월, China 제조
    3. 듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개
      1. 전체
      2. Taiyo Yuden 5개
        1. 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
        2. 측면
        3. 701, LTE Band7
          1. 주파수 파형
          2. 온도특성 측정,
            1. 준비
            2. Fluorinert 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
            3. 실험 방법
            4. 5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
            5. 엑셀 데이터
          3. 다이 내부
        4. 7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
          1. 주파수 파형
          2. 땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
          3. 사파이어+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.
          4. 다이를 뜯어냄
          5. Rx
          6. Tx:1880MHz
            1. 전체
            2. withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.
            3. 90도로 배열된 C패턴
        5. 7A4, LTE Band1
          1. 주파수 파형
          2. 전체
          3. Rx
          4. Tx
        6. 7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
          1. 주파수 파형
          2. 다이 내부
        7. 7E4, LTE Band5
          1. 주파수 파형
          2. 다이 내부
      3. Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
        1. 외관
        2. 패키징
        3. 다이
      4. Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP SMR-[BAW]] 듀플렉서
        1. 외관
        2. 유기물 PCB
        3. 다이 분리
        4. 두 다이
        5. 빈공간을 유지하는, 벽과 지붕
        6. 본딩 패드와 검사용 패드
        7. 발연질산에 넣어서
  26. 위 모서리에 리모트콘트롤IR통신용 LED (앞에 검정 플라스틱 창이 있다.)
  27. 전면 상단에 3색 LED-모듈
  28. 진동모터
  29. 플라스틱 보호 커버(뭔가 누르기 위해 존재?)
  30. 카드접점
  31. 리시버 스피커
  32. 디스플레이 파트
    1. 강화유리(+LCD)와 anodized aluminum mid-frame과 분리
    2. anodized aluminum mid-frame에서 방열용 검정색 테이프 필름 두 가지
    3. anodized aluminum 금속 mid-frame과 플라스틱 동시 사출 구조
    4. 강화유리와 능동LCD 패널 뜯기, 강화유리만 깨끗하게 뜯어내는 것에 실패
    5. LCD용 LED-SMD 백라이트
  33. 파우치 2차-리튬 배터리
    1. 세트에서
    2. 외관
    3. 배터리 보호 회로
    4. 양면 F-PCB와 더미 Rigid-PCB 접합한 유기물기판 (휨강도와 FET스위치 열방출?)
    5. 전류검출용R 저저항
    6. FET 스위치,
    7. P-PTC, 고전류를 위해 두 개 병렬로 쌓아 만들었다.